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导电结构及其制备方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:41:31

导电结构及其制备方法【技术领域】1.本发明涉及相机使用的导电结构,特别涉及一种利用mems技术制备的导电连接件及其组装成导电结构的方法。背景技术:2.导电结构被广泛应用于电子产品,通常包括静态构件和移动构件,其中移动构件可以相对于静态构件移动以提高产品的使用体验,移动构件和静态构件之间使用导电连接件实现电连接。3.现有技术中,导电结构使用传统方法制造,虽然具有成本效益,但当导电连接件的导线尺寸较小时容易产生干涉,可靠性不佳,并且不能满足更严格的公差要求。4.因此,有必要提供一种新的导电结构及其制备方法。技术实现要素:5.基于上述问题,本发明提出一种导电结构及其制备方法,具体地,本发明提出的方案如下:6.一种导电结构的制备方法包括以下步骤:制备框架,所述框架包括静态框架和移动板,所述移动板能够相对于所述静态框架移动;采用mems工艺制备导电连接件;组装所述导电连接件,所述导电连接件包括分别与所述静态框架及所述移动板耦接的端部以及连接于所述端部之间的导线。7.进一步地,所述采用mems工艺制备导电连接件包括:选择衬底;在所述衬底上制备所述导电连接件;去除所述衬底并转移所述导电连接件。8.进一步地,在所述衬底上制备所述导电连接件包括:在衬底上沉积牺牲层;在所述牺牲层上沉积绝缘介质层;在所述绝缘介质层上沉积种子层;在所述种子层上涂覆第一光刻胶层并图案化所述第一光刻胶层以露出部分所述种子层;溅射金属层;去除所述第一光刻胶层以及种子层;涂覆第二光刻胶层;图案化所述第二光刻胶层以露出部分所述绝缘介质层;以第二光刻胶层作为掩模刻蚀所述绝缘介质层;去除所述第二光刻胶层。9.进一步地,还包括将所述导电连接件贴附到转移胶带的步骤。10.进一步地,所述将所述导电连接件贴附到转移胶带包括剥离所述衬底及所述牺牲层的步骤。11.进一步地,所述图案化所述第一光刻胶层包括形成所述导电连接件端部的形成区域以及所述导线的形成区域。12.进一步地,还包括在所述端部形成焊盘的步骤。13.进一步地,所述衬底包括玻璃或者硅。14.进一步地,所述金属包括铜、铝或金。15.进一步地,所述绝缘介质层包括聚酰亚胺、干膜或者液晶聚合物。16.进一步地,所述组装所述导电连接件的步骤包括用粘合或者焊接的方式将所述导电连接件连接至所述框架。17.进一步地,本发明还公开了一种导电结构,所述导电结构采用前文记载的制备方法制作形成。18.本发明的有益效果:19.本发明利用传统工艺制备导电结构的静态框架及移动板,利用mems工艺制备导电连接件,并组装完成导电结构的制备,制造导线的mems工艺和制造框架的常规工艺相结合,既具有成本效益,又能在框架上制造更小尺寸的导线,可以匹配更高的公差要求,降低了导电结构的制作难度、成本,易于小型化及集成化。【附图说明】20.图1是本发明其中一实施例的导电结构的俯视结构示意图;21.图2是本发明其中一实施例的导电结构的静态框架与移动板组合的结构示意图;22.图3是本发明其中一实施例的导电结构的导电连接件的结构示意图;23.图4是本发明其中一实施例的导电结构的制备工艺流程示意图图;24.图5-17是本发明其中一实施例的导电连接件的制备工艺剖面示意图。【具体实施方式】25.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合具体实施方式对本发明做详细说明,使本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。26.如图1-3所示,本发明所涉及的导电结构100包括:静态框架1,移动板2,导电连接件3以及弹性支撑件30,其中移动板2嵌入所述静态框架中,移动板2能够相对于静态框架1移动;导电连接件3分别耦接于静态框架1及移动板2,实现静态框架1和移动板2之间的电信号的传输。弹性支撑件30能够在移动板2移动时提供足够的支撑和回复力。在其他可选的实施方式中,移动板2和静态框架1也可以使用其他排布方式以适应不同产品的需求,相应地,移动板2相对于静态框架1的移动方式包括位移、旋转等。27.如图3所示,导电连接件3包括用于与静态框架1或者移动板2耦接的端部301,连接于俩端部301之间的导线302;端部301的表面还包括多个焊盘303。