一种花键轴整体式中频淬火感应器的制作方法

本发明涉及机械领域，尤其涉及淬火装置，特别是一种花键轴整体式中频淬火感应器。

背景技术：

1、感应加热表面淬火是利用电磁感应原理将交变电流输入感应器产生交变磁场，从而使贯穿感应器的金属工件表面产生感应电流，依靠电流热效应使工件表面快速加热并快速冷却的淬火工艺。花键轴为传动轴的重要组成部分，满足安装连接，传递扭矩。现有技术中，扫描式感应圈难以满足以下的花键轴中频淬火要求：

2、1.根据零件的形状及尺寸要求设计制作扫描式感应圈。

3、2.零件中频淬火区域分尺寸段，各段淬火层深要求不一致。

4、3.中频淬火不但要保证淬火层深，还要保证芯部硬度要求在某尺寸范围。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种花键轴整体式中频淬火感应器，所述的这种花键轴整体式中频淬火感应器要解决现有技术中的淬火感应圈难以满足花键轴中频淬火要求的技术问题。

2、本发明的一种花键轴整体式中频淬火感应器，包括两个导磁体，两个导磁体相向设置，两个导磁体的上端相向的一侧均各自连接有一个连接管，两个连接管相向设置，任意一个导磁体均各自包括两个以上数目的导磁单元，任意一个导磁单元均各自包括重叠设置的若干个硅钢片、或者交错重叠设置的若干个硅钢片和若干个云母片。

3、进一步的，任意一个所述的导磁单元均各自包括依次连接的第一导磁单元、第二导磁单元、第三导磁单元、第四导磁单元和第五导磁单元，第一导磁单元、第二导磁单元、第三导磁单元和第五导磁单元均由若干个硅钢片和若干个云母片依次排列构成，第四导磁单元由若干个硅钢片依次排列构成，第一导磁单元中硅钢片的数量等于云母片的数量，第二导磁单元中硅钢片的数量等于云母片的数量，第三导磁单元中硅钢片的数量为云母片的数量的三倍，第五导磁单元中硅钢片的数量为云母片的数量的三倍。

4、进一步的，所述的第一导磁单元的轴向截面形状包括一个第一长方形，第二导磁单元的轴向截面形状包括一个第二长方形，第三导磁单元的轴向截面形状包括一个第三长方形，第四导磁单元的轴向截面形状包括从上至下依次设置的一个平行四边形和一个第四长方形，第五导磁单元的轴向截面形状包括从上至下依次设置的一个第一直角梯形和一个第二直角梯形。

5、进一步的，所述的连接管由紫铜管构成，两个连接管之间设置有绝缘片。

6、进一步的，所述的导磁体两侧均安装有喷水装置。

7、本发明与现有技术相比，其效果是积极和明显的。在导磁体中，通过硅钢片和云母片的数量比例的设置，来控制中频能量的输出，更好的达到花键轴表面中频淬火要求。硅钢片与云母片比例分布，用于控制淬火层深度，硅钢片越多，磁场越大，能量越集中，云母片耐高温，起固定硅钢片作用，不加强磁场，硅钢片和云母片的数量比例是根据花键轴各区域段淬火层深度要求以及区域段尺寸而设计。通过导磁体的各个单元形状配合设计，使得花键轴颈部分在中频淬火时，能量更加集中，既能保证中频淬火的层深要求，又能使中频过渡区在控制范围中。

技术特征：

1.一种花键轴整体式中频淬火感应器，其特征在于：包括两个导磁体，两个导磁体相向设置，两个导磁体的上端相向的一侧均各自连接有一个连接管，两个连接管相向设置，任意一个导磁体均各自包括两个以上数目的导磁单元，任意一个导磁单元均各自包括重叠设置的若干个硅钢片、或者交错重叠设置的若干个硅钢片和若干个云母片。

2.根据权利要求1所述的一种花键轴整体式中频淬火感应器，其特征在于：任意一个所述的导磁单元均各自包括依次连接的第一导磁单元、第二导磁单元、第三导磁单元、第四导磁单元和第五导磁单元，第一导磁单元、第二导磁单元、第三导磁单元和第五导磁单元均由若干个硅钢片和若干个云母片依次排列构成，第四导磁单元由若干个硅钢片依次排列构成，第一导磁单元中硅钢片的数量等于云母片的数量，第二导磁单元中硅钢片的数量等于云母片的数量，第三导磁单元中硅钢片的数量为云母片的数量的三倍，第五导磁单元中硅钢片的数量为云母片的数量的三倍。

3.根据权利要求2所述的一种花键轴整体式中频淬火感应器，其特征在于：所述的第一导磁单元的轴向截面形状包括一个第一长方形，第二导磁单元的轴向截面形状包括一个第二长方形，第三导磁单元的轴向截面形状包括一个第三长方形，第四导磁单元的轴向截面形状包括从上至下依次设置的一个平行四边形和一个第四长方形，第五导磁单元的轴向截面形状包括从上至下依次设置的一个第一直角梯形和一个第二直角梯形。

4.根据权利要求1所述的一种花键轴整体式中频淬火感应器，其特征在于：所述的连接管由紫铜管构成，两个连接管之间设置有绝缘片。

5.根据权利要求1所述的一种花键轴整体式中频淬火感应器，其特征在于：所述的导磁体两侧均安装有喷水装置。

技术总结一种花键轴整体式中频淬火感应器，包括两个导磁体，两个导磁体相向设置，两个导磁体的上端相向的一侧均各自连接有一个连接管，两个连接管相向设置，任意一个导磁体均各自包括两个以上数目的导磁单元，任意一个导磁单元均各自包括重叠设置的若干个硅钢片、或者交错重叠设置的若干个硅钢片和若干个云母片。在导磁体中，通过硅钢片和云母片的数量比例的设置，来控制中频能量的输出，更好的达到花键轴表面中频淬火要求。硅钢片与云母片比例分布，用于控制淬火层深度，硅钢片越多，磁场越大，能量越集中，云母片耐高温，起固定硅钢片作用，不加强磁场，硅钢片和云母片的数量比例是根据花键轴各区域段淬火层深度要求以及区域段尺寸而设计。技术研发人员：任仕军,孙新嵩,宋贝贝受保护的技术使用者：上海纳申汽车零部件有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5