盖器件或盖晶圆的制造方法、微机械封装的制造方法、封装器件的方法、盖晶圆、盖器件与流程

1.本发明涉及一种用于制造至少一个盖器件(kappenvorrichtung)或盖晶圆的制造方法、一种用于制造用于至少一个器件的微机械封装的方法以及一种用于封装至少一个器件的方法。本发明还涉及一种盖晶圆、一种盖器件、一种用于至少一个器件的微机械封装以及一种装置。背景技术：2.由现有技术已知，为了保护器件应进行封装。例如，de 10 2015 222 519 a1描述了一种微镜，该微镜被封装在具有光入射窗和光出射窗的镜壳体内。然而，de 10 2015 222 519 a1没有公开制造这种镜壳体的任何可能性。技术实现要素：3.本发明提出一种用于制造至少一个盖器件或盖晶圆的制造方法，该制造方法具有以下步骤：4.在第一衬底的第一衬底表面中如此形成至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，使得借助所述至少一个第一凹槽各形成一个由所述第一衬底的材料形成的、穿通的第一框架结构，所述穿通的第一框架结构分别包围一个构造在其内侧上的第一凹槽，并且所述穿通的第一框架结构被通到相应的第一凹槽中的至少一个第二凹槽穿通；5.通过第二衬底如此形成至少一个连续的凹部，使得借助所述至少一个连续的凹部各形成一个由所述第二衬底的材料形成的、封闭的第二框架结构，并且，在形成所述至少一个连续的凹部或形成至少一个封闭的第二框架结构之前，将所述第二衬底如此固定在所述至少一个穿通的第一框架结构的内侧上，使得所述至少一个第二凹槽在所述至少一个穿通的第一框架结构的所述内侧上被所述至少一个封闭的第二框架结构覆盖；6.在至少一个第一框架结构和所述至少一个第二框架结构上如此构造至少一个以后的盖器件的或以后的盖晶圆的至少一个部分外表面，使得所述至少一个第二凹槽作为通道穿通所述至少一个以后的盖器件或所述以后的盖晶圆的所述至少一个部分外表面。7.本发明提出一种用于制造用于至少一个器件的微机械封装的方法，该方法具有以下步骤：8.按照上述制造方法制造至少一个盖器件或盖晶圆；9.由第三衬底的材料如此形成至少一个载器件或载晶圆，使得所述至少一个载器件在其封闭的第二框架结构的背离其穿通的第一框架结构地指向的侧上能够分别固定在所对应的盖器件的固定面上，或者使得所述载晶圆在其封闭的第二框架结构的背离其穿通的第一框架结构地指向的侧上能够固定在所述盖晶圆的固定面上。10.本发明提出一种用于封装至少一个器件的方法，该方法具有以下步骤：11.按照用于制造用于至少一个器件的微机械封装的方法所述的方法制造微机械封装；12.将所述至少一个器件布置在所述微机械封装的至少一个载器件或载晶圆上；13.将所述至少一个载器件分别固定在所对应的盖器件的固定面上，或者将所述载晶圆固定在所述盖晶圆的固定面上。14.本发明提出一种盖晶圆，该盖晶圆具有：15.具有第一衬底表面的第一衬底，其中，在所述第一衬底的第一衬底表面中如此构造多个第一凹槽和多个第二凹槽，使得借助每个第一凹槽各形成一个由所述第一衬底的材料形成的、穿通的第一框架结构，所述穿通的第一框架结构分别各包围一个构造在其内侧上的第一凹槽，并且所述穿通的第一框架结构被通到相应的第一凹槽中的至少一个第二凹槽穿通；16.具有多个连续的凹部的第二衬底，使得借助每个连续的凹部各形成一个由所述第二衬底的材料构成的、封闭的第二框架结构，其中，所述封闭的第二框架结构如此固定在所述穿通的第一框架结构的内侧上，使得所述第二凹槽在所述穿通的第一框架结构的内侧上被所述封闭的第二框架结构覆盖；17.其中，所述第二凹槽分别作为通道穿通所述盖晶圆的至少一个部分外表面。18.本发明提出一种盖器件，该盖器件具有：19.