微电子部件、电子设备和微电子部件的制备方法与流程

1.本技术涉及微电子集成电路的领域，尤其涉及微电子部件、电子设备和微电子部件的制备方法。背景技术：2.微电子机械系统(micro-electro-mechanica system，mems)技术是一种先进的制造技术，具有微小、可执行、可集成和工艺兼容性好等诸多优点，广泛应用于诸多高新技术产业。微电子部件是微电子机械系统中的一种常见结构，广泛应用于探测器、传感器等产品中。3.微电子部件包括微桥结构，微桥结构能够利用牺牲层释放工艺形成悬空结构。当利用扫描电子显微镜对微桥结构进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构上，并在微桥结构上形成电荷积累，从而使设置为悬空结构的微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象，进而影响微电子部件的正常使用。技术实现要素：4.本技术实施例提供微电子部件、电子设备和微电子部件的制备方法，用以解决利用扫描电子显微镜对微桥结构进行观察时，微桥结构上形成电荷积累，从而使微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象，进而影响微电子部件正常使用的问题。5.本技术实施例提供的微电子部件，包括衬底、功能层、微桥结构和支撑导电件；6.所述功能层设置在所述衬底上，并与所述衬底电接触；7.所述微桥结构设置在所述功能层远离所述衬底的一侧，并与所述功能层之间形成有间隙；8.所述支撑导电件的第一端电接触在所述微桥结构上，且所述支撑导电件的第二端电接触在所述功能层上，以将所述微桥结构上的电荷通过所述支撑导电件和所述功能层释放至所述衬底上。9.通过采用上述技术方案，通过在衬底上设置功能层，且功能层与衬底电接触；并且在牺牲层形成微桥结构和支撑导电件，使得支撑导电件的第一端电接触在微桥结构上，且支撑导电件的第二端电接触在功能层上，从而将微桥结构上的电荷通过支撑导电件和功能层释放至衬底上；当利用扫描电子显微镜对微电子部件的微桥结构进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构上，支撑导电件的第一端与微桥结构电接触，从而能够将电荷通过支撑导电件导通至功能层，并通过功能层导通至衬底，进而能够减小微桥结构上电荷聚集的可能性，减小微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。10.进一步设置为，所述功能层包括层叠设置的后道互连层和反射层；11.所述后道互连层设置在所述衬底上，所述反射层设置在所述后道互连层远离所述衬底的一侧，并与所述支撑导电件的第二端电接触。12.进一步设置为，所述后道互连层内设置有第一导通孔、反射部和第二导通孔；13.所述第一导通孔的一端连接所述衬底，另一端连接所述反射部；14.所述第二导通孔设置在所述反射部远离所述第一导通孔的一侧，且所述第二导通孔的一端连接所述反射部，另一端连接所述反射层。15.和/或，所述反射层形成有填充槽，所述填充槽内设置有介质层。16.进一步设置为，所述微桥结构包括相连接的主体部和连接部；17.所述主体部包括敏感层、第一电极层和第一保护层，所述第一电极层设置在所述敏感层远离所述衬底的一侧，所述第一保护层覆盖在所述敏感层和所述第一电极层的外侧；18.所述连接部包括第二电极层和两个第二保护层，在靠近或远离所述衬底的方向上，两个所述第二保护层分别设置在所述第二电极层的两侧。19.进一步设置为，所述支撑导电件的第一端穿设在所述主体部内，且至少部分所述支撑导电件穿过所述敏感层，并电接触在所述第一电极层上。20.进一步设置为，所述支撑导电件的第一端形成有固定部，所述固定部设置在所述第一电极和所述第一保护层之间。21.进一步设置为，所述主体部设置有多个，且所述连接部设置在相邻主体部之间；多个所述第一电极层之间通过所述第二电极层导通。22.进一步设置为，所述衬底形成有p型掺杂区或者n型掺杂区。23.一种电子设备，包括上述微电子部件。24.