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一种半银半锡电镀液配方、制备方法、工艺及电镀设备与流程

  • 国知局
  • 2024-07-27 11:02:21

本发明涉及电镀,尤其涉及一种半银半锡电镀液配方、制备方法、工艺及电镀设备。

背景技术:

1、传统电镀对于镀锡或镀银产品均采用全镀,而随着时代的进步,现代各种电子设备的人工智能技术的飞速发展,这些设备的配件也随之需要更高的要求。

2、全镀锡的产品随着时间的流逝,镀件表面会长出锡须,锡须生长是在锡的表面按照锡的结晶形式生长的锡的可以导电的须状物,这种锡须的生长尤其是电镀锡比较明显,锡须一般可以长到几个毫米,对影响锡须生长的因素主要有:温度、湿度、热循环、应力、电场等温度循环对锡须的生长有很大的促进作用。生长的温度在50℃最快,在20~25℃也可以生长,但一般认为在150℃就会结束生长。可能引起稳定的短路、瞬态短路(锡须熔断)、电弧、多产生于物(主要发生在密闭的腔体内,例如继电器、混合集成电路等)、使元件脱落,使电子元件的电性能和机械性能下降,在高电压下,由于电流足够高而超过锡须所能承受的电流时(通常为30ma),可以熔断锡须从而导致瞬时短路;以及永久性短路(锡须生长到一定长度后,会使两个不同的导体短路)。在低电压、高阻抗电路中,由于电流比较小,不足以熔断开锡须,锡须可以在临近的不同电势表面产生稳定持久的短路。

3、对于全镀银的端子产品,后端多应用于继电器,控制装置中,当镀银端子与绝缘材料接触并在有电极电势的情况下,镀层的银会发生迁移,这种迁移会从端子的一段迁移到另一端,从而导致用电器短路,且银的导电性以及价值都比锡高,因此,为适应更多相关产品的质量要求,衍生出了对于端子产品的一半镀银一半镀锡中间露镍镀层的工艺。

4、在镀件上进行一半镀银一半镀锡,传统的方法是将镀件浸入镀液中,将一半镀件没入镀银(或镀锡)药水中,进行镀银(或镀锡),按正常工艺完成镀银(或锡)后,进行正常收料,将料带收完之后,送至镀锡机台(或镀银机台)上料区,将镀件的另一半浸入镀锡(或镀银)药水中;如此才能将一款产品实现一半镀锡一半镀银的产品要求。

5、传统半银锡工艺存在以下缺陷:1)资源浪费大,做一款产品,要开两台机才能做完成,对能耗以及人力浪费极大;2)容错率变高,一款产品经过一台机器时出现的问题若是5%,经过两台将会翻倍,这对同一款产品的损害是极大的。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种半银半锡电镀液配方、制备方法、工艺及电镀设备,本方案中,解决了锡区长锡须的问题和银区的银迁移的问题,降低了全镀银产品的成本;同时,本申请改善了半银锡的工艺,降低电镀行业的能耗,避免资源浪费。

2、为解决上述技术问题,本申请提供了一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述一种半银半锡电镀液配方的添加剂包括:

3、镀银镀液:

4、氰化钾:100g/l~140g/l;

5、氰化银:40g/l~60g/l;

6、镀锡镀液:

7、甲基磺酸:90g/l~150g/l;

8、甲基磺酸锡:35g/l~55g/l;

9、组合添加剂:30g/l~70g/l;

10、所述组合添加剂包括:光亮剂5~10ml/l、抗氧化剂8~15ml/l、辅助剂0.5~2.5ml/l。

11、优选地,所述镀银镀液的温度为20~35℃,银离子浓度采用原子吸收光谱仪进行分析。

12、优选地,所述镀锡镀液的温度为40~60℃,锡离子浓度采用原子吸收光谱仪进行分析。

13、优选地,所述光亮剂为苄叉丙酮或氯苯甲醛中的一种。

14、优选地,所述抗氧化剂为抗坏血酸。

15、优选地,所述辅助剂优选乙二胺四乙酸二钠盐。

16、为解决上述技术问题,本申请提供了一种半银半锡电镀液制备方法,其特征在于,利用权利要求1至6任一项所述的半银半锡电镀液配方进行制备,所述制备方法的步骤包括:

17、预镀银:氰化钾100g/l、银离子10g/l;

18、镀银:氰化钾100g/l、银离子分别取30g/l、35g/l、40g/l、45g/l、50g/l、55g/l;

19、将上述镀液配方在温度为25℃,搅拌速度为180rpm,电流为3a,时间为2min的条件下进行镀银操作;