穿通的第一框架结构，所述第一框架结构由第一衬底的材料形成，所述第一框架结构包围构造在所述第一框架结构的内侧上的第一凹槽，并且所述穿通的第一框架结构被构造在所述第一框架结构的内侧上且通到所述第一凹槽中的至少一个第二凹槽穿通；20.封闭的第二框架结构，所述第二框架结构由第二衬底的材料借助至少一个连续的凹部形成，并且所述第二框架结构如此固定在所述穿通的第一框架结构的内侧上，使得所述至少一个第二凹槽在所述穿通的第一框架结构的内侧上被所述封闭的第二框架结构覆盖；21.其中，所述至少一个第二凹槽作为通道穿通所述盖器件的至少一个部分外表面。22.本发明提出一种用于至少一个器件的微机械封装，该微机械封装具有：23.上述盖器件或上述盖晶圆；24.由第三衬底的材料制成的至少一个载器件或载晶圆，其中，所述至少一个载器件在其封闭的第二框架结构的背离其穿通的第一框架结构地指向的侧上能够分别固定在所对应的盖器件的固定面上，或者，所述载晶圆在其封闭的第二框架结构的背离其穿通的第一框架结构地指向的侧上能够固定在所述盖晶圆的固定面上。25.本发明还提出一种装置，该装置具有：26.上述微机械封装；27.布置在所述微机械封装的载器件上的至少一个器件；28.其中，所述载器件固定在所述微机械封装的盖器件的固定面上。29.本发明实现简单地封装多种不同类型的器件的可能性，多种不同类型的器件例如是微机械构件、光发射器件、光探测器件，化学传感器器件和/ 或物理传感器器件。如从以下描述中可以清楚地看出的那样，尤其可以将不同的器件分别封装到一个微机械封装中，即封装到借助mems技术制造的封装中。因此，通过使用本发明能够以节省空间且节省重量的方式实现对相应器件的封装。此外，可以借助能够简单地实施的制造方法来制造微机械封装的相应零件。附加地，能够以相对较小的尺寸和相对较低的重量制造微机械封装的零件。此外，在使用本发明时，不必担心在封装期间对分别所封装的至少一个器件造成损坏。30.在制造方法的一种有利的实施方式中，在构造至少一个以后的盖器件或以后的盖晶圆的至少一个部分面时，通过以下步骤构造至少一个以后的盖器件或以后的盖晶圆的至少一个窗附接面在第一衬底的背离第一衬底表面地指向的第二衬底表面中构造至少一个倾斜的锯切口或铣削切口(‑oder)，其中，该倾斜的锯切口或铣削切口构造在第一切口方向上，该第一切口方向具有相对于第一衬底的第二衬底表面成10°至80°之间的第一倾斜角；在构造至少一个倾斜的锯切口或铣削切口之前、期间或之后，在第一衬底的第二衬底表面中构造至少一个垂直的锯切口或铣削切口，其中，所述垂直的锯切口或铣削切口构造在第二切口方向上，该第二切口方向具有相对于第一衬底的第二衬底表面成 80°至90°之间的第二倾斜角。本文所述的锯切口和铣削切口可以容易地实施，由此能够在保持期望的准确度的情况下如此构造所述至少一个窗附接面，使得至少能够以简单的方式附接到所述至少一个窗附接面上。因此，本文所述的制造方法的实施方式也能够用于制造用于气密地封装的至少一个盖器件或盖晶圆。至少一个窗可以选择性地分别用作光入射窗和/或光出射窗。31.在用于制造用于至少一个器件的微机械封装的方法的一种有利的实施方式中，穿过至少一个载器件或载晶圆地结构化至少一个敷镀通孔。因此，能够可靠地实现以后的封装的至少一个器件的电接通。32.在装置的一种有利的实施方式中，所述至少一个器件是微机械构件、光发射器件、光探测器件、化学传感器器件和/或物理传感器器件。然而应指出，在此列举的可以使用本发明来封装的器件的类型不应解读为穷举。附图说明33.以下根据附图阐述本发明的其他特征和优点。附图示出：34.图1a至1h示出用于阐述用于制造至少一个盖器件或盖晶圆的制造方法的一种实施方式的示意图；35.