一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构

本发明涉及半导体，尤其涉及一种结合hk集电极栅的sj-ligbt器件结构。背景技术：1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)可近似看作为金......

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#集电极#器件#结构