一种MEMS结构的制作方法

本申请涉及mems(micro electro mechanical systems的简称，即微机电系统)，具体来说，涉及一种mems结构。

背景技术：

1、压电mems传感器或执行器中研究较多的压电材料有压电陶瓷、石英(sio2)、铌酸锂(linbo3)、氮化铝(aln)、氧化锌(zno)、锆钛酸铅(pzt)和聚偏二氟乙烯(pvdf)等。氧化锌由于具有良好的半导体介电特性和压电特性，无毒无害，并且容易形成z轴择优取向。并且采用磁控溅射法可实现高质量、快速率、大面积、低成本氧化锌薄膜的制备，因此氧化锌材料被广泛应用于微机电系统、传感器、执行器等各类压电器件中。

2、但是磁控溅射设备制备氧化锌时，较难获得z轴晶柱生长且致密的氧化锌薄膜。氧化锌压电薄膜如果仅有z轴晶柱生长结构但是不致密，器件漏电流会增加，不利于器件的整体性能提升。氧化锌压电薄膜如果无z轴晶柱生长结构或者结构较差，其压电性能也会降低。

技术实现思路

1、针对相关技术中的问题，本申请提出了一种mems结构，可以获得较好致密性和压电性能的压电层。

2、本申请的技术方案是这样实现的，提供了一种mems结构，包括：

3、衬底，具有空腔；

4、振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；

5、第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；

6、种子层，形成在所述第一电极层上方；

7、压电层，形成在所述种子层上方；

8、第二电极层，形成在所述压电层上方。

9、其中，所述mems结构应用于麦克风或扬声器。

10、其中，所述种子层的材料包括氧化锌、所述压电层的材料包括氧化锌。

11、其中，所述种子层的沉积气压为1至2帕，所述压电层的沉积气压为0.6至0.8帕。

12、其中，所述第一电极层的表面粗糙度小于5纳米，所述第二电极层的表面粗糙度小于5纳米。

13、综上，本申请所提供的mems结构中，在振动支撑层上方形成种子层，而后在种子层上方生长压电层。种子层诱导压电层按照晶柱结构生长，从而使得压电层具有较好的z轴晶柱生长结构，并且具有较好的致密性。较好的z轴晶柱生长结构体现了氧化锌较好的压电性能。

技术特征：

1.一种mems结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述mems结构应用于麦克风或扬声器。

3.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述种子层的材料包括氧化锌、所述压电层的材料包括氧化锌。

4.根据权利要求3所述的mems结构，其特征在于，所述种子层的沉积气压为1至2帕，所述压电层的沉积气压为0.6至0.8帕。

5.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述第一电极层的表面粗糙度小于5纳米，所述第二电极层的表面粗糙度小于5纳米。

技术总结本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；振动支撑层，形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔；第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；种子层，形成在所述第一电极层上方；压电层，形成在所述种子层上方；第二电极层，形成在所述压电层上方。综上，本申请所提供的MEMS结构中，种子层诱导压电层按照晶柱结构生长，从而使得压电层具有较好的Z轴晶柱生长结构，并且具有较好的致密性。技术研发人员：李现飞,刘端受保护的技术使用者：安徽奥飞声学科技有限公司技术研发日：20221207技术公布日：2024/1/12