图2a和2b示出用于阐述用于制造用于至少一个器件的微机械封装的方法的一种实施方式的示意图；36.图3a和3b示出用于阐述用于封装至少一个器件的方法的一种实施方式的示意图；37.图4示出装置的第一实施方式的示意图；38.图5示出装置的第二实施方式的示意图；39.图6示出装置的第三实施方式的示意图。具体实施方式40.图1a至1h示出用于阐述用于制造至少一个盖器件或盖晶圆的制造方法的一种实施方式的示意图。41.在此处描述的制造方法中，首先在第一衬底14的第一衬底表面14a中形成至少一个第一凹槽10和至少一个第二凹槽12。第一衬底14优选地是半导体衬底和/或金属衬底，优选地是硅衬底。至少一个第一凹槽10和至少一个第二凹槽12的形成可以借助至少一个蚀刻方法进行。优选地实施至少一个沟道(trench)方法，借助该方法能够在第一衬底14中构造(几乎) 垂直的蚀刻边沿，并且可以使凹槽10和12精确地适配于所期望的凹槽形状，以便形成至少一个第一凹槽10和至少一个第二凹槽12。42.至少一个第一凹槽10分别构造为具有第一最大深度t1，该第一最大深度小于第一衬底14的垂直于第一衬底表面14a定向的层厚度d。所述至少一个第一凹槽10以后用作空腔的“内部区域”。至少一个第二凹槽12也分别构造为具有第二最大深度t2，该第二最大深度小于第一衬底14的层厚度 d。所述至少一个第二凹槽12以后用作通道16，例如用作光入射通道和/或光出射通道和/或用作介质传输通道。因此，通常期望所述至少一个第二凹槽12的至少一个第二最大深度t2小于所述至少一个第一凹槽10的至少一个第一最大深度t1。这可以通过实施两阶段的蚀刻方法/沟道方法来实现。43.从图1a中可以看出，借助至少一个第一凹槽10分别形成/结构化出由第一衬底14的材料制成的穿通的第一框架结构18，针对该第一框架结构能够分别定义位于第一衬底14的第一衬底表面14a上的内侧18a，并且该第一框架结构包围分别构造在其内侧18a上的第一凹槽10。此外，所述至少一个第一框架结构18被通入到相应的第一凹槽10中的至少一个第二凹槽 12穿通。44.从图1a中还可以看出，借助上述方法步骤还能够相应地构造多个第一凹槽10和多个第二凹槽12。因此，在此描述的制造方法还可以实施为用于制造用于(同时)封装多个器件的盖晶圆，或者用于制造多个盖器件，所述多个盖器件被稍后沿着分割线20结构化出。45.在形成至少一个第一凹槽10和至少一个第二凹槽12之前或之后，可以选择性地将至少一个键合层或粘接层22沉积到第一衬底14的第一衬底表面14a的至少部分面上，尤其沉积到至少一个第一框架结构18的(以后的)内侧18a上。可以借助所述至少一个键合层或粘接层22将第二衬底24 固定在至少一个第一框架结构18的内侧18a上。在此处描述的制造方法的实施方式中，实施键合方法，以便将第二衬底24固定在至少一个穿通的第一框架结构18的内侧18a上。结果在图1b中示出。46.第二衬底24也可以是半导体衬底和/或金属衬底，特别是硅衬底。优选地实施封接玻璃键合方法(seal‑glass‑bondverfahren)、共晶键合方法(例如锗铝共晶键合方法)、slid键合方法(solid‑liquid‑interdiffusion‑bondung，固‑液互扩散键合)，特别是使用铜和锡，或者实施直接键合方法，例如使用二氧化硅。所有这些键合方法的优点在于它们实现也能够承受高温的、气密且稳健的键合连接26。此外，由于沟道方法以(几乎)相等的蚀刻速率蚀刻锗和硅，因此，包含锗的键合层22能够在构造凹槽10和12之前就已经被沉积在第一衬底14的第一衬底表面14a上，并且在构造凹槽10和12 时被一起开沟道。