一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法

一种基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法技术领域1.本发明涉及微机电系统(mems)和微惯性测量仪表技术领域，具体涉及到一种基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法。背景技术：2.纳g级超高分辨率惯性仪器(包括加速度计、重力计、地震计等)是地球物理、航天航空、外太空探测等领域必不可少的核心传感器之一，该类仪器具备探测超微小振动、加速度、重力变化、位移等物理量的能力，可以用来勘测地球重力分布、监测地震、探索外星球(如火星)重力场等，是一类融合精密加工技术与先进探测方法的超精密仪器。为了获得极低的机械热噪声，传统的重力计、地震计、加速度计等通常由质量较大的金属“悬臂梁-质量块”结构实现，因而带来体积大、重量重、造价高、不便于携带和移动测量等缺点，而随着现代化测量和航空航天对传感器的体积、成本、可批量制造性要求越来越高，该类传感器的微型化技术是一个待解决重要课题。3.mems是在集成电路(ic)制造技术基础上发展而来的用于各类传感器制造的一类专用技术，目前已有许多的惯性传感器在此基础上发展起来。但是现有的mems加速度传感器多用与消费级产品之中，其加速度测量精度最高只有微g级别，同时受限于检测质量块微型化所带来的机械热噪声在量级上的提升，无论通过何种手法优化检测电路，现有的加速度计敏感结构都难以进行纳g级高分辨率的测量，因此，设计一种可兼容mems工艺的超低频、超低机械热噪声的敏感结构，是突破现有超高分辨率惯性仪器仪表体积限制的最核心问题之一。4.目前国外已有研制成功并应用于美国nasa火星探测计划的微型mems地震计实例，该地震计使用的是一种水平敏感结构，且检测方式为传统的电容检测方式，而超低频的且通过mems工艺实现的垂直轴敏感结构在无论在国内还是国外都还没有研制成功的实例。技术实现要素：5.针对目前超高精度惯性仪器微型化技术难题，本发明公开了一种基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及其制造方法，机械灵敏度极高，具有检测超微小加速度、位移、重力变化的能力，兼容mems微加工工艺，交叉串扰极低，适用于微型化的超高精度加速度计、地震计、重力计等惯性仪器中。6.一种基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构，包括顶层mems单片、中层结构和底层mems单片；顶层mems单片的表面镀有磁性薄膜；中层结构包括附加锚点和附加质量；底层mems单片的表面镀有金属薄膜；其中顶层mems单片、中层结构和底层mems单片，从上到下布置形成一个完整的超低频垂直轴硅微敏感结构；顶层mems单片与底层mems单片的镀膜材料不同，其余构造相同顶层mems单片与底层mems单片方向相反布置，顶层mems单片(1)的弹性梁朝向整体结构的上表面，底层mems单片的弹性梁朝向整体结构的下表面，形成上、下完全对称的三维结构。7.顶、底层mems单片使用soi晶圆的器件层来制作弹性梁，可以保证弹性梁厚度的准确性和均匀性，将、内外两层厚度为微米量级的弹性梁串联使用，可以保证足够低的机械刚度；百微米量级厚的第一、二质量块模块加上中层附加质量进一步保证了复合敏感结构具有足够大的质量，使得其谐振频率底至10hz左右，同时大质量敏感结构具有超低的机械热噪声，使其具备敏感超微小加速度、位移或者重力变化的能力；顶、底层mems单片在垂直方向并非对称结构，第一、二质量块模块在水平轴加速度干扰下容易发生偏转，而将顶、底层mems单片按相反方向微组装起来，形成的整体结构不仅上下完全对称，其三维弹性梁构造可将结构的二阶谐振频率分隔至100hz以上，有效保证了敏感结构仅在垂直轴，即“z”轴具有超高的灵敏度，而水平轴的加速度，即“x”或“y”轴的加速度所引起的质量块的翻转和平移仅为微米级，可忽略不计，使得该结构具有优异的交叉轴稳定性。8.