基片处理装置和基片处理方法与流程

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种使用化学增强型抗蚀剂形成抗蚀剂图案的基片处理装置。在该基片处理装置中，控制部以曝光装置中的曝光结束后至在曝光后烘焙单元中开始曝光后烘焙处理为止的时间在每个基片为一定的方式使基片在待机部待机。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2008-130857号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、有时代替化学增强型抗蚀剂，而使用含金属的抗蚀剂。本发明提供可有效地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。

5、发明效果

6、依照本发明，能够提供可有效地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

5.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：

7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：

8.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

9.如权利要求7或8所述的基片处理装置，其特征在于：

10.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

11.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

12.如权利要求11所述的基片处理装置，其特征在于：

13.如权利要求11或12所述的基片处理装置，其特征在于：

14.如权利要求1、2、12中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

15.如权利要求14所述的基片处理装置，其特征在于：

16.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

17.如权利要求16所述的基片处理方法，其特征在于：

18.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

19.如权利要求18所述的基片处理方法，其特征在于：

20.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

21.如权利要求20所述的基片处理方法，其特征在于：

22.如权利要求20所述的基片处理方法，其特征在于：

23.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

24.如权利要求22或23所述的基片处理方法，其特征在于：

25.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

26.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

27.如权利要求26所述的基片处理方法，其特征在于：

28.如权利要求26或27所述的基片处理方法，其特征在于：

29.如权利要求16、17、27中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

30.如权利要求29所述的基片处理方法，其特征在于：

技术总结本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。技术研发人员：川上真一路,水之浦宏,佐野要平,山内刚,榎本正志受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/12