在这种情况下，不需要对包含锗的键合层22进行结构化。47.可选地，在将第二衬底24固定在至少一个穿通的第一框架结构18的内侧18a上之后，可以借助磨削方法或蚀刻方法降低第一衬底14和/或第二衬底24的层厚度。48.图1c示出通过第二衬底24形成至少一个连续的凹部28，其中，借助至少一个连续的凹部28由第二衬底24的材料各形成/结构化出封闭的一个第二框架结构30，但是至少一个穿通的第一框架结构18的内侧18a上的至少一个第二凹槽12/至少一个通道16保持被分别所对应的第二框架结构30 覆盖。此外，通过第二衬底24如此结构化所述至少一个连续的凹部28，使得其分别至少部分地“暴露”所对应的第一凹槽10。此外，至少一个连续的凹部28与分别所对应的第一凹槽10形成至少一个空腔32，其中，所述至少一个空腔32分别包括在其第一凹槽10位置处的“内部区域”和在其连续的凹部28位置处的“外部区域”。从图1c中还可以看出，至少一个连续凹部28的侧边缘形状可以对应于暴露出的第一凹槽10的侧边缘形状。49.为了形成至少一个连续的凹部30，可以实施蚀刻方法，优选沟道方法。如果需要，还可以借助蚀刻方法/沟道方法在第一衬底14中进一步加深至少一个第一凹槽10，而为此不需要附加掩模。在结构化至少一个连续的凹部 28之后，也可以借助磨削方法或借助蚀刻方法(进一步)降低第一衬底14 和/或第二衬底24的层厚度。50.在此处描述的实施方式中，在形成至少一个连续的凹部28之前，将第二衬底24固定在至少一个穿通的第一框架结构18的内侧18a上。然而替代地，可以首先通过第二衬底24结构化至少一个连续的凹部28，然后才将至少一个封闭的第二框架结构30如此固定在至少一个穿通的第一框架结构 18的内侧18a上，使得所述至少一个第二凹槽12/至少一个通道16在所述至少一个穿通的第一框架结构18的内侧18a上被分别所对应的第二框架结构30覆盖。51.可选地，在形成至少一个连续的凹部28之前或之后，还可以将至少一个另外的键合层或粘接层34沉积在(以后的)第二框架结构30的背离所述至少一个穿通的第一框架结构18地指向的外侧30a上。如果所述另外的键合层或粘接层34是包含铜的、例如以后用于铜锌slid键合方法的键合层34，则可以借助(未画出的)保护层、例如氮化硅层来覆盖所述另外的键合层或粘接层。52.在另一方法步骤中，将至少一个以后的盖器件或以后的盖晶圆的至少一个部分外表面36如此构造在至少一个第一框架结构18和至少一个第二框架结构30上，使得至少一个第二凹槽12/至少一个通道16穿通所述至少一个以后的盖器件或以后的盖晶圆的所述至少一个部分外表面36。在此处描述的实施方式中，在构造至少一个部分外表面36时，还构造所述至少一个以后的盖器件或以后的盖晶圆的至少一个窗附接面36。为此，首先在第一衬底14的背离第一衬底表面14a地指向的第二衬底表面14b中构造至少一个倾斜的锯切口或铣削切口38。此外，该倾斜的锯切口或铣削切口38构造在第一切口方向上，该第一切口方向具有相对于第一衬底14的第二衬底表面14b成10°至80°之间的第一倾斜角作为第一切口角。这应理解为，居中地延伸通过该倾斜的锯切口或铣削切口38的中间平面相对于第一衬底14 的第二衬底表面14b以10°至80°之间的第一倾斜角倾斜。倾斜的锯切口或铣削切口38可以构造为例如相对于第一衬底14的第二衬底表面14b具有在20°至70°之间的、特别是在30°至60°之间的第一倾斜角。结果在图1d 中示出。53.可以看出，借助该倾斜的锯切口或铣削切口38，所述至少一个窗附接面36成形为/构造为相对于第一衬底14的第二衬底表面14b以第一倾斜角倾斜。因此，稍后能够相对容易地将(对于期望光谱可透光的)窗固定在至少一个窗附接面36上。