本发明进一步改进在于：顶层mems单片由第一质量块模块、第一锚点、第一外层弹性梁模块、第一连接框架、第一内层弹性梁模块构成，第一质量块模块由其外侧的第一内层弹性梁模块支撑于第一连接框架之上，第一连接框架通过第一外层弹性梁模块支撑于第一锚点之上；其中第一质量块模块由磁性薄膜、第一氧化层以及第一soi晶圆的顶硅层、第一埋氧层、第一底硅层构成，磁性薄膜的厚度为0.5～1微米，第一氧化层的厚度为0.5～1微米，第一质量块模块的总厚度为400～500微米；第一锚点由第一soi晶圆的顶硅层、第一埋氧层、第一底硅层构成115构成，总厚度等于第一质量块模块的厚度；第一外层弹性梁模块和第一内层弹性梁模块、均由第一soi晶圆的顶硅层构成，厚度小于第一质量块模块，为微米量级；第一连接框架由第一soi晶圆的顶硅层、第一埋氧层、第一底硅层构成，总厚度等于第一质量块模块的厚度。9.底层mems单片由第二质量块模块、第二锚点、第二外层弹性梁模块、第二连接框架、第二内层弹性梁模块构成，第二质量块模块由其外侧的第二内层弹性梁模块支撑于第二连接框架之上，第二连接框架通过第二外层弹性梁模块支撑于第二锚点之上；10.其中第二质量块模块由金属薄膜、第二氧化层以及第二soi晶圆的顶硅层、第二埋氧层、第二底硅层构成，金属薄膜厚度为100～200纳米，第二氧化层厚度为0.5～1微米，第二质量块模块总厚度为400～500微米；第二锚点由第二soi晶圆的顶硅层、第二埋氧层、第二底硅层构成，总厚度等于第二质量块模块的厚度；第二外层弹性梁模块和第二内层弹性梁模块均由第二soi晶圆的顶硅层构成，厚度小于第二质量块模块的厚度，为微米量级；第二连接框架由第二soi晶圆的顶硅层、第二埋氧层、第二底硅层构成，总厚度等于第二质量块模块；11.附加锚点和附加质量都由纯硅组成；附加锚点的宽度与顶、底层mems单片结构中的第一、二锚点的宽度相同，附加质量的宽度小于顶、底层mems单片结构中第一、二中质量块模块的宽度，厚度根据目标频率的不同，可为第一、二质量块模块厚度的1～3倍。12.本发明进一步改进在于：第一质量块模块为正四边形，位于结构正中心；磁性薄膜为正四边形位于第一氧化层的正中心，边长小于第一氧化层，其中第一质量块模块通过第一内层弹性梁支撑于第一连接框架之上，形成第一层弹性体结构，其中所述第一内层弹性梁呈h型；13.第一连接框架内部结构作为整体，第一外层弹性梁模块支撑于第一锚点之上，形成第二层弹性体结构，其中第一外层弹性梁长于第一内层弹性梁，第二层弹性体结构具有更强的弹性；弹性梁厚度仅有微米量级，自身具有超强的柔性，使用内、外两层弹性梁串联悬挂质量块，可有效降低单片mems支撑刚度，将谐振频率降低至25hz以下；第一锚点具有四个圆形安装孔径，用于将结构安装于外部支架之上；其中第一连接框架为环形连接框架；第一锚点为环形锚点。14.本发明进一步改进在于：第一质量块模块边长为5～7毫米，磁性薄膜边长为比第一质量块模块的边长小500微米，磁性薄膜位于第一质量块模块的中心位置，磁性薄膜与第一质量块的边缘距离为250微米；第一、二、三、四内层弹性梁的总长度与第一质量块模块的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将第一质量块模块的上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第一连接框架的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第一连接框架的宽度为百微米量级，外边长为6～8毫米；第一、二、三、四外层弹性梁的总长度与第一连接框架的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将第一连接框架的外上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第一锚点的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第一锚点的宽度为2～3毫米，外边长为10～15毫米，第一、二、三、四圆形安装孔径直径为1毫米，匹配国标m1螺丝，分别位于第一锚点的左上、左下、右下、右上角，圆心距离第一锚点四侧的外边缘相同，都为毫米量级。15.