通过采用上述技术方案，通过在衬底上设置功能层，且功能层与衬底电接触；并且在牺牲层形成微桥结构和支撑导电件，使得支撑导电件的第一端电接触在微桥结构上，且支撑导电件的第二端电接触在功能层上，从而将微桥结构上的电荷通过支撑导电件和功能层释放至衬底上；当利用扫描电子显微镜对电子设备内微电子部件的微桥结构进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构上，支撑导电件的第一端与微桥结构电接触，从而能够将电荷通过支撑导电件导通至功能层，并通过功能层导通至衬底，进而能够减小微桥结构上电荷聚集的可能性，减小微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。25.一种微电子部件的制备方法，包括：26.提供衬底；27.在所述衬底上形成功能层，所述功能层与所述衬底电接触；28.在所述功能层远离所述衬底的一侧形成牺牲层；29.形成微桥结构和支撑导电件，所述微桥结构设置在所述牺牲层远离所述功能层的一侧，所述支撑导电件的第一端电接触在所述微桥结构上，且所述支撑导电件的第二端电接触在所述功能层上；30.去除所述牺牲层，以在所述微桥结构与所述功能层之间形成间隙。31.通过采用上述技术方案，当制备微电子部件时，在衬底上形成功能层，且功能层与衬底电接触；在牺牲层形成微桥结构和支撑导电件，使得支撑导电件的第一端电接触在微桥结构上，且支撑导电件的第二端电接触在功能层上；从而能够在利用扫描电子显微镜对微电子部件的微桥结构进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构上，支撑导电件的第一端与微桥结构电接触，从而能够将电荷通过支撑导电件导通至功能层，并通过功能层导通至衬底，进而能够减小微桥结构上电荷聚集的可能性，减小微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。32.进一步设置为，在衬底上形成功能层的步骤中，包括：33.在衬底的表面形成后道互连层，所述后道互连层内形成有第一导通孔、反射部和第二导通孔；所述第一导通孔的一端连接所述衬底，另一端连接所述反射部；所述第二导通孔设置在所述反射部远离所述第一导通孔的一侧，且所述第二导通孔的一端连接所述反射部；34.在所述后道互连层远离所述衬底的一侧形成反射层。35.进一步设置为，在所述后道互连层远离所述衬底的表面上形成反射层后，该方法还包括；36.在所述反射层形成填充槽；37.在所述填充槽内形成介质层，所述介质层远离所述衬底的表面与所述反射层齐平。38.进一步设置为，在所述牺牲层上形成微桥结构和支撑导电件的步骤中，包括：39.在所述牺牲层远离所述功能层的一侧形成主体部和所述支撑导电件；40.在所述牺牲层远离所述功能层的一侧形成连接部，所述连接部连接所述主体部。41.进一步设置为，在所述牺牲层远离所述功能层的一侧形成所述主体部和所述支撑导电件的步骤中，包括：42.在所述牺牲层远离所述功能层的一侧形成第一保护部，在所述第一保护部远离所述牺牲层的一侧形成敏感层，在所述敏感层远离所述第一保护部的一侧形成第一电极层；43.形成填充孔，在所述微桥结构靠近或远离所述衬底的方向上，所述填充孔的第一端设置在所述第一电极层，所述填充孔依次穿过所述敏感层、所述第一保护部和所述牺牲层，且所述填充孔的第二端设置在所述牺牲层靠近所述功能层的一侧；44.在所述填充孔内形成支撑导电件，所述支撑导电件的第一端电接触在所述第一电极层上，且所述支撑导电件的第二端电接触在所述功能层上；45.在所述第一保护部上形成第二保护部，所述第二保护部设置在所述敏感层和所述第一电极层的外侧，并覆盖所述支撑导电件的第一端，以使所述第一保护部和所述第二保护部共同构成第一保护层，以形成所述主体部。46.进一步设置为，在所述牺牲层远离所述功能层的一侧形成所述连接部的步骤中，包括：47.在所述牺牲层远离所述功能层的一侧形成一层第二保护层；48.在所述第二保护层远离所述牺牲层的一侧形成第二电极层，所述第二电极层连接所述第一电极层；49.在所述第二电极层远离所述牺牲层的一侧形成另一层第二保护层，以使所述第二电极层设置在两层第二保护层之间。附图说明50.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。51.图1为本技术实施例提供的微电子部件的结构剖视图；52.图2为本技术实施例提供的填充有牺牲层的微电子部件的结构剖视图；53.图3为本技术实施例提供的图2中a处的局部放大图；54.图4为本技术实施例提供的微电子部件的制备方法的流程示意图；55.图5为本技术实施例提供的在衬底上形成功能层的流程示意图；56.