一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构的制作方法

本技术涉及led，尤其涉及一种高功率高光密度型led四色支架封装结构。

背景技术：

1、中国授权公告号为cn218160368 u，授权公告日为2022年12月27日，其公开了一种四色led灯珠结构，其包括底座，所述底座上开设有安装槽，所述安装槽内设置有第一安装区和第二安装区，所述第一安装区内且位于安装槽槽底上设置有红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片，所述第一安装区设置有透明胶，所述第二安装区且位于安装槽槽底上设置有发光芯片，所述第二安装区设置有荧光胶。该现有技术存在的缺陷是：设置第一安装区和第二安装区，使，第一安装区内设置3组焊盘组，第二安装区设置有1组焊盘组，焊盘组包括两个并排设置的焊盘，红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片依次设置在对应的焊盘上，发光芯片设置在第二安装区内一个焊盘上，将这种结构应用在3535型号的led上，采用这种并列放置的结构，导致安装槽内存在较大范围的可利用空间，从而直接影响出光率。鉴于这种情况，亟待改善。

技术实现思路

1、基于此，本实用新型的目的在于提供一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，在同等面积3535型号的led支架下，内部空间利用率更高，芯片分布更均匀，使出光效率更高。

2、本实用新型提供一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架、安装在所述氮化铝陶瓷支架上的第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片、设置在所述氮化铝陶瓷支架上的负极功能区、设置在所述氮化铝陶瓷支架上的正极焊接区、设置在所述氮化铝陶瓷支架上并且将负极功能区以及正极焊接区隔离开的陶瓷隔离带。

3、所述负极功能区包括第一负极功能区、第二负极功能区、第三负极功能区、第四负极功能区，所述第一led芯片对应安装在所述第一负极功能区上，所述第二led芯片对应安装在所述第二负极功能区上，所述第三led芯片对应安装在所述第三负极功能区上，所述第四led芯片对应安装在所述第四负极功能区上；所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片处于安装状态时构成田字形状。

4、所述正极焊接区包括第一正极焊线区、第二正极焊线区、第三正极焊线区、第四正极焊接区。

5、所述氮化铝陶瓷支架上相邻所述第一负极功能区和所述第三负极功能区的一侧设置有第一正极焊线区，所述氮化铝陶瓷支架上位于所述第三负极功能区远离所述第一led芯片的一侧设置有第三正极焊线区，所述氮化铝陶瓷支架上相邻所述第二负极功能区和所述第四负极功能区的一侧设置有第二正极焊线区，所述氮化铝陶瓷支架上位于所述第四负极功能区远离所述第二led芯片的一侧设置有第四正极焊接区。

6、所述第一led芯片通过金线与所述第一正极焊线区键合；所述第二led芯片通过金线与第二正极焊线区键合；所述第三led芯片通过金线与所述第三正极焊线区键合；所述第四led芯片通过金线与所述第四正极焊接区键合。

7、所述负极功能区和所述正极焊接区上覆盖设置有白胶层。

8、所述氮化铝陶瓷支架的长和宽均设置为3.5mm，高设置为0.63mm。

9、所述负极功能区的面积加上所述正极焊接区的面积和小于所述氮化铝陶瓷支架的面积的80％。

10、作为优选方案，所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片采用一串联三并连的电路连接。

11、作为优选方案，所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片的尺寸均设置为38mil*38mil。

12、作为优选方案，所述第一负极功能区上与所述第一led芯片对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第二负极功能区上与所述第二led芯片对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第三负极功能区上与所述第三led芯片对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第四负极功能区上与所述第四led芯片对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm。

13、作为优选方案，所述白胶层的上表面与所述第一led芯片、第二led芯片、第三led芯片、第四led芯片的上表面处于同一水平面。

14、作为优选方案，氮化铝陶瓷支架的背面设置有散热板。

15、作为优选方案，所述四色支架封装结构还包括四个驱动电路和控制电路，四个所述驱动电路分别将接收的驱动电流输出至所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片，驱动所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片发光。

16、本实用新型的有益效果为：

17、1、第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片处于安装状态时构成田字形状，负极功能区的面积加上所述正极焊接区的面积和小于所述氮化铝陶瓷支架的面积的80％，在同等面积支架下，内部空间利用率更大，芯片分布更均匀，出光效率更高；

18、2、负极功能区和正极焊接区上覆盖设置有白胶层，白胶层的上表面与所述第一led芯片、第二led芯片、第三led芯片、第四led芯片的上表面处于同一水平面，可以改善产品的光斑，提高本结构的品质；

19、3、四个所述驱动电路分别将接收的驱动电流输出至所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片，驱动所述第一led芯片、第二led芯片，第三led芯片、第四led芯片发光，单独可控电流，精准调光控光。

技术特征：

1.一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架(23)、安装在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的第一led芯片(10)、第二led芯片(11)、第三led芯片(13)、第四led芯片(12)、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的负极功能区、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的正极焊接区、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上并且将负极功能区以及正极焊接区隔离开的陶瓷隔离带(24)；

2.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)，第三led芯片(13)、第四led芯片(12)采用一串联三并连的电路连接。

3.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)，第三led芯片(13)、第四led芯片(12)的尺寸均设置为38mil*38mil。

4.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述第一负极功能区(14)上与所述第一led芯片(10)对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第二负极功能区(22)上与所述第二led芯片(11)对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第三负极功能区(17)上与所述第三led芯片(13)对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第四负极功能区(20)上与所述第四led芯片(12)对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm。

5.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述白胶层的上表面与所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)、第三led芯片(13)、第四led芯片(12)的上表面处于同一水平面。

6.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：氮化铝陶瓷支架(23)的背面设置有散热板(15)。

7.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述四色支架封装结构还包括四个驱动电路和控制电路，四个所述驱动电路分别将接收的驱动电流输出至所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)，第三led芯片(13)、第四led芯片(12)，驱动所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)，第三led芯片(13)、第四led芯片(12)发光。

技术总结本技术提供一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架、碗杯、第一LED芯片、第二LED芯片，第三LED芯片、第四LED芯片、负极功能区、正极焊接区、陶瓷隔离带；负极功能区包括第一负极功能区、第二负极功能区、第三负极功能区、第四负极功能区，第一LED芯片对应安装在第一负极功能区上，第二LED芯片对应安装在第二负极功能区上，第三LED芯片对应安装在第三负极功能区上，第四LED芯片对应安装在第四负极功能区上；第一LED芯片、第二LED芯片，第三LED芯片、第四LED芯片处于安装状态时构成田字形状；正极焊接区包括第一正极焊线区、第二正极焊线区、第三正极焊线区、第四正极焊接区。内部空间利用率更高，芯片分布更均匀，使出光效率更高。技术研发人员：刘三林,陈小燕,程鸣,周元浙,邓志明受保护的技术使用者：东莞市立德达光电科技有限公司技术研发日：20231116技术公布日：2024/7/9