钼氧化物基烧结体、包含其的溅射靶材以及氧化物薄膜的制作方法

本发明涉及一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜，更详细地，涉及一种钼氧化物基烧结体、溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜，其当制备用于lcd以及oled的tft结构的溅射用靶材时，通过添加规定范围的特定(准)金属氧化物来同时改善烧结性以及密度特性。

背景技术：

1、通常，具有低反射率的导电薄膜用于平板显示器(flat panel display；“fpd”)、触摸屏面板、太阳能电池、发光二极管(organic light emitting diode；“oled”)。

2、其代表性材料为氧化铟锡(in2o3-sno2)(“ito”)，并且ito组合物用于形成具有高可见光透射率以及导电率的导电薄膜。这种ito组合物具有优异的低反射率性能，但由于经济效率差，因此正在持续研究代替全部或部分氧化铟的材料。

3、然而，这种研究关注的点是通过靶材料形成的薄膜的低反射率，并且需要考虑耐化学性、耐热性的特性，其能够提高薄膜在长时间使用时的可靠性。

4、另一方面，钼氧化物为难以烧结的难烧结物质。像这样，当利用难以烧结且密度低的钼氧化物基陶瓷材料时，不仅难以构成高密度(例如，90％以上的相对密度)靶材，而且当利用所制备的靶材进行溅射时，由于产生背面沉积(back depo.)以及小结(nodule)而产生异物，因此不可避免地导致薄膜的物理性质降低。

5、现有技术文献

6、专利文献1：韩国公开专利第10-2020-0069314号

技术实现思路

1、技术问题

2、本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的技术问题为提供一种通过在作为主要原料的难烧结钼氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使在无压状态下进行烧结也可以改善烧结性并确保高密度的新型钼氧化物基烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。

3、本发明的其他目的以及优点可以通过下述发明的详细说明以及发明要求范围更清楚地解释。

4、技术方案

5、为了解决上述技术问题，本发明提供一种氧化物烧结体，上述氧化物烧结体包含：钼氧化物(m1)，含有moo2以及moo3中的至少一种；铌氧化物(m2)；以及金属氧化物(m3)，含有至少一种碱土金属，相对于上述烧结体的总重量，钼氧化物(m1)的含量为70重量百分比以上。

6、在本发明一实施例中，上述金属氧化物(m3)可以包含含有ca以及mg中的至少一种的第一金属氧化物(m3-1)。

7、在本发明一实施例中，上述第一金属氧化物(m3-1)可以包含选自由caco3以及mgo组成的组中的一种以上。

8、在本发明一实施例中，上述金属氧化物(m3)可以包含第一金属氧化物(m3-1)；以及第二金属氧化物(m3-2)，含有选自由co、si、y以及ga组成的组中的一种以上金属。

9、在本发明一实施例中，上述第二金属氧化物(m3-2)可以包含选自由co3o4、sio2、y2o3以及ga2o3组成的组中的一种以上。

10、在本发明一实施例中，基于100重量百分比的上述烧结体，上述金属氧化物(m3)的含量可以大于0重量百分比且10.0重量百分比以下。

11、在本发明一实施例中，基于100重量百分比的上述氧化物烧结体，上述钼氧化物(m1)以及上述铌氧化物(m2)的含量可以在90.0重量百分比以上且小于100重量百分比，上述钼氧化物(m1)与上述铌氧化物(m2)的含量比可以为50:50重量比至90:10重量比。

12、在本发明一实施例中，上述氧化物烧结体可以通过将钼氧化物(m1)、铌氧化物(m2)以及金属氧化物(m3)混合成型后进行无压烧结而成。

13、在本发明一实施例中，上述氧化物烧结体的比电阻可以为1×10-2ωcm以下，相对密度可以为80％以上。

14、并且，本发明提供一种包含上述无压烧结体的溅射靶材。

15、另外，本发明提供一种由上述溅射靶材形成的氧化物薄膜。

16、发明的效果

17、根据本发明一实施例，通过在难烧结钼氧化物中添加规定范围的含有特定元素的(准)金属氧化物，从而即使在无压状态下也可以改善钼氧化物烧结体的烧结性并确保高密度。

18、因此，本发明的钼氧化物基烧结体以及溅射靶材可以有用地应用于形成用于lcd以及oled的tft结构的电极或线路。

19、本发明的效果不限于以上示例的内容，本说明书中还包括更多样的效果。

技术特征：

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述金属氧化物m3包含含有ca以及mg中的至少一种的第一金属氧化物m3-1。

3.根据权利要求2所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述第一金属氧化物m3-1包含选自由caco3以及mgo组成的组中的一种以上。

4.根据权利要求2所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述金属氧化物m3包含：

5.根据权利要求4所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述第二金属氧化物m3-2包含选自由co3o4、sio2、y2o3以及ga2o3组成的组中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，基于100重量百分比的上述烧结体，上述金属氧化物m3的含量大于0重量百分比且10.0重量百分比以下。

7.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，基于100重量百分比的上述氧化物烧结体，上述钼氧化物m1以及上述铌氧化物m2的含量在90.0重量百分比以上且小于100重量百分比，上述钼氧化物m1与上述铌氧化物m2的含量比为50:50重量比至90:10重量比。

8.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述氧化物烧结体通过将钼氧化物m1、铌氧化物m2以及金属氧化物m3混合成型后进行无压烧结而成。

9.根据权利要求8所述的氧化物烧结体，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，比电阻为1×10-2ωcm以下，相对密度为80％以上。

11.一种溅射靶材，其特征在于，包含权利要求1至10中的任一项所述的氧化物烧结体。

12.一种氧化物薄膜，其特征在于，由权利要求11所述的溅射靶材形成。

13.一种薄膜晶体管，其特征在于，将权利要求12所述的氧化物薄膜用作栅极层、源极层以及漏极层中的任一种。

14.一种显示装置，其特征在于，包含权利要求12所述的氧化物薄膜。

15.一种权利要求1所述的氧化物烧结体的制备方法，其特征在于，包括：

技术总结本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。技术研发人员：黃炳辰,李丞苡,李孝元,张逢中,田奉埈,秦承铉,朴宰成,杨丞浩受保护的技术使用者：LT金属株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2