图6为本技术实施例提供的形成微桥结构和支撑导电件的流程示意图；57.图7为本技术实施例提供的形成主体部和支撑导电件的流程示意图；58.图8为本技术实施例提供的形成连接部的流程示意图。59.附图标记说明：60.100、衬底；110、p型掺杂区；200、功能层；210、后道互连层；211、第一导通孔；212、反射部；213、第二导通孔；220、反射层；221、填充槽；222、介质层；300、牺牲层；400、微桥结构；410、主体部；411、第一保护层；411a、第一保护部；411b、第二保护部；412、敏感层；413、第一电极层；420、连接部；421、第二电极层；422、第二保护层；500、支撑导电件；510、固定部；600、填充孔；700、间隙。61.通过上述附图，已示出本技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本技术的概念。具体实施方式62.正如背景技术所述，由于光学显微镜分辨率不足，所以通常需要利用扫描电子显微镜对微电子部件进行观察，而当利用扫描电子显微镜对微电子部件上的微桥结构进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构上，并在微桥结构上形成电荷积累，并且由于微桥结构设置为悬空结构，所所以电荷积累会使微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象，从而影响微电子部件的正常使用产生影响。63.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种微电子部件、电子设备和微电子部件的制备方法，当利用扫描电子显微镜对微电子部件的微桥结构进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构上，支撑导电件的第一端与微桥结构电接触，从而能够将电荷通过支撑导电件导通至功能层，并通过功能层导通至衬底，进而能够减小微桥结构上电荷聚集的可能性，减小微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。64.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。65.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本技术的实施例进行描述。66.参照图1-图2，本技术实施例提供一种微电子部件，包括衬底100、功能层200、微桥结构400和支撑导电件500，示例性的，衬底100、功能层200和微桥结构400沿第一方向依次设置，具体设置为：功能层200设置在衬底100上，并与衬底100电接触；且微桥结构400设置在功能层200远离衬底100的一侧，并与功能层200之间形成有间隙700，从而使微桥结构400设置为悬空结构；67.并且支撑导电件500的第一端电接触在微桥结构400上，且支撑导电件500的第二端电接触在功能层200上，以将微桥结构400上的电荷依次通过支撑导电件500和功能层200释放至衬底100上，从而减小微桥结构400出现电荷积累的可能性。68.在本技术实施例中，衬底100作为微电子部件的支撑部件，用于支撑设在其上的其他部件，其中，衬底100可以由半导体材料制成，半导体材料可以为硅、锗、硅锗化合物以及硅碳化合物中的一种或者多种。并且衬底100形成有p型掺杂区110或者n型掺杂区，其中，n型掺杂区和p型掺杂区110可以通过离子注入技术向衬底100中掺杂离子来形成，比如，可以通过离子注入技术向衬底100内注入磷离子或者砷离子，以形成n型掺杂区；或者，可以通过离子注入技术向衬底100内注入硼离子，以形成p型掺杂区110。示例性的，衬底100形成有p型掺杂区110。69.继续参照图1-图2，下面对功能层200的具体结构进行描述，容易理解的是，功能层200能够将支撑导电件500上的电荷释放至衬底100上，则功能层200具备一定的电荷传导能力。示例性的，功能层200包括层叠设置的后道互连层210和反射层220；其中，后道互连层210设置在衬底100上，且反射层220设置在后道互连层210远离衬底100的一侧，并与支撑导电件500的第二端电接触，从而使支撑导电件500上的电荷能够依次通过反射层220和后道互连层210释放至衬底100上。