一种微机械结构释放窗口的封口结构的制作方法

本技术涉及mems(微电子机械系统)封口工艺领域，特别涉及一种微机械结构释放窗口的封口结构。

背景技术：

1、mems(微电子机械系统)加工工艺中，许多mems结构牺牲层释放后，需要将结构层上的释放窗口进行封口处理，以实现表面完整的薄膜，形成恒压的释放腔体。

2、现有技术中，封口方式通常为单层材料通过pecvd、lpcvd等方式直接封口。如果需要较高的腔体真空度，用pecvd难以达成，用lpcvd可以达成较高的真空度，但是单独沉积lpcvd材料，在封口的同时，腔体内部所有表面也会覆盖一层lpcvd材料，限制了腔体的小尺寸设计，比如小尺寸的腔体很有可能在沉积lpcvd封口材料时，整个腔体都长满lpcvd材料，导致腔体被填满，腔体结构失效。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于，对结构层上的释放窗口进行封口处理，解决带有释放窗口的薄膜表面不完整或者导致腔体内部被填满的问题，提供一种微机械结构释放窗口的封口结构。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封口结构包括封体结构和保护结构1；

3、所述封体结构，包括封帽2和封体3；所述封体3用于填充释放窗口4；所述封帽2呈柱体形状或台体形状，用于完全盖住释放窗口4；

4、所述保护结构1，设置在所述封体结构的外侧，用于完全包裹住封体结构。

5、作为上述技术方案的改进之一，所述封帽2呈台体形状时，其远离封体3的部分窄，靠近封体3的部分宽。

6、作为上述技术方案的改进之一，所述封体3，呈柱体形状或台体形状；所述柱体形状包括：圆柱和棱柱；所述台体形状包括：圆台和棱台。

7、作为上述技术方案的改进之一，所述封体3呈台体形状时，其远离封帽2的部分窄，靠近封帽2的部分宽。

8、作为上述技术方案的改进之一，所述封体结构为单一材料或多种材料的复合膜层。

9、作为上述技术方案的改进之一，封体结构材料为氮化硅、多晶硅或非晶硅，或者为氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中任意两种或者多种的复合膜层。

10、作为上述技术方案的改进之一，所述封体结构为多种材料的复合膜层时，其中紧贴释放窗口膜层的材料为氧化硅。

11、作为上述技术方案的改进之一，所述保护结构的材料为硅的氮化物、多晶硅或非晶硅。

12、本实用新型提出了一种释放窗口封口结构，这种封口结构可以实现结构表面完整的薄膜、良好的密封性，从而形成较为稳定的恒压腔体，特别是高真空低压腔体。

13、本实用新型的技术效果：

14、1、封口结构可以改善微机械结构的完整性，实现表面完整的薄膜；

15、2、封口实现释放腔体恒压封闭，特别是高真空低压封闭效果，以实现特定器件功能；

16、3、封口薄膜生长方式及组合灵活多样，实现恒压腔体的同时，具备封口结构强度可靠的优点；

17、4、封口结构外围包裹保护材料，可以在后续加工工艺或者实际使用环境下，避免封口结构被腐蚀损坏，进而影响甚至破坏腔体恒压氛围。

技术特征：

1.一种微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封口结构包括封体结构和保护结构(1)；

2.根据权利要求1所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封帽(2)呈台体形状时，其远离封体(3)的部分窄，靠近封体(3)的部分宽。

3.根据权利要求1所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封体(3)呈柱体形状或台体形状；所述柱体形状包括：圆柱和棱柱；所述台体形状包括：圆台和棱台。

4.根据权利要求3所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封体(3)呈台体形状时，其远离封帽(2)的部分窄，靠近封帽(2)的部分宽。

5.根据权利要求1所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封体结构为单一材料或多种材料的复合膜层。

6.根据权利要求5所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，封体结构材料为氮化硅、多晶硅或非晶硅，或者为氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中任意多种的复合膜层。

7.根据权利要求6所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述封体结构为多种材料的复合膜层时，其中紧贴释放窗口膜层的材料为氧化硅。

8.根据权利要求1-7之一所述的微机械结构释放窗口的封口结构，其特征在于，所述保护结构的材料为硅的氮化物、多晶硅或非晶硅。

技术总结本技术涉及一种微机械结构释放窗口的封口结构。所述封口结构包括封体结构和保护结构；封体结构包括封帽和封体，封体用于填充释放窗口，封帽呈柱形，用于完全盖住释放窗口；保护结构设置在封体结构的外侧，用于完全包裹住封体结构。本技术可以改善微机械结构的完整性，实现表面完整的薄膜；保护结构可以避免封口结构被腐蚀损坏或封口结构随时间与环境影响老化后导致有泄漏影响密封腔体恒压。技术研发人员：陈骁,何政达,万蔡辛,赵成龙,蔡春华,巩啸风,蒋樱,林谷丰受保护的技术使用者：无锡韦感半导体有限公司技术研发日：20220629技术公布日：2024/1/12