用于制造具有腔体的装置的方法与流程

本公开涉及电子装置领域，具体地，涉及一种用于制造具有腔体的装置的方法。

背景技术：

1、诸如薄膜体声(film bulk acoustic resonator，fbar)谐振器或滤波器、微机电系统(microelectromechanical system，mems)麦克风、压力传感器、加速度传感器、压电微加工超声波换能器(piezoelectric micromachined ultrasonic transducer，pmut)的装置可能包括腔体结构，以便正常工作。相关技术中，能制造出这类装置并具有改良的可靠性是备受期待的。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造具有腔体的装置的方法。该方法包括：获取装置晶圆，该装置晶圆包括第一衬底和形成在第一衬底的装置结构；在装置晶圆沉积第一介电层；刻蚀第一介电层，以暴露装置结构的至少一部分和第一衬底的一部分；刻蚀后，在装置晶圆和第一介电层沉积第二介电层；对第二介电层的表面进行表面处理；获取第二衬底；以及键合第二衬底与位于装置晶圆的第二介电层，从而在第二衬底和装置晶圆之间形成腔体。

技术特征：

1.一种用于制造具有腔体的装置的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体装置或所述微机电系统装置包括：薄膜体声学谐振器或滤波器、微机电系统麦克风、压力传感器、加速度传感器和压电微加工超声换能器中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀所述第一介电层之前，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介电层的厚度在10nm至100nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对第二介电层的表面进行表面处理，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述微物理刻蚀包括：空气等离子体刻蚀、离子束刻蚀和快速原子束刻蚀中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二衬底由单晶硅形成。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述键合第二衬底与位于装置晶圆的第二介电层之前，所述方法还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在沉积所述缓冲层之后，在键合所述第二衬底与所述第二介电层之前，所述方法还包括：

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述缓冲层由氧化硅或氮化硅形成。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在沉积所述缓冲层之后，并在键合所述第二衬底与所述第二介电层之前，所述方法还包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述在所述缓冲层进行所述表面处理，包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述微物理刻蚀包括：空气等离子体刻蚀、离子束刻蚀和快速原子束刻蚀中的至少一种。

技术总结本申请公开一种用于制造具有腔体的装置的方法包括：获取装置晶圆，该装置晶圆包括第一衬底和形成在第一衬底的装置结构；在装置晶圆沉积第一介电层；刻蚀第一介电层，以暴露装置结构的至少一部分和第一衬底的一部分；刻蚀后，在装置晶圆和第一介电层沉积第二介电层；对第二介电层的表面进行表面处理；获取第二衬底；以及键合第二衬底与位于装置晶圆的第二介电层，从而在第二衬底和装置晶圆之间形成腔体。技术研发人员：请求不公布姓名受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/13