54.从图1e中可以看出，可以借助在第一衬底14的第二衬底表面14b中的至少一个垂直的锯切口或铣削切口42来去除与该倾斜的锯切口或铣削切口38相邻的可能被认为是干扰的材料突出40。垂直的锯切口或铣削切口 42构造在第二切口方向上，该第二切口方向具有相对于第一衬底14的第二衬底表面14b成80°至90°之间的第二倾斜角作为第二切口角。因此，居中地延伸通过垂直的锯切口或铣削切口42的中间平面相对于第一衬底14的第二衬底表面14b以80°和90°之间的第二倾斜角倾斜。垂直的锯切口或铣削切口42例如可以构造为相对于第一衬底14的第二衬底表面14b具有85°和90°之间的第二倾斜角、特别是88°和90°之间的第二倾斜角。优选地，倾斜的锯切口或铣削切口38和/或垂直的锯切口或铣削切口42伸展进入到第二衬底24中。倾斜的锯切口或铣削切口38和/或垂直的锯切口或铣削切口42的背离第一衬底14的第二衬底表面14b地指向的端部区域尤其可以通到彼此之中，由此将材料突出40与第一衬底14的至少一个剩余材料分离。55.在此还应指出，可选地可以在至少一个倾斜的锯切口或铣削切38的形成之前、同时或之后形成至少一个垂直的锯切口或铣削切口42。锯切口或铣削切口38和42可以相对快速地并且借助相对成本有利的锯切或铣削设备实现。能够在保持较高的切口角精度的情况下设定相对于第一衬底14的第二衬底表面14b的、作为切口角的两个不同倾斜角。56.图1e示出借助上述方法步骤所制造的盖晶圆44的一种实施方式。该盖晶圆44包括具有第一衬底表面14a的第一衬底14，其中，在第一衬底 14的第一衬底表面14a中如此构造多个第一凹槽10和多个第二凹槽12，使得借助每个第一凹槽10由第一衬底14的材料各形成一个穿通的第一框架结构18。每个第一框架结构18分别包围构造在其内侧18a上的第一凹槽 10。此外，每个第一框架结构18被通到相应的第一凹槽10中的至少一个第二凹槽12穿通，其中，每个第二凹槽12作为通道16穿通盖晶圆44的至少一个部分外表面36。盖晶圆44还包括具有多个连续凹部28的第二衬底24，其中，借助每个连续的凹部28由第二衬底24的材料各形成一个封闭的第二框架结构30。此外，第二框架结构30如此固定在穿通的第一框架结构18的内侧18a上，使得第二凹槽12作为通道16在穿通的第一框架结构18的内侧18a上被封闭的第二框架结构30覆盖。57.通过沿分割线20对盖晶圆44进行划分，还能够由盖晶圆44获得多个盖器件46。盖晶圆44的划分可以例如借助锯切方法、铣削方法或沟道方法来进行。以这种方式获得的每个盖器件46都具有穿通的第一框架结构18，该第一框架结构由第一衬底14的材料形成，并且该第一框架结构包围构造在其内侧18a上的第一凹槽10，并且该第一框架结构被构造在其内侧18a 上的、通到第一凹槽10中的至少一个第二凹槽12穿通。此外，至少一个第二凹槽12作为通道16穿通盖器件46的至少一个部分外表面36，例如该盖器件的窗附接面36。除了第一框架结构18之外，盖器件46还包括封闭的第二框架结构30，该第二框架结构借助至少一个连续的凹部28由第二衬底24的材料形成，并且该第二框架结构如此固定在穿通的第一框架结构18 的内侧18a上，使得至少一个第二凹槽12作为通道16在穿通的第一框架结构18的内侧18a上被第二框架结构30覆盖。58.作为制造方法的可选方法步骤，图1f示出以至少一个(对于期望光谱可透光的)窗48覆盖至少一个通道16。至少一个窗48可以以自校准的方式布置在相应的窗附接面36上。尤其可以借助至少一个键合框架或粘接框架50将至少一个通道16在相应的窗48的(以后)对准窗附接面36的表面上和/或在相应的窗附接面36上气密密封。