20、镀锡:亚锡离子浓度取35g/l、40g/l、45g/l、50g/l、55g/l;

21、甲基磺酸150g/l、凝絮剂5ml/l、光亮剂5ml/l、抗氧化剂5ml/l、钝化剂10ml/l。

22、将上述镀液配方在温度为50℃,搅拌速度为200rpm,电流为3a,时间为2min的条件下进行镀锡操作。

23、为解决上述技术问题,本申请提供了一种半银半锡电镀工艺,通过所述的一种半银半锡电镀液配方制备的电镀液进行电镀,所述电镀工艺包括:

24、使用所述的一种半银半锡电镀液配方对线材端子产品进行电镀;

25、电流密度为8a/dm2~25a/dm2,阴极的移动速度为5~15m/min。

26、为解决上述技术问题,本申请提供了一种半银半锡电镀设备,通过所述的一种半银半锡电镀工艺进行电镀,所述半银半锡电镀设备包括前处理槽、酸活化槽、镀镍槽、预镀银槽、镀银槽、钝化槽、镀锡槽、后保护槽,将两台镀种机台整合为一个机台进行镀银和镀锡;镀件通过前处理槽、镀镍槽再到镀银槽和钝化槽,通过翻片制具将连续镀件进行了180°的翻转,将上半部分未镀的区域浸入后面的镀锡药水槽中,进行镀锡。

27、本发明的一种半银半锡电镀液配方、制备方法、工艺及电镀设备具有如下有益效果,本发明公开的一种半银半锡电镀液配方包括:镀银镀液:氰化钾:100g/l~140g/l;氰化银:40g/l~60g/l;镀锡镀液:甲基磺酸:90g/l~150g/l;甲基磺酸锡:35g/l~55g/l;组合添加剂:30g/l~70g/l;所述组合添加剂包括:光亮剂5~10ml/l、抗氧化剂8~15ml/l、辅助剂0.5~2.5ml/l。因此,本发明能够制备一种半银半锡电镀液,采用半银锡的工艺进行电镀,解决元件锡区生长锡须的问题及解决银区在绝缘材料中发生银迁移的问题,降低了全镀银产品的成本。

技术特征:

1.一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述一种半银半锡电镀液配方的添加剂包括:

2.根据权利要求1所述的一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述镀银镀液的温度为20~35℃,银离子浓度采用原子吸收光谱仪进行分析。

3.根据权利要求1所述的一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述镀锡镀液的温度为40~60℃,锡离子浓度采用原子吸收光谱仪进行分析。

4.根据权利要求1所述的一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述光亮剂为苄叉丙酮或氯苯甲醛中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述抗氧化剂为抗坏血酸。

6.根据权利要求1所述的一种半银半锡电镀液配方,其特征在于,所述辅助剂优选乙二胺四乙酸二钠盐。

7.一种半银半锡电镀液制备方法,其特征在于,利用权利要求1至6任一项所述的半银半锡电镀液配方进行制备,所述制备方法的步骤包括:

8.一种半银半锡电镀工艺,其特征在于,通过权利要求1至6任一项所述的一种半银半锡电镀液配方制备的电镀液进行电镀,所述电镀工艺包括:

9.一种半银半锡电镀设备,其特征在于,通过权利要求8所述的一种半银半锡电镀工艺进行电镀,所述半银半锡电镀设备包括前处理槽、酸活化槽、镀镍槽、预镀银槽、镀银槽、钝化槽、镀锡槽、后保护槽,将两台镀种机台整合为一个机台进行镀银和镀锡;镀件通过前处理槽、镀镍槽再到镀银槽和钝化槽,通过翻片制具将连续镀件进行了180°的翻转,将上半部分未镀的区域浸入后面的镀锡药水槽中,进行镀锡。

技术总结本发明公开了一种半银半锡电镀液配方、制备方法、工艺及电镀设备,一种半银半锡电镀液配方包括镀银镀液:氰化钾:100g/L~140g/L;氰化银:40g/L~60g/L;镀锡镀液:甲基磺酸:90g/L~150g/L;甲基磺酸锡:35g/L~55g/L;组合添加剂:30g/L~70g/L;所述组合添加剂包括:光亮剂5~10mL/L、抗氧化剂8~15mL/L、辅助剂0.5~2.5mL/L。本发明能够制备一种半银半锡电镀液,采用半银锡的工艺进行电镀,解决元件锡区生长锡须的问题及解决银区在绝缘材料中发生银迁移的问题,降低了全镀银产品的成本。技术研发人员:郑月强,李军鹏,帅艳峰,赵双琪,柳茂辉受保护的技术使用者:东莞奕创表面处理科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/4/17

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