70.其中，后道互连层210也称beol(back end of line)后道互连层210，后道互连层210内设置有至少一个导电结构，且导电结构包括第一导通孔211、反射部212和第二导通孔213；第一导通孔211、反射部212和第二导通孔213沿第一方向依次设置，且第一导通孔211的一端连接衬底100，另一端连接反射部212；第二导通孔213设置在反射部212远离第一导通孔211的一侧，且第二导通孔213的一端连接反射部212，另一端连接反射层220，从而使反射层220上的电荷能够依次通过第一导通孔211、反射部212和第二导通孔213传导至衬底100上。其中第一导通孔211也称钨通孔，第二导通孔213也称钨接触孔，容易理解的是，第一导通孔211和第二导通孔213内均填充有金属钨；反射部212由金属材料制成，例如ti、tin和al中的一种或多种。71.并且容易理解的是，导电结构可以设置为多个，并且当导电结构设置为多个时，多个导电结构可以均匀布置在后道互连层210，或者按照其他方式布置在后道互连层210，本技术实施例对此不作进一步限制。72.在本技术实施例中，反射层220与微桥结构400相对应，并且反射层220形成有填充槽221，填充槽221内设置有介质层222，且在第一方向上，介质层222远离衬底100的一侧与反射层220齐平。示例性的，反射层220由金属材料制成，例如钛、氮化钛和铝中的一种或多种，介质层222由二氧化硅制成，从而能够利用反射层220起到一定的导电作用。73.微桥结构400包括主体部410和连接部420，下面结合图2和图3对微桥结构400进行描述，图2为填充有牺牲层300的微电子部件的结构剖视图，并且如图2所示，剖面经过主体部410，而未经过连接部420。主体部410可以设置为一个或多个，本技术实施例对此不作进一步限制，并且在本技术实施例中，示例性的，主体部410设置为多个，并且连接部420设置在相邻的主体部410之间，并用于连接相邻的主体部410。74.参照图2和图3，具体设置为，主体部410包括敏感层412、第一电极层413和第一保护层411，敏感层412平行于衬底100，且用于制备敏感层412的材料可以选用掺硼或磷的非晶硅、v2o5、多晶sige和ybacuo中的一种或多种；第一电极层413设置在敏感层412远离衬底100的一侧，用于制备第一电极层413的材料可以选用钛、钽、上下层叠的氮化钛和钛、上下层叠的钽和氮化钽中的一种；第一保护层411覆盖在敏感层412和第一电极层413的外侧，从而能够利用第一保护层411对敏感层412和第一电极层413起到一定的保护作用，并能够将第一电极层413上所积累的电荷释放至第一保护层411的外侧，并且用于制备第一保护层411的材料可以选用二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅中的一种或多种。75.继续参照图2和图3，连接部420包括第二电极层421和两个第二保护层422，在第一方向上，两个第二保护层422分别设置在第二电极层421的两侧，从而能够利用两个第二保护层422对第二电极层421起到保护的作用。示例性的，第二保护层422连接在第一保护层411上，且第二保护层422可与第一保护层411一体成型，并与第一保护层411选用相同材料制成；第二电极层421则连接相邻主体部410的第一电极层413，并与第一电极层413选用相同材料制成，从而能够使多个主体部410上的电荷能够通过第二电极层421相互导通。76.应当注意的是，在本技术实施例中，在制备微电子部件的过程中，在反射层220远离后道互连层210的一侧还设置有牺牲层300，以使在第一方向上，牺牲层300的两侧分别与微桥结构400和反射层220相接触；并且当在牺牲层300上形成微桥结构400后，将牺牲层300去除，从而能够在微桥结构400与反射层220之间形成间隙700。用于制备牺牲层300的材料可以选用以下的一种或多种：聚酰亚胺(polymide)、非晶硅、多孔硅和二氧化硅。77.下面结合图1-图3，对支撑导电件500的结构进行描述，支撑导电件500可以设置有多种长度方向，只要保证支撑导电件500能够将微桥结构400的电荷导通至反射层220即可，示例性的，支撑导电件500沿第一方向延伸，且支撑导电件500的第二端电接触在反射层220上，支撑导电件500的第一端穿设在主体部410内，且至少部分支撑导电件500依次穿过第一保护层411和敏感层412，并电接触在第一电极层413上，从而能够使第一电极层413上的电荷能够通过支撑导电件500传导至反射层220。