优选地，首先将各一个由封接玻璃制成的键合框架50沉积在至少一个窗48的(以后)对准相应的窗附接面36的表面上，然后，在将至少一个窗48放置在相应的窗附接面36上之后，在高温下借助压力52将盖晶圆44/至少一个盖器件46压抵到卡盘 (chuck)54上(参见图1g)。因此，借助至少一个窗48能够相对快速地实施对至少一个通道16的覆盖/密封。可选地，也能够借助唯一的窗48以这种方式覆盖/密封多个通道16。59.作为另一可选的方法步骤，图1h示出将至少一个材料56喷镀到盖晶圆44/至少一个盖器件46上。以这种方式，例如能够在键合层或粘接层34 上形成锡层56，该锡层稍后用作盖晶圆44/至少一个盖器件46的至少一个固定面56a。但是，盖晶圆44/至少一个盖器件46的至少一个固定面56a由锡构成仅应被示例性性地解读。也可以使用封闭的第二框架结构30的外侧 30a或使用直接或间接地形成/沉积在外侧30a上的、由(几乎)任何材料制成的层作为盖晶圆44/至少一个盖器件46的固定面56a。60.图2a和2b示出用于阐述用于制造用于至少一个器件的微机械封装的方法的一种实施方式的示意图。61.为了实施在此描述的方法，根据以上阐述的制造方法制造至少一个盖器件46或盖晶圆44。在制造至少一个盖器件46或者说盖晶圆44之前、同时或之后，还由第三衬底64的材料形成至少一个承载器件60或承载晶圆 62。如此形成至少一个载器件60，使得至少一个载器件60在其封闭的第二框架结构30的背离其穿通的第一框架结构18地指向的侧上能够分别固定在所对应的盖器件46的固定面56a上。相应地，也如此形成载晶圆62，使得载晶圆62在其封闭的第二框架结构30的背离其穿通的第一框架结构18 地指向的侧上能够固定在盖晶圆44的固定面56a上，其中，通过沿着分割线66(在将载晶圆62固定在盖晶圆44上之前或之后)分离载晶圆62，能够从载晶圆62结构化出多个载器件60。62.在借助图2a和2b呈现的实施方式中，尤其穿过至少一个载器件60 或载晶圆62地形成至少一个敷镀通孔68。为此，穿过至少一个载器件60/ 载晶圆62地结构化/蚀刻至少一个通孔70。结果在图2a中示出。63.随后，在第三衬底64的衬底表面和至少一个通孔70的侧壁上形成隔离层72。隔离层72例如可以是二氧化硅层。如果第三衬底64由硅制成，则可以借助热氧化形成由二氧化硅制成的隔离层72。可选地，在此之后可以沉积至少一个扩散屏障(未示出)和/或至少一个种子层(未画出)。随后，如图2b所示，沉积并结构化至少一个导电材料74。所述至少一个导电材料74例如可以是至少一种金属，尤其是铜。因此，能够借助相对较小的工作开销来制造至少一个敷镀通孔68。64.图2b示出用于至少一个器件(未示出)的制造完成的微机械封装。该微机械封装具有至少一个盖器件46或盖晶圆44。此外，微机械封装包括由第三衬底64的材料制成的至少一个载器件60或载晶圆62，其中，至少一个载器件60在其封闭的第二框架结构30的背离其穿通的第一框架结构18 地指向的侧上能够分别固定在所对应的盖器件46的固定面56a上，或者说，载晶圆62在其封闭的第二框架结构30的背离其穿通的第一框架结构18地指向的侧上能够固定在盖晶圆44的固定面56a上。65.图3a和3b示出用于阐述用于封装至少一个器件的方法的一种实施方式的示意图。66.为了实施下面描述的方法，制造用于(待封装的)至少一个器件80的微机械封装，该微机械封装具有至少一个盖器件46或盖晶圆44并且具有至少一个载器件60或载晶圆。根据上述方法制造微机械封装。67.随后，将至少一个器件80布置在微机械封装的至少一个载器件60或载晶圆62上。