导线302具有一定的硬度和弹性,可以支撑自身于静态框架1和移动板2之间,且多根导线之间保证相互不干涉。28.静态框架1及移动板2的制作可采用现有成熟技术制备,本实施例不赘述。29.如图4,本发明其中一实施例提出的一种导电结构100的制备方法,包括:30.s1、制备框架,所述框架包括静态框架1和移动板2;框架为金属材质,可以是不锈钢、铜等。31.所述移动板2能够相对于所述静态框架1移动;32.s2、采用mems工艺制备导电连接件;33.s3、组装所述导电连接件;34.所述导电连接件3包括分别与所述静态框架1及所述移动板2耦接的端部301以及连接于所述端部之间的导线302。35.本发明主要采用mems工艺制备导电连接件;通过组装导电连接件3与静态框架1及移动板2的方式实现导电结构100的制备。36.如图5-17所示,具体的导电连接件的制备工艺如下:37.选择衬底4,该衬底4例如是半导体领域常用的硅或者玻璃。38.在衬底上制备导电连接件3,该导电连接件3包括端部301及连接于端部的弹簧302,其中端部具有至少底层绝缘层及绝缘层之上的金属层。39.金属层具有导电功能,可以选用金、铝、铜或其它形状记忆合金。40.如图5所示,在衬底4上沉积牺牲层5,牺牲层5可以是氧化物或聚合物,主要用于临时结合以及后续去除衬底4。41.如图6所示,在所述牺牲层5上沉积绝缘介质层6;绝缘介质层6例如为聚酰亚胺、干膜或者液晶聚合物,但本发明不局限于此,其它可适用的绝缘介质材料都可以。42.如图7所示,在所述绝缘介质层6上沉积种子层7;该种子层作为后续沉积金属层的基础,可以选择铜,在其他可选的实施方式中,也可以是铝或者金。43.如图8所示,在种子层7上涂覆第一光刻胶层8,图案化该第一光刻胶层8以形成露出部分种子层的第一沉积部9,如图9所示。在该步骤中,第一沉积部9作为形成所述导电连接件的形成区域。44.如图10所示,溅射金属层;金属层填充满第一沉积部9形成导电部10,可以采用研磨或者cmp工艺平坦化金属层及第一光刻胶层的表面。从截面看,第一沉积部9是矩形,但不限于该形状,可以是其它适用形状。45.如图11-12所示,去除所述第一光刻胶层8以及种子层7。46.如图13-14所示,涂覆第二光刻胶层11;与第一光刻胶的形成一样,可以采用旋转涂覆的方式形成第二光刻胶层;图案化所述第二光刻胶层,具体地,保留导电部10上方及周围的第二光刻胶层,露出部分位于导电部10之间的绝缘介质层6,形成蚀刻部12;继续蚀刻所露出的绝缘介质层截止于牺牲层5,形成绝缘部14。47.如图15所示,去除所述第二光刻胶层11。48.如图16-17所示,去除所述衬底4及所述牺牲层5,具体地,例如可以采用转移胶带13粘附导电部10,腐蚀去除牺牲层或者剥离去除牺牲层及衬底,从而把获得的包括导电部10和绝缘部14的导电连接件3转移到转移胶带13上。从截面图上看,绝缘部14的横截面积大于导电部10的横截面积,并且绝缘部14延伸至导电部10的两侧,可以避免相邻导电部10之间相互干涉。可选地,从导线302的剖面看,绝缘部14以导电部10为轴对称设置,质量分布均匀,导线的稳定性更好。49.将导电连接件3与静态框架1及移动板2进行组装,获得导电结构100。组装方式可以是胶粘或者焊接。50.可选地,还包括在所述端部301形成焊盘303的步骤。焊盘用于电连接,实现信号传输。51.本发明利用传统工艺制备导电结构的静态框架及移动板,利用mems工艺制备导电连接件,组装后完成导电结构的制备,制造导线的mems工艺和制造框架的常规工艺相结合,既具有成本效益,又能在框架上制造更小尺寸的导线,可以匹配更高的公差要求,降低了导电结构的制作难度、成本,易于小型化及集成化。52.进一步地,本发明公开的导电结构用途广泛,普遍适用于可移动件和固定件之间的信号传输,作为一个例子,适用于镜头模组。具体地,将镜头固定于移动板,感光器件与静态框架连接,导电连接件实现移动板和静态框架的电连接,可以将镜头的坐标信号、抖动频率等传输给信号接收单元,反向的,也可以将用于防抖的驱动信号传输给驱动镜头的驱动单元,从而实现镜头模组的图像稳定功能。53.以上所述的仅是本发明的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本发明的保护范围。

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