像素驱动电路、显示装置及显示驱动方法与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种像素驱动电路、显示装置及显示驱动方法。

背景技术：

1、平板显示技术中，dtft(driving thin film transistor,驱动薄膜晶体管)的阈值电压(threshold voltage，vth)通常存在一定的空间和时间变动性。这类变动性会影响amoled(active matrix organic light emitting diode，有源矩阵发光二极管)的像素电路的dtft按照数据电压(data voltage，vdt)输出像素oled驱动电流的一致性。因此，amoled像素电路需要具有dtft vth变动性补偿功能。电压信号驱动(voltage driving scheme)像素电路进行vth补偿的基础是检获(检测、获取)dtft vth信号，然后用检获vth信号和刷新vdt信号耦合形成一个电压信号加载在dtft栅-源极之间。dtft栅-源电压(gate-sourcevoltage,vgs)中的vth成分补偿vth的变动性，vdt成分控制dtft输出驱动电流。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种像素驱动电路、显示装置及显示驱动方法。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种像素驱动电路，包括驱动晶体管和电压检获电路，所述电压检获电路包括信号保持电容，所述电压检获电路用于在充电电源通过所述驱动晶体管对所述信号保持电容充电时，或者所述放电电源通过所述驱动晶体管对所述信号保持电容放电时，检获所述驱动晶体管的阈值电压；

3、所述像素驱动电路还包括补偿子电路，所述补偿子电路与所述驱动晶体管连接，所述补偿子电路用于在所述电压检获电路检获所述驱动晶体管的阈值电压时，补偿所述驱动晶体管的充电率或放电率差异。

4、在其中一些实施例中，所述驱动晶体管为p型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的栅极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和充电通路开关之间。

5、在其中一些实施例中，所述驱动晶体管为p型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的源极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和放电通路开关之间。

6、在其中一些实施例中，所述驱动晶体管为n型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的栅极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和放电通路开关之间。

7、在其中一些实施例中，所述驱动晶体管为n型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的源极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和充电通路开关之间。

8、在其中一些实施例中，所述补偿子电路包括补偿电容、具有压控可变电容特性的场效应管或者具有压控可变电容特性的薄膜晶体管。

9、在其中一些实施例中，所述像素驱动电路包括开关晶体管，所述开关晶体管为双栅晶体管，所述开关晶体管包括相对远离所述信号保持电容的第一开关管，以及相对靠近所述信号保持电容的第二开关管，所述第二开关管复用为所述补偿子电路。

10、在其中一些实施例中，所述第一开关管的沟道区域的宽度小于所述第二开关管的沟道区域的宽度。

11、第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括第一方面中任一项所述的像素驱动电路。

12、第三方面，本申请实施例提供了一种显示驱动方法，应用于第二方面所述的显示装置，所述方法包括以下步骤：

13、控制驱动晶体管导通，以对信号保持电容充电或放电；

14、通过所述补偿子电路对所述信号保持电容的电量进行补偿。

15、在其中一些实施例中，所述通过所述补偿子电路对所述信号保持电容的电量进行补偿，包括：

16、在充电通路开关或放电通路开关关断时或关断后，且所述驱动晶体管对发光单元形成有效驱动前，对所述信号保存电容的电量进行补偿。

17、在其中一些实施例中，在显示第n帧图像时，所述对所述信号保存电容的电量进行补偿之前，还包括：

18、在第n-1帧图像的驱动周期结束，且在电压检获电路检获第n帧图像对应的驱动晶体管的阈值电压之前，控制所述信号保持电容复位。

19、在其中一些实施例中，所述方法还包括：

20、在所述第n帧图像对应的电路复位时段之前，控制所述信号保持电容复位。

21、在其中一些实施例中，所述方法还包括：

22、复用所述电压检获电路的通路开关时序控制信号作为所述补偿子电路复位和动作的时序控制信号。

技术特征：

1.一种像素驱动电路，包括驱动晶体管和电压检获电路，所述电压检获电路包括信号保持电容，所述电压检获电路用于在充电电源通过所述驱动晶体管对所述信号保持电容充电时，或者所述放电电源通过所述驱动晶体管对所述信号保持电容放电时，检获所述驱动晶体管的阈值电压；

2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述驱动晶体管为p型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的栅极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和充电通路开关之间。

3.如权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述驱动晶体管为p型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的源极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和放电通路开关之间。

4.如权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述驱动晶体管为n型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的栅极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和放电通路开关之间。

5.如权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述驱动晶体管为n型晶体管，所述信号保持电容的电压变动端连接所述驱动晶体管的源极，所述补偿子电路包括补偿元件，所述补偿元件连接于所述信号保持电容的电压变动端和充电通路开关之间。

6.如权利要求1至5中任一项所述的像素驱动电路，其中，所述补偿子电路包括补偿电容、具有压控可变电容特性的场效应管或者具有压控可变电容特性的薄膜晶体管。

7.如权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括开关晶体管，所述开关晶体管为双栅晶体管，所述开关晶体管包括相对远离所述信号保持电容的第一开关管，以及相对靠近所述信号保持电容的第二开关管，所述第二开关管复用为所述补偿子电路。

8.如权利要求7所述的像素驱动电路，其中，所述第一开关管的沟道区域的宽度小于所述第二开关管的沟道区域的宽度。

9.一种显示装置，包括权利要求1至8中任一项所述的像素驱动电路。

10.一种显示驱动方法，应用于权利要求9所述的显示装置，所述方法包括以下步骤：

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述通过所述补偿子电路对所述信号保持电容的电量进行补偿，包括：

12.如权利要求11所述的方法，其中，在显示第n帧图像时，所述对所述信号保存电容的电量进行补偿之前，还包括：

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述方法还包括：

14.如权利要求10至13中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

技术总结本申请提供一种像素驱动电路、显示装置及显示驱动方法。像素驱动电路包括驱动晶体管和电压检获电路，所述电压检获电路包括信号保持电容，所述电压检获电路用于在充电电源通过所述驱动晶体管对所述信号保持电容充电时，或者所述放电电源通过所述驱动晶体管对所述信号保持电容放电时，检获所述驱动晶体管的阈值电压；所述像素驱动电路还包括补偿子电路，所述补偿子电路与所述驱动晶体管连接，所述补偿子电路用于在所述电压检获电路检获所述驱动晶体管的阈值电压时，补偿所述驱动晶体管的充电率或放电率差异。技术研发人员：皇甫鲁江,王丽,王铸,汤彩艳,刘利宾,石领受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11