一种防渗漏单晶炉的制作方法

本技术涉及单晶炉，尤其涉及一种防渗漏单晶炉。

背景技术：

1、单晶炉是一种用于制备单晶材料的设备，主要由炉体、加热器、温度控制系统、气氛保护系统等组成，其核心原理是利用炉内的加热器提供热能，使晶体或晶体粉末逐渐升温直至熔化，并通过控制温度和熔融区域的位置等参数，使熔融区域在晶体中移动并形成单晶。现有单晶炉中溶化晶体在移动过程中，由于温度较高容易造成通道变形的情况，进而导致熔化晶体渗漏的情况。因此本实用提出了一种防渗漏单晶炉，以解决上述背景技术中提到的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种防渗漏单晶炉。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种防渗漏单晶炉，包括炉体，所述炉体内部上侧设置有加热座，所述加热座下侧设置有位于炉体内的成型座，加热座与下侧成型座之间连接有移动通道，所述加热座内设置有加热环。

4、优选地，所述加热环固定在加热座内，且加热环呈环绕涡线状。

5、优选地，所述加热环上侧设置有固定于加热座内的固定片，固定片下侧固定有若干紧固柱。

6、优选地，所述紧固柱螺纹连接于固定片上，且若干紧固柱均匀分布于加热环两侧。

7、优选地，所述加热环由高温合金材料制成。

8、优选地，所述加热环上下均匀交错开设有若干开槽，且开槽表面光滑。

9、优选地，所述炉体上侧设置有炉盖，炉盖上设置有泄气阀。

10、相比现有技术，本实用新型的有益效果为：

11、1、本实用新型在防渗漏单晶炉内设置的涡状加热环能够在晶体表面形成强烈的涡流，使得晶体表面温度均匀分布，避免了因加热不均匀而导致的应力集中和晶体变形等问题，涡状加热环将电能转化为热能，能够高效传导热量到晶体表面，提高了加热效率，从而缩短了生长时间，降低了制备成本，涡状加热环可以根据晶体生长过程中的需要进行精确的温度控制，从而保证晶体的质量和生长速度；

12、2、本实用新型涡状加热环上均匀开设开槽能够提高加热效率，降低温度差异，并且增加了散热面积，避免了加热环过热而导致的损坏；

13、3、本实用新型设置在加热环上的固定片可以增加涡状加热环的刚度和强度，防止其在生长过程中产生变形或松动，同时，固定片还能够对加热线圈起到保护作用，避免因加热过度而损坏加热线圈，紧固柱则可以将固定片固定在加热环上，保证其稳定性和精度，固定片和紧固柱的设置还能够减小涡状加热环的电感，提高加热效率。

技术特征：

1.一种防渗漏单晶炉，包括炉体(1)，其特征在于，所述炉体(1)内部上侧设置有加热座(3)，所述加热座(3)下侧设置有位于炉体(1)内的成型座(5)，加热座(3)与下侧成型座(5)之间连接有移动通道(4)，所述加热座(3)内设置有加热环(6)。

2.根据权利要求1所述的防渗漏单晶炉，其特征在于，所述加热环(6)固定在加热座(3)内，且加热环(6)呈环绕涡线状。

3.根据权利要求1所述的防渗漏单晶炉，其特征在于，所述加热环(6)上侧设置有固定于加热座(3)内的固定片(7)，固定片(7)下侧固定有若干紧固柱(8)。

4.根据权利要求3所述的防渗漏单晶炉，其特征在于，所述紧固柱(8)螺纹连接于固定片(7)上，且若干紧固柱(8)均匀分布于加热环(6)两侧。

5.根据权利要求1所述的防渗漏单晶炉，其特征在于，所述加热环(6)由高温合金材料制成。

6.根据权利要求1所述的防渗漏单晶炉，其特征在于，所述加热环(6)上下均匀交错开设有若干开槽(9)，且开槽(9)表面光滑。

7.根据权利要求1所述的防渗漏单晶炉，其特征在于，所述炉体(1)上侧设置有炉盖(2)，炉盖(2)上设置有泄气阀。

技术总结本技术公开了一种防渗漏单晶炉，涉及单晶炉技术领域，包括炉体，所述炉体内部上侧设置有加热座，所述加热座下侧设置有位于炉体内的成型座，加热座与下侧成型座之间连接有移动通道，所述加热座内设置有加热环，加热环固定在加热座内，且加热环呈环绕涡线状。本技术在防渗漏单晶炉内设置的涡状加热环能够在晶体表面形成强烈的涡流，使得晶体表面温度均匀分布，避免了因加热不均匀而导致的应力集中和晶体变形等问题，涡状加热环将电能转化为热能，能够高效传导热量到晶体表面，提高了加热效率，从而缩短了生长时间，降低了制备成本，涡状加热环可以根据晶体生长过程中的需要进行精确的温度控制，从而保证晶体的质量和生长速度。技术研发人员：高典,汪书文,黄志豪受保护的技术使用者：嘉兴坤博新能源装备制造有限公司技术研发日：20230831技术公布日：2024/7/18