一种硅片夹具的制作方法

本技术涉及电镀处理，尤其是指一种硅片夹具。

背景技术：

1、电镀处理是整个工艺流程的核心步骤，它将金属离子在电极上还原成为金属或合金，覆盖在硅片表面，形成金属镀层。电镀液中包含金属离子和其它化学物质，不同的电镀液可以镀不同的金属。电镀过程中，控制电位、电流密度、温度等参数，可使金属沉积在硅片表面形成均匀、致密的金属层。

2、目前，现有的硅片夹具在夹持硅片的过程中，在夹持的过程中，硅片会发生松动，影响硅片与夹具之间的导电性，从而影响镀膜效果，降低硅片质量。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种硅片夹具。

2、本实用新型所采用的技术方案如下：

3、一种硅片夹具，包括：

4、横梁组件，包括平行设置的第一横梁和第二横梁；

5、连接组件，包括两个与所述横梁组件垂直设置的第一连接杆，且两个所述第一连接杆相互平行；

6、至少一组夹持模块，每组所述夹持模块有两个分别安装于所述第一连接杆上的夹持单元；所述夹持单元包括活动夹和固定夹，所述活动夹和所述第一连接杆的第一表面弹性连接，所述固定夹和所述第一连接杆的第二表面固定连接。

7、在本实用新型的一个实施例中，所述夹持模块有多组，多组所述夹持模块均布在所述第一连接杆上。

8、在本实用新型的一个实施例中，所述活动夹远离所述第一连接杆的一侧与所述第一连接杆的第一表面的垂直距离形成间距。

9、在本实用新型的一个实施例中，所述第一横梁具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面设有安装块；

10、所以连接组件还包括至少一个第二连接杆，所述第二连接杆设置在两个所述第一连接杆之间，且所述第二连接杆的一侧固定于所述安装块，所述第二连接杆的另一侧固定于所述第二横梁；所述第二连接杆上设有夹持单元，所述活动夹和所述第二连接杆的第一表面弹性连接，所述固定夹和所述第二连接杆的第二表面固定连接。

11、在本实用新型的一个实施例中，所述第二连接杆的夹持单元和所述第一连接杆的夹持单元的数量和位置分别对应。

12、在本实用新型的一个实施例中，所述活动夹远离所述第二连接杆的一侧与所述第二连接杆的第一表面的垂直距离形成间距。

13、在本实用新型的一个实施例中，所述第二横梁上设有至少一个第一限位块。

14、在本实用新型的一个实施例中，所述第一限位块为圆柱销，或者，所述第一限位块为开设限位槽的限位块。

15、在本实用新型的一个实施例中，所述第一连接杆的内侧壁上设有至少一个第二限位块。

16、在本实用新型的一个实施例中，所述第二连接杆的内侧壁上设有至少一个第二限位块。

17、本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

18、本实用新型所述的硅片夹具通过设置至少一组夹持模块，可以保证夹持点位精准无偏差，可对待镀膜的硅片进行稳定夹持，减少硅片上的各个位置的导电差异，使硅片镀膜均匀性得到有效提升。

技术特征：

1.一种硅片夹具，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅片夹具，其特征在于，所述夹持模块有多组，多组所述夹持模块均布在所述第一连接杆(201)上。

3.根据权利要求1所述的硅片夹具，其特征在于，所述活动夹(301)远离所述第一连接杆(201)的一侧与所述第一连接杆(201)的第一表面的垂直距离形成间距。

4.根据权利要求1所述的硅片夹具，其特征在于，所述第一横梁(101)具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面设有安装块(103)；

5.根据权利要求4所述的硅片夹具，其特征在于，所述第二连接杆(202)的夹持单元(300)和所述第一连接杆(201)的夹持单元(300)的数量和位置分别对应。

6.根据权利要求4所述的硅片夹具，其特征在于，所述活动夹(301)远离所述第二连接杆(202)的一侧与所述第二连接杆(202)的第一表面的垂直距离形成间距。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的硅片夹具，其特征在于，所述第二横梁(102)上设有至少一个第一限位块(104)。

8.根据权利要求7所述的硅片夹具，其特征在于，所述第一限位块(104)为圆柱销，或者，所述第一限位块(104)为开设限位槽的限位块。

9.根据权利要求1-6中任意一项所述的硅片夹具，其特征在于，所述第一连接杆(201)的内侧壁上设有至少一个第二限位块(203)。

10.根据权利要求4-6中任意一项所述的硅片夹具，其特征在于，所述第二连接杆(202)的内侧壁上设有至少一个第二限位块(203)。

技术总结本技术涉及一种硅片夹具，包括：横梁组件，包括平行设置的第一横梁和第二横梁；连接组件，包括两个与横梁组件垂直设置的第一连接杆，且两个第一连接杆相互平行；至少一组夹持模块，每组夹持模块有两个分别安装于第一连接杆上的夹持单元；夹持单元包括活动夹和固定夹，活动夹和第一连接杆的第一表面弹性连接，固定夹和第一连接杆的第二表面固定连接。本技术提供的硅片夹具可对待镀膜的硅片进行稳定夹持，减少硅片上的各个位置的导电差异，使硅片镀膜均匀性得到有效提升。技术研发人员：戴军,罗银兵,刘勇受保护的技术使用者：罗博特科智能科技股份有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/6/18