78.容易理解的是，支撑导电件500可以设置为多个，例如多个支撑导电件500与多个主体部410一一对应设置，支撑导电件500穿设在对应的主体部410内，或者，在本技术实施例中，由于多个主体部410的第一导电层均通过第二导电层连通，所以支撑导电件500设置为两个，从而能够利用两个支撑导电件500将两个以上的多个主体部410上所聚集的电荷传导至反射层220。并且支撑导电件500可以选用金属材料制成，例如钨或铝等，本技术实施例对此不作进一步限制。79.参照图1-图3，并且在本技术实施例中，支撑导电件500的第一端形成有固定部510，固定部510设置在第一电极和第一保护层411之间，且第一保护层411覆盖在固定部510上，以垂直于第一方向的平面为截面，固定部510的截面面积大于支撑导电件500的截面面积，以利用固定部510能够使支撑导电件500与主体部410之间的连接更加稳定。80.综上所述，当利用扫描电子显微镜对微电子部件的微桥结构400进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构400上，支撑导电件500的第一端与微桥结构400的第一电极层413电接触，并且多个主体部410的第一电极层413通过第二电极层421连通，从而能够将多个第一电极层413的电荷通过支撑导电件500导通至包括反射层220和后道互连层210的功能层200，并通过功能层200导通至衬底100，进而能够减小微桥结构400上电荷聚集的可能性，减小微桥结构400产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。81.本技术实施例还提供一种电子设备，包括上述微电子部件。82.当利用扫描电子显微镜对电子设备内微电子部件的微桥结构400进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构400上，支撑导电件500的第一端与微桥结构400的第一电极层413电接触，并且多个主体部410的第一电极层413通过第二电极层421连通，从而能够将多个第一电极层413的电荷通过支撑导电件500导通至包括反射层220和后道互连层210的功能层200，并通过功能层200导通至衬底100，进而能够减小微桥结构400上电荷聚集的可能性，减小微桥结构400产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。83.参照图1-图4，本技术实施例还提供一种微电子部件的制备方法，包括：提供衬底100；在衬底100上形成功能层200，功能层200与衬底100电接触；在功能层200远离衬底100的一侧形成牺牲层300；在牺牲层300上形成微桥结构400和支撑导电件500，以使微桥结构400设置在牺牲层300远离功能层200的一侧，支撑导电件500的第一端电接触在微桥结构400上，且支撑导电件500的第二端电接触在功能层200上；去除牺牲层300，以在微桥结构400与功能层200之间形成间隙700。该制备方法具体包括以下步骤：84.s101、提供衬底100；85.在本技术实施例中，衬底100作为微电子部件的支撑部件，用于支撑设在其上的其他部件，并且衬底100形成有p型掺杂区110或者n型掺杂区。86.s102、在衬底100上形成功能层200，功能层200与衬底100电接触；87.参照图5，示例性的，功能层200包括沿第一方向层叠设置的反射层220和后道互连层210，在衬底100上形成功能层200，包括：88.s1021、在衬底100的表面形成后道互连层210，后道互连层210内形成有第一导通孔211、反射部212和第二导通孔213；第一导通孔211的一端连接衬底100，另一端连接反射部212；第二导通孔213设置在反射部212远离第一导通孔211的一侧，且第二导通孔213的一端连接反射部212；89.在本技术实施例中，后道互连层210可通过beol(back end of line)后道技术形成在衬底100上，且后道互连层210内设置有多个包括第一导通孔211、反射部212和第二导通孔213的导电结构，以利用多个导电结构将反射层220的电荷传导至衬底100。