读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器的制作方法

本技术涉及红外探测器芯片制造，具体涉及读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器。

背景技术：

1、mems(micro-electro-mechanical system)一般指微机电系统。微机电系统，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等。在红外探测器的设计制造过程中，随着mems芯片面阵越来越大，像元尺寸越来越小，对读出电路芯片中的信号存储的电容、采样保持电容面积会越来越大，从而极大增加了读出电路芯片的总面积，增加了读出电路芯片版图的布线难度，使得整体布线更加繁杂，额外提高了电路的不稳定性，抬高了整体造价成本。

技术实现思路

1、本实用新型提供了读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，解决了以上所述的红外探测器的设计制造过程的mems芯片与读出电路芯片尺寸大的技术问题。

2、本实用新型为解决上述技术问题提供了读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，包括mems器件及读出电路芯片，所述mems器件包括安装孔区及空置区，所述安装孔区设有焦平面阵列电路，所述空置区设有信号存储电路，所述空置区上设有用于将所述mems器件与所述信号存储电路连接的导孔。

3、优选地，所述mems器件与所述信号存储电路均设有电接口，导电金属穿过导孔连接电接口。

4、优选地，所述读出电路芯片还包括运算放大电路及信号输出模块，所述运算放大电路及信号输出模块均位于所述空置区内。

5、优选地，所述信号存储电路包括信号存储电容模块及信号采样保持电容模块。

6、优选地，所述mems器件包括mems焊盘，所述读出电路芯片包括读出电路芯片焊盘，所述mems焊盘与所述读出电路芯片焊盘的边沿焊接。

7、优选地，所述空置区的表面积小于所述mems焊盘的表面积。

8、优选地，所述mems器件及读出电路芯片分别焊接于所述mems焊盘与所述读出电路芯片焊盘上，且所述mems焊盘与所述读出电路芯片焊盘的边沿焊接形成立体空间，所述mems器件及读出电路芯片均位于所述立体空间内。

9、有益效果：本实用新型提供了读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，包括mems器件及读出电路芯片，所述mems器件包括安装孔区及空置区，所述安装孔区设有焦平面阵列电路，所述空置区设有信号存储电路，所述空置区上设有用于将所述mems器件与所述信号存储电路连接的导孔。将读出电路芯片中信号存储的电容通过通孔接触的方式引入上层mems工艺中完成。降低读出电路芯片的芯片尺寸，增加芯片个数，降低探测器成本；优化读出电路芯片的布局布线，重要的信号线可以缩短，从而优化读出电路芯片性能；充分利用mems的虚焊电路，使之平整化。

10、上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

技术特征：

1.读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，包括mems器件及读出电路芯片，其特征在于，所述mems器件包括安装孔区及空置区，所述安装孔区设有焦平面阵列电路，所述空置区设有信号存储电路，所述空置区上设有用于将所述mems器件与所述信号存储电路连接的导孔。

2.根据权利要求1所述的读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，其特征在于，所述mems器件与所述信号存储电路均设有电接口，导电金属穿过导孔连接电接口。

3.根据权利要求1所述的读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，其特征在于，所述读出电路芯片还包括运算放大电路及信号输出模块，所述运算放大电路及信号输出模块均位于所述空置区内。

4.根据权利要求1所述的读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，其特征在于，所述信号存储电路包括信号存储电容模块及信号采样保持电容模块。

5.根据权利要求1所述的读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，其特征在于，所述mems器件包括mems焊盘，所述读出电路芯片包括读出电路芯片焊盘，所述mems焊盘与所述读出电路芯片焊盘的边沿焊接。

6.根据权利要求5所述的读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，其特征在于，所述空置区的表面积小于所述mems焊盘的表面积。

7.根据权利要求5所述的读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，其特征在于，所述mems器件及读出电路芯片分别焊接于所述mems焊盘与所述读出电路芯片焊盘上，且所述mems焊盘与所述读出电路芯片焊盘的边沿焊接形成立体空间，所述mems器件及读出电路芯片均位于所述立体空间内。

技术总结本技术涉及红外探测器芯片制造技术领域，为读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，包括MEMS器件及读出电路芯片，所述MEMS器件包括安装孔区及空置区，所述安装孔区设有焦平面阵列电路，所述空置区设有信号存储电路，所述空置区上设有用于将所述MEMS器件与所述信号存储电路连接的导孔。将读出电路芯片中信号存储的电容通过通孔接触的方式引入上层MEMS工艺中完成。降低读出电路芯片的芯片尺寸，增加芯片个数，降低探测器成本；优化读出电路芯片的布局布线，重要的信号线可以缩短，从而优化读出电路芯片性能；充分利用MEMS的虚焊电路，使之平整化。技术研发人员：蔡光艳,黄立,马占锋,汪超,王春水,高健飞受保护的技术使用者：武汉鲲鹏微纳光电有限公司技术研发日：20201230技术公布日：2024/1/12