本发明进一步优选，在中层结构中，正方形附加质量位于附加锚点内部的中心位置，附加锚点具有四个圆形安装孔径，用于将结构安装于外部支架之上；附加质量边长小于第一、二质量块模块，边长为4.5～6.5毫米，距离附加锚点内侧面距离为1～2毫米；附加锚点宽度为2～3毫米，外边长为10～15毫米，第五、六、七、八圆形安装孔径的直径为1毫米，分别位于附加锚点的左上、左下、右下、右上角，圆心距离附加锚点四侧的外边缘相同，都为毫米量级；其中附加锚点为环形附加锚点。16.本发明进一步改进在于：底层mems单片中，第二质量块模块为正四边形，位于结构正中心，金属薄膜呈正四边形并位于第二氧化层的正中心，边长小于第二氧化层的边长；第二质量块模块通过第二内层弹性梁支撑于第二连接框架之上，形成第三层弹性体结构，第二连接框架的内部结构作为整体，再通第二外层弹性梁支撑于第二锚点之上，形成第四层弹性体结构，其中第二外层弹性梁长于第二内层弹性梁；第二锚点具有四个圆形安装孔径，用于将结构安装于外部支架之上；其中第二连接框架为环形连接框架；第二外层弹性梁和第二内层弹性梁均未h型结构；第二锚点为环形锚点。17.本发明进一步改进在于：第二质量块模块的边长为5～7毫米之间，金属薄膜的边长为比第二质量块模块的边长小500微米，金属薄膜位于第二质量块模块的中心位置，金属薄膜与第二质量块模块边缘距离为250微米；第五、六、七、八内层弹性梁总长度与第二质量块模块的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将第二质量块模块的上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第二连接框架的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第二连接框架的宽度为百微米量级，外边长为6～8毫米；第五、六、七、八外层弹性梁总长度与第二连接框架的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将连第二接框架的外上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第二锚点的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第二锚点的宽度为2～3毫米，外边长为10～15毫米，第五、六、七、八圆形安装孔径直径为1毫米，匹配国标m1螺丝，分别位于第二锚点的左上、左下、右下、右上角，圆心距离第二锚点四侧的外边缘相同，都为毫米量级。18.本发明进一步改进在于：顶层mems单片和底层mems单片中的弹性梁结构为h型或环形或z型或u型或s型弹性梁结构，以实现相同的谐振频率和机械灵敏度；其制造方式与“h型”弹性梁结构相同。19.基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构的制造方法，包含以下步骤：20.a)在soi晶圆顶层硅表面通过化学气相沉积法(pecvd)镀上0.5～1微米厚的氧化层，以增强弹性梁支撑刚度，防止其在加工过程中的断裂；21.b)在氧化层表面通过磁控溅射工艺镀上厚度为0.5～1微米磁性薄膜(用于顶层)或者厚度为100～200纳米金属薄膜(用于底层)；22.c)在氧化层表面通过原子层刻蚀工艺打开氧化层窗口，再通过icp工艺刻蚀弹性梁结构；23.d)通过icp工艺将底层硅深刻蚀至埋氧层，制作出质量块以及连接框架结构；24.e)通过8:1的缓冲氧化物刻蚀液(boe)溶液湿法腐蚀氧化层和埋氧层，释放出质量块；25.f)减薄、抛光用于制作附加锚点和附加质量的硅晶圆至目标厚度；26.g)通过激光切割制作出附加锚点和附加质量；27.h)将附加锚点和附加质量微组装于底层结构之上；28.i)将顶层结构微组装于附加锚点和附加质量之上。29.本发明的有益效果：30.(1)本发明使用两层串联的微米级弹性梁作为支撑结构，使用百微米级硅层作为单片质量块结构，两者之间极大的厚度差有效地提升了单片mems敏感结构的机械灵敏度，可将其谐振频率降低至25hz以下；31.