半导体结构及其形成方法与流程

本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、微电子机械系统(mems)器件是集成机械和电子组件以感测物理量和/或作用于周围环境的微小器件。近年来，mems器件变得越来越普遍。例如，mems扬声器常见于助听器、入耳式耳机、家用扬声器、电视扬声器等。

技术实现思路

1、本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；以及微电子机械系统(mems)器件，位于衬底上，其中，微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块；其中，衬底在机械块处具有狭缝，其中，狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底，其中，衬底具有位于狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁，其中，第一侧壁从机械块的底面到第二侧壁的边缘基本垂直，并且其中，第二侧壁从第二侧壁的边缘到机械块的顶面向外成弧形。

2、本发明的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；以及微电子机械系统(mems)器件，位于衬底上，其中，微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块；其中，衬底在机械块处具有狭缝，其中，狭缝设置为从机械块的顶面至机械块的底面穿过衬底，其中，狭缝的宽度从机械块的底面到高度是基本均匀的，高度与机械块的顶面和底面偏移并且位于机械块的顶面和底面之间，并且其中，狭缝的宽度从高度到机械块的顶面增大。

3、本发明的又一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：对衬底的第一侧执行第一蚀刻以形成凹口，凹口延伸至衬底中至第一深度；对衬底的第一侧执行第二蚀刻以形成沟槽，沟槽延伸至衬底中至大于第一深度的第二深度，其中，沟槽与凹口重叠并且具有比凹口小的宽度；利用粘合剂将载体衬底接合至衬底的第一侧，粘合剂填充凹口和沟槽并且覆盖衬底的第一侧；从衬底的与第一侧相对的第二侧减薄衬底；以及在减薄之后，去除载体衬底和粘合剂。

4、本发明的再一些实施例提供了用于mems器件的顶部凹口狭缝轮廓。

技术特征：

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述边缘比所述机械块的所述底面更靠近所述机械块的所述顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底具有第二狭缝，所述第二狭缝从所述机械块的所述顶面至所述机械块的所述底面延伸穿过所述衬底，其中，所述衬底的部分位于所述狭缝和所述第二狭缝之间并且暴露在所述狭缝和所述第二狭缝中，并且其中，所述衬底的所述部分在所述衬底的顶部拐角部分处具有向上突起。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述狭缝具有关于所述狭缝的宽度方向中心处的垂直轴的对称轮廓。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述微电子机械系统器件包括压电结构，所述压电结构在所述机械块周围以闭合路径延伸并且被配置为使所述机械块振动。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述狭缝从所述机械块的拐角向所述机械块的中心横向伸长。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

8.一种半导体结构，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述狭缝的所述宽度从所述机械块的所述底面到所述高度以第一速率增加，并且其中，所述狭缝的所述宽度从所述高度到所述机械块的所述顶面以大于所述第一速率的第二速率增加。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

技术总结本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；以及微电子机械系统(MEMS)器件，位于衬底上，其中，微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块；其中，衬底在机械块处具有狭缝，其中，狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底，其中，衬底具有位于狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁，其中，第一侧壁从机械块的底面到第二侧壁的边缘基本垂直，并且其中，第二侧壁从第二侧壁的边缘到机械块的顶面向外成弧形。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。技术研发人员：陈亭蓉受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/12