90.s1022、在后道互连层210远离衬底100的表面形成反射层220；91.在本技术实施例中，可通过沉积法在衬底100的表面形成反射层基础，随后图形化反射层基础，以去除部分反射层基础，从而使剩余反射层基础形成反射层220，进而能够使反射层220与第二导通孔213连通。92.当在衬底100的表面形成反射层220后，在反射层220形成填充槽221，并在填充槽221内沉积形成介质层基础，随后利用化学机械抛光方法(cmp)对介质层基础进行抛光，并形成介质层222，使得介质层222远离衬底100的一侧与反射层220齐平，从而实现反射层220的形成过程。93.s103、在功能层200远离衬底100的一侧形成牺牲层300；94.容易理解的是，在第一方向上，牺牲层300形成在反射层220远离后道互连层210的一侧；示例性的，可以通过多种方式在反射层220远离衬底100的一侧形成牺牲层300，例如涂敷或化学气相淀积(cvd)方法，本技术实施例对此不作进一步限制。95.s104、在牺牲层300形成微桥结构400和支撑导电件500，以使微桥结构400设置在牺牲层300远离功能层200的一侧，支撑导电件500的第一端电接触在微桥结构400上，且支撑导电件500的第二端电接触在功能层200上；96.参照图1-图8，在牺牲层300形成微桥结构400和支撑导电件500，具体设置为：97.s1041、在牺牲层300远离功能层200的一侧形成主体部410，并形成支撑导电件500；98.在本技术实施例中，微桥结构400包括主体部410和连接部420，所以可以先在牺牲层300远离功能层200，即远离反射层220的形成部分微桥结构400，例如主体部410，从而使微桥结构400的形成过程更加方便。99.具体设置为：100.s10411、在牺牲层300远离功能层200的一侧形成第一保护部411a，在第一保护部411a远离牺牲层300的一侧形成敏感层412，在敏感层412远离第一保护部411a的一侧形成第一电极层413；101.示例性的，为了使第一保护层411的形成过程更加方便，所以在本技术实施例中，第一保护层411包括第一保护部411a和第二保护部411b，从而能够分两次实现第一保护层411的形成过程，使得第一保护层411的形成过程更加方便。102.具体设置为，在牺牲层300远离反射层220的一侧形成第一保护部411a可以通过多种方式实现，例如原子层沉积(ald)或化学气相淀积(cvd)方法沉积；然后可以通过化学气相淀积(cvd)或物理汽相淀积(pvd)方法沉积等方式，在第一保护部411a远离牺牲层300的一侧形成敏感层基础，并将敏感层基础图像化，从而去除部分敏感层基础，以使剩余敏感层基础形成敏感层412；随后通过物理汽相淀积(pvd)方法沉积等方式，在敏感层412远离第一保护部411a的一侧形成第一电极层基础，再将第一电极层基础图形化，从而去除部分第一电极层基础基础，以使剩余第一电极层基础形成第一电极层413。103.s10412、形成填充孔600，在微桥结构400靠近或远离衬底100的方向上，填充孔600的第一端设置在第一电极层413，填充孔600依次穿过敏感层412、第一保护部411a和牺牲层300，且填充孔600的第二端设置在牺牲层300靠近功能层200的一侧；104.当依次形成第一保护部411a、敏感层412和第一电极层413后，可以通过刻蚀等方式去除部分牺牲层300、敏感层412、第一保护部411a和牺牲层300，并形成填充孔600，从而能够在填充孔600内形成支撑导电件500。105.s10413、在填充孔600内形成支撑导电件500，支撑导电件500的第一端电接触在第一电极层413上，且支撑导电件500的第二端电接触在功能层200上；106.在本技术实施例中，可以通过物理汽相淀积(pvd)方法沉积等方式，在填充孔600内形成支撑导电件500，从而能够使支撑导电件500的第一端电接触在第一电极层413上，且支撑导电件500的第二端电接触在反射层220远离衬底100的一侧。107.进一步的，支撑导电件500的第一端还形成有固定部510，容易理解的是，在本技术实施例中，固定部510可以一体成型在支撑导电件500的第一端，或者通过焊接等方式固定在支撑导电件500的第一端，从而实现支撑导电件500的形成过程。