(2)本发明将两层单片mems敏感结构与一层附加质量微组装在一起，形成一个具有三维弹性梁构造的超高灵敏度敏感结构，不仅可将其谐振频率进一步降低至10hz级别，满足超高精度地震计、重力计等仪器的需求，同时可以将一阶、二阶模态频率分隔至100hz以上，使其具有超低的交叉轴串扰，稳定性极大增强；32.(3)本发明所提出的超高灵敏度敏感结构可通过常见的soi晶圆和硅晶圆等材料制成，工艺也为微加工中常见的工艺，工艺兼容度高，可批量制造性强；33.(4)本发明所提出的超高灵敏度敏感结构上表面镀有磁性薄膜，可用于惯性仪器中制作电磁力反馈系统，来增加仪器的动态范围和长期稳定性；下表面镀有金属薄膜，不仅可在光学检测方法用作光学反射平面，也可在电容检测方法中作为检测电极，可适用于光、电等不同类型的超高精度惯性仪器中。附图说明34.图1为本发明的整体正向剖视图。35.图2为本发明三层结构的俯视图或仰视图，其中(a)为顶层结构的仰视图，(b)、(c)分别为中层、底层结构的俯视图。36.图3为本发明顶层、底层结构的衍生结构，其中(a)、(b)、(c)、(d)分别为“环形”、“z型”、“u型”、“s型”弹性梁结构。37.图4为本发明的制造流程图。具体实施方式38.下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。39.如图1所示，本实施例的一种基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构，包括顶层mems单片1、中层结构2和底层mems单片3；顶层mems单片1的表面镀有磁性薄膜；中层结构2包括附加锚点22和附加质量21；底层mems单片3的表面镀有金属薄膜；其中顶层mems单片1、中层结构2和底层mems单片3，从上到下布置形成一个完整的超低频垂直轴硅微敏感结构；顶层mems单片1与底层mems单片3的镀膜材料不同，其余构造相同顶层mems单片1与底层mems单片3方向相反布置，顶层mems单片1的弹性梁朝向整体结构的上表面，底层mems单片3的弹性梁朝向整体结构的下表面，形成上、下完全对称的三维结构。40.其中顶层mems单片1由第一质量块模块11、第一锚点12、第一外层弹性梁模块13、第一连接框架14、第一内层弹性梁模块15构成，第一质量块模块11由其外侧的第一内层弹性梁模块15支撑于第一连接框架14之上，第一连接框架14通过第一外层弹性梁模块13支撑于第一锚点12之上；其中第一质量块模块11由磁性薄膜111、第一氧化层112以及第一soi(silicon-on-insulator)晶圆的顶硅层113、第一埋氧层114、第一底硅层115构成，磁性薄膜111的厚度为0.5～1微米，第一氧化层112的厚度为0.5～1微米，第一质量块模块11的总厚度为400～500微米；第一锚点12由第一soi晶圆的顶硅层113、第一埋氧层114、第一底硅层构成115构成，总厚度等于第一质量块模块11的厚度；第一外层弹性梁模块13和第一内层弹性梁模块15均由第一soi晶圆的顶硅层113构成，厚度小于第一质量块模块11，为微米量级；第一连接框架14由第一soi晶圆的顶硅层113、第一埋氧层114、第一底硅层构成115构成，总厚度等于第一质量块模块11的厚度。41.底层mems单片3由第二质量块模块31、第二锚点32、第二外层弹性梁模块33、第二连接框架34、第二内层弹性梁模块35构成，第二质量块模块31由其外侧的第二内层弹性梁模块35支撑于第二连接框架34之上，第二连接框架34通过第二外层弹性梁模块33支撑于第二锚点32之上；42.其中第二质量块模块31由金属薄膜311、第二氧化层312以及第二soi晶圆的顶硅层313、第二埋氧层314、第二底硅层315构成，金属薄膜311厚度为100～200纳米，第二氧化层312厚度为0.5～1微米，第二质量块模块31总厚度为400～500微米；第二锚点32由第二soi晶圆的顶硅层313、第二埋氧层314、第二底硅层构成315构成，总厚度等于第二质量块模块31的厚度；第二外层弹性梁模块33和第二内层弹性梁模块35均由第二soi晶圆的顶硅层313构成，厚度小于第二质量块模块31的厚度，为微米量级；第二连接框架34由第二soi晶圆的顶硅层313、第二埋氧层314、第二底硅层构成315构成，总厚度等于第二质量块模块31；43.