在借助图3a和3b示意性呈现的实施方式中，例如分别借助至少一个焊料82将至少一个器件80固定在其所对应的载器件60上或固定在载晶圆62的与该至少一个器件对应的位置上。各个器件80尤其能够以这种方式与其所对应的至少一个敷镀通孔68电连接。结果在图3a中示出。68.图3b示出，将至少一个载器件60分别固定在所对应的盖器件46的固定面56a上，或者说将载晶圆62固定在盖晶圆44的固定面56a上。如此实现这一点：布置在至少一个载器件60/载晶圆62上的至少一个器件80被至少一个载器件60/载晶圆62和至少一个盖器件46/盖晶圆44包围。例如，可以借助键合方法来实施借助图3b所呈现的方法步骤。尤其可以实施铜‑ꢀ锡‑铜键合方法，为此可以使用上面已经描述的锡层56。由于铜‑锡‑铜键合方法在相对较低的温度下已经能够实施，并且能够实现持久且气密密封的连接，因此，即使是温度敏感型器件80也能够借助铜‑锡‑铜键合方法来气密地封闭。尤其可以在限定的气氛氛和限定的压力下实施借助图3b所呈现的方法步骤，由此能够在以这种方式密封的至少一个空腔32中设定期望的气氛和/或期望的内压，例如负压(unterdruck)。69.随后，通过沿分割线20和66划分由盖晶圆44和载晶圆62所形成的层结构，能够分割出经封装的器件80作为装置。70.上面描述的所有方法都能够以简单的方式如此实施，使得至少一个分别封装的器件80不被损坏。尤其使经封装的至少一个器件80既不暴露于高温负荷，也不暴露于高压或侵蚀性介质。在上述方法中还能够实现良好的校准精度。71.图4示出装置的第一实施方式的示意图。72.在图4中示意性示出的装置包括微机械封装，该微机械封装具有盖器件46、载器件60以及布置在载器件60上的至少一个器件80。载器件60 如此固定在盖器件46的固定面56a上，使得器件80被载器件60以及固定在该载器件上的盖器件46包围。73.借助在侧面从盖器件46引出的通道16，可靠地防止液体或污染物渗透到微机械封装的空腔32中。尽管如此，经封装的至少一个器件80能够如此已布置/被布置在载器件60上，使得由至少一个器件80发射的光束84 以平行于相应载器件52的表面地定向的发射方向通过通道16从空腔32中发射出。74.作为可选的扩展方案，微机械封装还借助固定在窗附接面36上的窗48 如此气密密封，使得期望的气氛和/或优选的内压、尤其例如负压能够在空腔32中占主导地位。75.图5示出装置的第二实施方式的示意图。76.作为上述实施方式的补充，在图5中示意性示出的装置还具有附接在盖器件46上的镜元件90。如从图5可以看出，可以借助附加的倾斜的锯切口或铣削切口并且借助附加的垂直的锯切口或铣削切口来构造盖器件46上的镜元件附接面92。77.关于图5的装置的其他特征，参照图4的前述实施方式。78.图6示出装置的第三实施方式的示意图。79.从图6可以看出，还能够借助一个盖器件46和一个载器件60封装多个光学器件80。关于图6的装置的其他特征，参照图4和图5的前述实施方式。80.上述所有装置都分别具有激光二极管80作为经封装的至少一个器件80。然而应指出的是，替代于激光二极管80，也能够封装其他类型的光发射器件和/或光探测器件作为至少一个器件80。同样地，至少一个器件80也可以是微机械构件、化学传感器器件和/或物理传感器器件。借助微机械封装能够有利地封装尤其具有至少一个可调节/可运动部件的微机械构件，例如加速度传感器和/或转速传感器。通过在微机械封装的空腔32中设置期望的压力，能够确定对可运动/可调节组件的有利的可调节性。但是，可选地，也可以省去相应的微机械封装的气密密封。81.所有上述微机械封装都能够在其尺寸方面、通道16的走向方面或对于各种不同器件80的应用方面以简单的方式进行匹配。