108.s10414、在第一保护部411a上形成第二保护部411b，第二保护部411b设置在敏感层412和第一电极层413的外侧，并覆盖支撑导电件500的第一端，以使第一保护部411a和第二保护部411b共同构成第一保护层411，以形成主体部410；109.当在填充孔600内形成支撑导电件500后，在第一保护部411a上形成第二保护部411b，第二保护部411b可以与第一保护部411a选用相同的形成方式，本技术实施例在此不再赘述；并且第二保护部411b设置在敏感层412和第一电极层413的外侧，并覆盖支撑导电件500的第一端，当支撑导电件500的第一端还形成有固定部510时，则第二保护部411b覆盖在固定部510上，从而能够与第一保护部411a共同形成第一保护层411，进而完成主体部410的形成过程。110.s1042、在牺牲层300远离功能层200的一侧形成连接部420，连接部420连接主体部410；111.在本技术实施例中，主体410可以设置有多个，连接部420设置在相邻的主体部410之间，并用于连接相邻的主体部410，从而能够将相邻的主体部410连接。112.当在牺牲层300远离反射层220的一侧形成主体部410和支撑导电件500后，可以通过以下方法形成连接部420，具体步骤如下：113.s10421、在牺牲层300远离功能层200的一侧形成一层第二保护层422；114.示例性的，第二保护层422可以连接在第一保护层411上，并且第二保护层422可以与第一保护层411选用相同的材料制成，并通过原子层沉积(ald)或化学气相淀积(cvd)方法沉积形成在牺牲层300远离反射层220的一侧。115.s10422、在第二保护层422远离牺牲层300的一侧形成第二电极层421，第二电极层421连接第一电极层413；116.第二电极层421用于连接多个主体部410上的第一电极层413，且第二电极层421同样可以选用与第一电极层413相同的材料制成，并通过物理汽相淀积(pvd)方法沉积等方式形成在第二保护层422远离牺牲层300的一侧。117.s10423、在第二电极层421远离所述牺牲层300的一侧形成另一层第二保护层422，以使第二电极层421设置在两层第二保护层422之间；118.随后在第二电极层421远离所述牺牲层300的一侧形成另一层第二保护层422，从而能够利用两层第二保护层422对第二电极层421起到保护作用，至于第二电极层421的材料和形成方法，本技术实施例在此不再赘述。119.通过采用上述技术方案，先在牺牲层300远离功能层200的一侧形成主体部410和支撑导电件500，随后在牺牲层300远离功能层200的一侧形成连接部420，从而能够使微桥结构400的形成过程更加方便，并且能够在形成主体部410的过程中，完成支撑导电件500的形成过程，也使得支撑导电件500与主体部410之间的连接更加稳定。120.s105、去除牺牲层300，以在微桥结构400与功能层200之间形成间隙700。121.在完成微桥结构400和支撑导电件500的形成过程后，可以通过蚀刻等方式将牺牲层300去除，从而能够在微桥结构400与反射层220之间形成间隙700，进而能够将微桥结构400设置为悬空结构。122.综上所述，当制备微电子部件时，在衬底100上形成功能层200，且功能层200与衬底100电接触；在牺牲层300形成微桥结构400和支撑导电件500，使得支撑导电件500的第一端电接触在微桥结构400上，且支撑导电件500的第二端电接触在功能层200上；从而能够在利用扫描电子显微镜对微电子部件的微桥结构400进行观察时，扫描电子显微镜所发出的电荷聚集在微桥结构400上，支撑导电件500的第一端与微桥结构400电接触，从而能够将电荷通过支撑导电件500导通至功能层200，并通过功能层200导通至衬底100，进而能够减小微桥结构400上电荷聚集的可能性，减小微桥结构400产生弯曲，甚至出现坍塌现象的可能性。123.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本技术的其它实施方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由下面的权利要求书指出。124.应当理解的是，本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求书来限制。