一种单晶炉掉棒后处理装置的制作方法

本技术涉及晶棒生产设备，尤其涉及一种用于单晶炉掉棒后的处理装置。

背景技术：

1、单晶炉掉棒是指单晶硅生产过程中，由于各种原因导致单晶炉内的硅棒(也称为“晶棒”)掉落。一旦发生掉棒，及其容易发生安全隐患，且仅通过人力处理掉落的圆棒和损坏的热场零件较为困难

2、如果掉棒发生在冷却过程中，那么整根圆棒长度在3米左右，直径220mm，重量将在300公斤左右，目前处理方式人为将钢丝绳缠绕固定在圆棒上面，通过提拉头拉动缠绕在圆棒上的钢丝绳吊起，此时单晶炉操作空间有限，且离地面较高，圆棒为圆柱体，表面光滑，不好固定，而且在吊起过程中，圆棒呈斜倒状态，此时上升单晶圆棒的头部将对单晶炉的炉筒壁进行剐蹭，极容易发生二次掉棒，造成安全隐患和设备上二次损失。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术中掉落的晶棒在取出时效率低且会发生二次掉落对单晶炉和热场造成二次损伤的不足，提供一种效率高且作业安全性更好的单晶炉掉棒后处理装置。

2、本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种单晶炉掉棒后处理装置，包括移动底座，所述移动底座的上表面设置有夹取装置，所述夹取装置的后方设置有配重块；

3、所述夹取装置包括支撑立柱，所述支撑立柱的中部设置有夹具一，所述夹具一的上方设置有夹具二，所述支撑立柱的顶上部设置有用于带动夹具二升降的调节气缸。

4、进一步地，所述支撑立柱的上部设置有用于放置调节气缸的置物腔室，所述支撑立柱的上部设中部设置有用于夹具二升降的避位槽，所述置物腔室的底部设置有与避位槽连接的通孔。

5、进一步地，所述通孔内设置有连接杆，所述连接杆的上端与升降气缸的伸缩端连接，下端设置有与夹具二连接的定位板。

6、进一步地，所述夹具一和夹具二均包括用于卡夹晶棒的卡钳，所述支撑立柱内设置有用于带动卡钳开合的驱动气缸，所述驱动气缸的伸缩端与卡钳之间设置有传动模组。

7、进一步地，所述传动模组包括定位座，所述定位座的内设置有驱动气缸的伸缩端连接的驱动块，所述驱动块的两端设置有与卡钳铰接的传动臂，所述定位座的前端面设置有定位杆，所述定位杆的前端设置有横撑，所述横撑的两端分别与两个卡钳的中部铰接。

8、本实用新型的有益效果在于：该单晶炉掉棒后处理装置，包括移动底座，移动底座的上表面设置有用于夹取掉落晶棒的夹取装置，夹取装置的后方安装有配重块，夹取装置包括竖直安装的支撑立柱，支撑立柱的中部设置有夹具一，夹具一的上方设置有夹具二，夹具一和夹具二均为水平放置，支撑立柱的顶上部安装有用于带动夹具二升降的调节气缸，当晶棒掉落后，首先利用夹具一和夹具二将晶棒扶正，避免与单晶炉发生二次碰撞导致设备损伤，扶正后夹具一打开，取消对晶棒的固定，然后利用调节气缸带动夹具二上升后带动晶棒向上移动，上升至行程终点后，夹具一夹紧晶棒，夹具二松开后调节气缸带动夹具二上移，与现有的通过牵拉设备进行取出相比，晶棒不会在取出时发生二次掉落对单晶炉和热场造成二次损伤，同时能够减少人工干预，作业更高效且效率更高。

技术特征：

1.一种单晶炉掉棒后处理装置，其特征在于：包括移动底座，所述移动底座的上表面设置有夹取装置，所述夹取装置的后方设置有配重块；

2.根据权利要求1所述的一种单晶炉掉棒后处理装置，其特征在于：所述支撑立柱的上部设置有用于放置调节气缸的置物腔室，所述支撑立柱的上部设中部设置有用于夹具二升降的避位槽，所述置物腔室的底部设置有与避位槽连接的通孔。

3.根据权利要求2所述的一种单晶炉掉棒后处理装置，其特征在于：所述通孔内设置有连接杆，所述连接杆的上端与升降气缸的伸缩端连接，下端设置有与夹具二连接的定位板。

4.根据权利要求1所述的一种单晶炉掉棒后处理装置，其特征在于：所述夹具一和夹具二均包括用于卡夹晶棒的卡钳，所述支撑立柱内设置有用于带动卡钳开合的驱动气缸，所述驱动气缸的伸缩端与卡钳之间设置有传动模组。

5.根据权利要求4所述的一种单晶炉掉棒后处理装置，其特征在于：所述传动模组包括定位座，所述定位座的内设置有驱动气缸的伸缩端连接的驱动块，所述驱动块的两端设置有与卡钳铰接的传动臂，所述定位座的前端面设置有定位杆，所述定位杆的前端设置有横撑，所述横撑的两端分别与两个卡钳的中部铰接。

技术总结本技术涉及晶棒生产设备技术领域，尤其涉及一种单晶炉掉棒后处理装置，包括移动底座，移动底座的上表面设置有用于夹取掉落晶棒的夹取装置，夹取装置的后方安装有配重块，夹取装置包括竖直安装的支撑立柱，支撑立柱的中部设置有夹具一，夹具一的上方设置有夹具二，夹具一和夹具二均为水平放置，支撑立柱的顶上部安装有用于带动夹具二升降的调节气缸，当晶棒掉落后，首先利用夹具一和夹具二将晶棒扶正，避免与单晶炉发生二次碰撞导致设备损伤，与现有的通过牵拉设备进行取出相比，晶棒不会在取出时发生二次掉落对单晶炉和热场造成二次损伤，同时能够减少人工干预，作业更高效且效率更高。技术研发人员：吕卓然,郭艳旗受保护的技术使用者：河南协鑫光伏科技有限公司技术研发日：20230921技术公布日：2024/6/13