一种超低功率半导体功率器件的制作方法

本技术涉及半导体，特别涉及一种超低功率半导体功率器件。

背景技术：

1、半导体功率器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的电子器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机领域的笔记本、pc、服务器、显示器以及各种仪器仪表和各类控制设备等，除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。

2、现有的半导体功率器件的表面设置有若干个引脚，当半导体功率器件在移动过程中被外物撞击时，半导体功率器件的引脚容易被外物撞坏，降低了半导体功率器件正常的使用寿命，为此我们提出一种超低功率半导体功率器件。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的在于提供一种超低功率半导体功率器件，通过设置的连接机构与防护件，来解决当半导体功率器件在移动过程中被外物撞击时，半导体功率器件的引脚容易被外物撞坏，降低了半导体功率器件正常的使用寿命的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种超低功率半导体功率器件，包括半导体本体，还包括：

4、底壳，所述底壳设置于半导体本体底部；

5、顶壳，所述顶壳设置于半导体本体顶部；

6、连接机构，所述连接机构设置于底壳与顶壳之间；

7、所述连接机构包括设置于底壳侧壁的凹槽、设置于凹槽内侧的定位板、设置于定位板与凹槽侧壁之间的复位单元，所述顶壳侧面开设有与定位板一端尺寸相适配的定位槽；

8、防护件，所述防护件设置于半导体本体与底壳以及顶壳的连接处。

9、优选地，所述连接机构的数量有两组，两组所述连接机构关于底壳中轴线对称设置。

10、优选地，每组所述连接机构中均设置有两组复位单元，所述复位单元相对设置于凹槽侧壁；

11、所述复位单元包括设置于凹槽侧壁的活动槽、固定连接在活动槽侧壁的复位件一端、与复位件另一端固定连接的活动柱一端，所述活动柱的另一端与定位板侧面固定连接。

12、优选地，所述定位板呈倒“l”形结构。

13、优选地，所述防护件包括设置于顶壳内侧顶面的缓冲板、设置于底壳顶部的缓冲单元以及设置于底壳与半导体本体之间的缓冲柱。

14、优选地，所述缓冲单元的数量有四个，四个所述缓冲单元呈矩形阵列分布在底壳顶部拐角处。

15、优选地，所述缓冲单元包括安装在底壳顶部的固定筒、固定连接在固定筒内侧底部的缓冲件一端、与缓冲件的另一端固定连接的活动座一端，所述活动座的另一端贯穿延伸至固定筒上方，且所述活动座的另一端与半导体本体底面相抵接。

16、与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

17、一、本实用新型中，通过设置的连接机构，将防护件安装在底壳以及顶壳内侧面，将半导体本体放置于底壳顶面上，配合拉动定位板使其向远离底壳一侧滑动，将顶壳放置于底壳顶部，并使得顶壳与底壳相贴合，松开定位板，在复位件的弹性复位作用下拉动活动柱向活动槽内部活动，从而带动定位板向靠近底壳一侧移动，从而使得定位板一端与顶壳侧面的定位槽相卡合，从而对底壳与顶壳进行连接，配合顶壳与底壳对半导体本体的引脚进行保护，避免半导体本体的引脚被外物撞坏，保障了半导体本体正常的使用寿命。

18、二、本实用新型中，通过设置的防护件，配合缓冲板与缓冲单元对半导体本体上下侧进行限位，并配合缓冲件的弹性作用以及活动座对半导体本体进行支撑，再配合缓冲柱进一步支撑，避免半导体本体与底壳或顶壳硬性接触，对半导体本体的防护效果较好。

技术特征：

1.一种超低功率半导体功率器件，包括半导体本体（1），其特征在于，还包括：

2.根据权利要求1所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述连接机构（4）的数量有两组，两组所述连接机构（4）关于底壳（2）中轴线对称设置。

3.根据权利要求2所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：每组所述连接机构（4）中均设置有两组复位单元（42），所述复位单元（42）相对设置于凹槽侧壁；

4.根据权利要求3所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述定位板（41）呈倒“l”形结构。

5.根据权利要求1所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述防护件（5）包括设置于顶壳（3）内侧顶面的缓冲板（51）、设置于底壳（2）顶部的缓冲单元（52）以及设置于底壳（2）与半导体本体（1）之间的缓冲柱（53）。

6.根据权利要求5所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述缓冲单元（52）的数量有四个，四个所述缓冲单元（52）呈矩形阵列分布在底壳（2）顶部拐角处。

7.根据权利要求6所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述缓冲单元（52）包括安装在底壳（2）顶部的固定筒（521）、固定连接在固定筒（521）内侧底部的缓冲件（522）一端、与缓冲件（522）的另一端固定连接的活动座（523）一端，所述活动座（523）的另一端贯穿延伸至固定筒（521）上方，且所述活动座（523）的另一端与半导体本体（1）底面相抵接。

技术总结本技术公开了一种超低功率半导体功率器件，涉及半导体技术领域，包括半导体本体，还包括：底壳，底壳设置于半导体本体底部；顶壳，顶壳设置于半导体本体顶部；连接机构，连接机构设置于底壳与顶壳之间；连接机构包括设置于底壳侧壁的凹槽、设置于凹槽内侧的定位板、设置于定位板与凹槽侧壁之间的复位单元，顶壳侧面开设有与定位板一端尺寸相适配的定位槽；防护件，防护件设置于半导体本体与底壳以及顶壳的连接处。本技术为一种超低功率半导体功率器件，通过设置的连接机构，对半导体本体的引脚进行保护，避免半导体本体的引脚被外物撞坏，保障了半导体本体正常的使用寿命。技术研发人员：刘文广受保护的技术使用者：苏州睿众机械科技有限公司技术研发日：20231027技术公布日：2024/7/9