附加锚点22和附加质量21都由纯硅组成；附加锚点22的宽度与顶、底层mems单片1、3结构中的第一、二锚点12、32的宽度相同，附加质量21的宽度小于顶、底层mems单片1、3结构中第一、二中质量块模块11、31的宽度，厚度根据目标频率的不同，可为第一、二质量块模块11、31厚度的1～3倍。44.顶层、底层mems单片使用soi晶圆的器件层来制作弹性梁，可以保证弹性梁厚度的准确性和均匀性，将、内外两层厚度为微米量级的弹性梁串联使用，可以保证足够低的机械刚度；百微米量级厚的第一、二质量块模块11、31加上中层附加质量21进一步保证了复合敏感结构具有足够大的质量，使得其谐振频率低至10hz左右，同时大质量敏感结构具有超低的机械热噪声，使其具备敏感超微小加速度、位移或者重力变化的能力；顶、底层mems单片1、3在垂直方向并非对称结构，第一、二质量块模块11、31在水平轴加速度干扰下容易发生偏转，而将顶、底层mems单片1、3按相反方向微组装起来，形成的整体结构不仅上下完全对称，其三维弹性梁构造可将结构的二阶谐振频率分隔至100hz以上，有效保证了敏感结构仅在垂直轴，即“z”轴具有超高的灵敏度，而水平轴的加速度，即“x”或“y”轴的加速度所引起的质量块的翻转和平移仅为微米级，可忽略不计，使得该结构具有优异的交叉轴稳定性。45.如图2a所示，第一质量块模块11为正四边形，位于结构正中心；磁性薄膜111为正四边形位于第一氧化层112的正中心，边长小于第一氧化层112，其中第一质量块模块11通过第一内层弹性梁15支撑于第一连接框架14之上，形成第一层弹性体结构，其中所述第一内层弹性梁15呈h型；46.第一连接框架14内部结构作为整体，第一外层弹性梁模块13支撑于第一锚点12之上，形成第二层弹性体结构，其中第一外层弹性梁13长于第一内层弹性梁15，第二层弹性体结构具有更强的弹性；弹性梁厚度仅有微米量级，自身具有超强的柔性，使用内、外两层弹性梁串联悬挂质量块，可有效降低单片mems支撑刚度，将谐振频率降低至25hz以下；第一锚点12具有四个圆形安装孔径，用于将结构安装于外部支架之上；其中第一连接框架14为环形连接框架；第一锚点12为环形锚点。47.第一质量块模块11边长为5～7毫米，磁性薄膜111边长为比第一质量块模块11的边长小500微米，磁性薄膜111位于第一质量块模块11的中心位置，磁性薄膜111与第一质量块11的边缘距离为250微米；第一、二、三、四内层弹性梁15a、15b、15c、15d的总长度与第一质量块模块11的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将第一质量块模块11的上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第一连接框架14的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第一连接框架14的宽度为百微米量级，外边长为6～8毫米；第一、二、三、四外层弹性梁13a、13b、13c、13d的总长度与第一连接框架14的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将第一连接框架14的外上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第一锚点12的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第一锚点12的宽度为2～3毫米，外边长为10～15毫米，第一、二、三、四圆形安装孔径16a、16b、16c、16d直径为1毫米，匹配国标m1螺丝，分别位于第一锚点12的左上、左下、右下、右上角，圆心距离第一锚点12四侧的外边缘相同，都为毫米量级。48.在中层结构2中，正方形附加质量21位于附加锚点22内部的中心位置，附加锚点22具有四个圆形安装孔径，用于将结构安装于外部支架之上；49.