量子点、用于制备量子点的方法和包括量子点的显示装置与流程

本公开涉及量子点、用于制备量子点的方法和包括量子点的显示装置。

背景技术：

1、正在开发用于比如电视机、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏控制台的多媒体装置的各种类型的显示装置。这种显示装置包括显示模块，显示模块包括所谓的自发光显示器元件，自发光显示器元件配置为通过使发光材料发光来进行显示。

2、这种显示装置可根据像素包括不同类型的光控制层以增强颜色再现性。光控制层可仅透射特定波长范围内的光源光或者转换光源光的波长范围。使用量子点作为发光材料的发光元件的开发已经在进行中，并且对于使用量子点的发光元件，需要增加发光效率和更好的高颜色特性。

3、应理解，背景技术部分旨在部分地提供用于理解该技术的有用背景。然而，该背景技术部分也可包括在本文中公开的主题的对应的有效申请日之前不被相关领域的技术人员已知或理解的一部分想法、概念或认知。

技术实现思路

1、本公开提供表现出高量子产率和优异稳定性的量子点。

2、本公开还提供用于制备表现出高量子产率和优异稳定性的量子点的方法。

3、本公开还提供包括量子点的显示装置，该量子点包括掺杂有第iiia族氧化物的壳，因此改善发光效率。

4、实施方式提供量子点，该量子点可包括：包括银、铟、镓和硫的核；以及围绕核并且包括第iii-vi族化合物的壳，其中壳可掺杂有第iiia族氧化物。

5、在实施方式中，第iii-vi族化合物可为gas。

6、在实施方式中，壳可包括围绕核的第一壳和围绕第一壳的第二壳；第一壳和第二壳可各自包括第iii-vi族化合物；并且第一壳和第二壳中的至少一个可掺杂有第iiia族氧化物。

7、在实施方式中，第二壳可掺杂有第iiia族氧化物。

8、在实施方式中，第一壳可包括gas，并且第二壳可包括gas和第iiia族氧化物。

9、在实施方式中，第iiia族氧化物可包括氧化铝。

10、在实施方式中，包括在量子点中的第iiia族氧化物的第iiia族元素的原子数与包括在量子点中的阴离子数之比可在约0.001至约0.25的范围内。

11、在实施方式中，壳可具有约0.01nm至约10nm范围内的厚度。

12、在实施方式中，第iiia族氧化物可设置在壳的表面上。

13、在实施方式中，量子点可具有约510nm至约540nm范围内的中心发射波长。

14、实施方式提供用于制备量子点的方法，该方法可包括提供包括银、铟、镓和硫的核；形成围绕核并且包括第iii-vi族化合物的第一壳；以及使第一壳的表面与第iiia族氧化物反应。

15、在实施方式中，第一壳的形成可包括使核与第iii族前体和第vi族前体反应。

16、在实施方式中，用于制备量子点的方法可进一步包括使第一壳的表面与第iii族前体和第vi族前体反应，其中使第一壳的表面与第iiia族氧化物反应的步骤与使第一壳的表面和第iii族前体和第vi族前体反应的步骤可在同一工艺中进行。

17、在实施方式中，第一壳的表面可与第iiia族氧化物、第iii族前体和第vi族前体反应，以形成围绕第一壳的第二壳。

18、在实施方式中，第iiia族氧化物可由式1或式2表示：

19、[式1]

20、m(or)3，

21、[式2]

22、m(or)3-n(sr')n。

23、在式1和式2中，m可为铝、铟或铊；r和r'可各自独立地为取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基；并且n可为选自0至3的整数。

24、在实施方式中，第iiia族氧化物可为异丙醇铝。

25、在实施方式中，用于制备量子点的方法可进一步包括：在使第一壳的表面与第iiia族氧化物反应的步骤之前，用第一溶剂对第一壳的表面进行表面处理。

26、实施方式提供显示装置，该显示装置可包括显示面板和设置在显示面板上并包括光控制单元的光转换层，其中多个光控制单元中的至少一个可包括量子点，该量子点包括：包括银、铟、镓和硫的核；以及围绕核并且包括第iii-vi族化合物的壳，其中壳可掺杂有第iiia族氧化物。

27、在实施方式中，显示面板可包括生成第一光的发光元件，并且光转换层可包括透射第一光的第一光控制单元、将第一光转换成第二光的第二光控制单元以及将第一光转换成第三光的第三光控制单元。

28、在实施方式中，壳可包括围绕核的第一壳和围绕第一壳的第二壳，第一壳和第二壳可各自包括第iii-vi族化合物，并且第一壳和第二壳中的至少一个可掺杂有第iiia族氧化物。

29、应理解，上述实施方式仅在一般性和解释性的意义上描述，而不是为了限制的目的，并且本公开不限于上述实施方式。

技术特征：

1.一种量子点，包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中所述第iii-vi族化合物为gas。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中

4.根据权利要求3所述的量子点，其中所述第二壳掺杂有所述第iiia族氧化物。

5.根据权利要求3所述的量子点，其中

6.根据权利要求1所述的量子点，其中所述第iiia族氧化物包括氧化铝。

7.根据权利要求1所述的量子点，其中包括在所述量子点中的所述第iiia族氧化物的第iiia族元素的原子数与包括在所述量子点中的阴离子数之比在0.001至0.25的范围内。

8.根据权利要求1所述的量子点，其中所述壳具有0.01nm至10nm范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的量子点，其中所述第iiia族氧化物设置在所述壳的表面上。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中所述量子点具有510nm至540nm范围内的中心发射波长。

11.一种用于制备量子点的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的用于制备量子点的方法，其中所述第一壳的所述形成包括使所述核与第iii族前体和第vi族前体反应。

13.根据权利要求11所述的用于制备量子点的方法，进一步包括：

14.根据权利要求13所述的用于制备量子点的方法，其中所述第一壳的所述表面与所述第iiia族氧化物、所述第iii族前体和所述第vi族前体反应，以形成围绕所述第一壳的第二壳。

15.根据权利要求11所述的用于制备量子点的方法，其中所述第iiia族氧化物由式1或式2表示：

16.根据权利要求11所述的用于制备量子点的方法，其中所述第iiia族氧化物为异丙醇铝。

17.根据权利要求11所述的用于制备量子点的方法，进一步包括：

18.一种显示装置，包括：

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中

技术总结本申请提供量子点、用于制备量子点的方法和包括量子点的显示装置。量子点包括：包括银、铟、镓和硫的核；以及围绕核并且包括第III‑VI族化合物的壳，其中壳掺杂有第IIIA族氧化物。技术研发人员：金成在,金泳植,朴昇元,尹必娜,李栋熙,郑濬赫受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27