吸附头配件以及吸附设备的制作方法

本申请涉及晶圆涂胶，尤其涉及一种吸附头配件以及一种吸附设备。

背景技术：

1、光刻工艺是制造半导体中最为重要的工艺步骤，一般地，光刻工艺要经历硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀以及检测等工序，以往是对整个晶圆进行单次涂胶腐蚀，整圆涂胶腐蚀的工艺相对稳定，技术容易满足生产要求，但若要针对同一晶圆进行多次光刻、腐蚀工艺，此时，工序便会变得尤为复杂，尤其是裂片及不规则形状的晶圆的涂胶工艺，现有的吸附整圆的治具容易造成漏胶，及治具吸附不稳、晶圆出现飞料的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种吸附头配件以及一种吸附设备，本申请可以实现吸附如整个晶圆或者一些裂片及不规则形状的晶圆，以便对其进行涂胶，并且保证不会出现漏胶，以及晶圆飞料的问题，或者对被吸附的晶圆进行其他光刻工序。

2、为此，在第一方面，本申请提供了一种吸附头配件，配置为装配在吸附装置的吸附管道上，用以吸附晶圆，以便对其进行涂胶，所述吸附头配件具有吸附部；所述吸附部的一侧表面设置有吸附孔，所述吸附孔配置为与所述吸附管道连通；并且，所述吸附部此侧表面的环绕于所述吸附孔外周的部分朝外凸出、以形成环状凸缘；在所述吸附部此侧表面的位于所述环状凸缘内部设置有多个凸起。

3、在第二方面，本申请还提出了一种吸附设备，其包括如第一方面所述的吸附头配件。

4、本申请提出了一种吸附头配件以及一种吸附设备，与现有技术相比，其有益效果在于：

5、本申请的吸附头配件具有吸附部，吸附部的一侧表面设置有吸附孔，吸附部此侧表面的环绕于吸附孔外周的部分朝外凸出、以形成环状凸缘，并且在吸附部此侧表面的位于环状凸缘内部设置有多个凸起，吸附孔配置为与吸附装置的吸附管道连通，吸附装置可以在吸附孔内形成负压，可将吸附部的环状凸缘紧贴晶圆，环状凸缘可以将吸附孔与晶圆的表面对应吸附孔的部分进行封闭，形成一个封闭区域，吸附孔可以吸走此区域内的空气，以此可以吸附住晶圆，并且，在此封闭区域内，吸附部的多个凸起可以接触晶圆的表面，这些凸起不会妨碍吸附孔将封闭区域内的空气吸走，而是会增大吸附部与晶圆表面之间的接触摩擦力，以使得晶圆可以牢牢被吸附在吸附部的表面，以便对其进行涂胶或者进行其他光刻工序；于此，本申请的吸附头配件可以实现吸附如整个晶圆或者一些裂片及不规则形状的晶圆，以便对其进行涂胶，并且保证不会出现漏胶，以及晶圆飞料的问题。

6、本申请还提出了一种应用了上述的吸附头配件的吸附设备，本吸附设备可以实现吸附如整个晶圆或者一些裂片及不规则形状的晶圆，以便对其进行涂胶，并且保证不会出现漏胶，以及晶圆飞料的问题。

技术特征：

1.一种吸附头配件，配置为装配在吸附装置的吸附管道上，用以吸附晶圆，以便对其进行涂胶，其特征在于，所述吸附头配件具有吸附部；

2.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述吸附孔位于所述环状凸缘的中部；

3.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述凸起相对于所述吸附部此侧表面的高度不高于所述环状凸缘相对于所述吸附部此侧表面的高度。

4.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述环状凸缘的正投影图形的外轮廓包括圆形、凸多边形、椭圆形以及扇形。

5.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述吸附头配件还具有连接部；

6.根据权利要求5所述的吸附头配件，其特征在于，所述连接部的内部中空，其配置为套设于所述吸附管道的外周；

7.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述吸附部的材质为铝或者铝合金。

8.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述环状凸缘位于所述吸附部此侧表面的中部，并且所述吸附部的此侧表面的面积与所述环状凸缘的正投影图形的面积之比为2.5-3.5。

9.根据权利要求1所述的吸附头配件，其特征在于，所述吸附部为采用铣钻工艺加工制成。

10.一种吸附设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的吸附头配件。

技术总结本申请提供了一种吸附头配件以及一种吸附设备，本申请的吸附头配件具有吸附部；吸附部的一侧表面设置有吸附孔，吸附孔配置为与吸附管道连通；并且，吸附部此侧表面的环绕于吸附孔外周的部分朝外凸出、以形成环状凸缘；在吸附部此侧表面的位于环状凸缘内部设置有多个凸起；本申请可以实现吸附如整个晶圆或者一些裂片及不规则形状的晶圆，以便对其进行涂胶，并且保证不会出现漏胶，以及晶圆飞料的问题，或者对被吸附的晶圆进行其他光刻工序。技术研发人员：刘强,曾建武,王中山,刘胜宇受保护的技术使用者：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司技术研发日：20231030技术公布日：2024/7/11