进一步从图2b 2c所示，附加质量21边长小于第一、二质量块模块11，31，边长为4.5～6.5毫米，距离附加锚点22内侧面距离为1～2毫米；附加锚点22宽度为2～3毫米，外边长为10～15毫米，第五、六、七、八圆形安装孔径23a、23b、23c、23d的直径为1毫米，分别位于附加锚点22的左上、左下、右下、右上角，圆心距离附加锚点22四侧的外边缘相同，都为毫米量级；其中附加锚点22为环形附加锚点。50.底层mems单片3中，第二质量块模块31为正四边形，位于结构正中心，金属薄膜311呈正四边形并位于第二氧化层312的正中心，边长小于第二氧化层312的边长；第二质量块模块31通过第二内层弹性梁35支撑于第二连接框架34之上，形成第三层弹性体结构，第二连接框架34的内部结构作为整体，再通第二外层弹性梁33支撑于第二锚点32之上，形成第四层弹性体结构，其中第二外层弹性梁33长于第二内层弹性梁35；第二锚点32具有四个圆形安装孔径，用于将结构安装于外部支架之上；其中第二连接框架34为环形连接框架；第二外层弹性梁33和第二内层弹性梁35均未h型结构；第二锚点32为环形锚点。51.第二质量块模块31的边长为5～7毫米之间，金属薄膜311的边长为比第二质量块模块31的边长小500微米，金属薄膜311位于第二质量块模块31的中心位置，金属薄膜311与第二质量块模块31边缘距离为250微米；第五、六、七、八内层弹性梁35a、35b、35c、35d总长度与第二质量块模块31的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将第二质量块模块31的上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第二连接框架34的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第二连接框架34的宽度为百微米量级，外边长为6～8毫米；第五、六、七、八外层弹性梁33a、33b、33c、33d总长度与第二连接框架34的边长相同，宽度为80～120微米，其分别将连第二接框架34的外上侧面、左侧面、下侧面、右侧面连接至第二锚点32的内上侧面、左侧面、下侧面、右侧面；第二锚点32的宽度为2～3毫米，外边长为10～15毫米，第五、六、七、八圆形安装孔径36a、36b、36c、36d直径为1毫米，匹配国标m1螺丝，分别位于第二锚点的左上、左下、右下、右上角，圆心距离第二锚点32四侧的外边缘相同，都为毫米量级。52.顶层mems单片1和底层mems单片3中的弹性梁结构为h型或环形或z型或u型或s型弹性梁结构，以实现相同的谐振频率和机械灵敏度。53.进一步从图3，图3(a)、3(b)、3(c)、3(d)分别为“环形”弹性梁结构、“z型”弹性梁结构、“u型”弹性梁结构、“s型”弹性梁结构；其中图3(a)和3(b)的“环形”和“z型”弹性梁结构刚度与“h型”弹性梁接近，可通过相同微米级厚度顶层硅实现类似的效果；图3(c)和3(d)的“u型”和“s型”弹性梁结构刚度小于“h型”弹性梁，可通过上述结构两倍厚的顶层硅实现类似效果。54.如图4所示，本实施例的基于mems工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构的制造方法，其特征在于：包含以下步骤：55.a)在soi晶圆顶层硅表面通过化学气相沉积法(pecvd)镀上0.5～1微米厚的氧化层，以增强弹性梁支撑刚度，防止其在加工过程中的断裂；56.b)在氧化层表面通过磁控溅射工艺镀上厚度为0.5～1微米磁性薄膜(用于顶层)或者厚度为100～200纳米金属薄膜(用于底层)；57.c)在氧化层表面通过原子层刻蚀工艺打开氧化层窗口，再通过icp工艺刻蚀弹性梁结构；58.d)通过icp工艺将底层硅深刻蚀至埋氧层，制作出质量块以及连接框架结构；59.e)通过8:1的缓冲氧化物刻蚀液(boe)溶液湿法腐蚀氧化层和埋氧层，释放出质量块；60.f)减薄、抛光用于制作附加锚点和附加质量的硅晶圆至目标厚度；61.g)通过激光切割制作出附加锚点和附加质量；62.h)将附加锚点和附加质量微组装于底层结构之上；63.i)将顶层结构微组装于附加锚点和附加质量之上。64.本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。