一种MEMS器件及其制备方法与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种mems器件及其制备方法。

背景技术：

1、微机电系统(mems,micro-electro-mechanical system)，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。当前，mems器件的应用非常广泛，而mems器件中的金属引线往往采用双层金属引线，因为双层金属引线有良好的附着力、较低的残余应力和优异的导电性。

2、然而，现有技术中的双层金属引线，由于在刻蚀过程中的各向腐蚀问题，往往会出现严重的底切现象，即下方粘附金属层引线宽度小于上方引线金属层引线宽度。底切直接影响金属引线可靠性，进一步影响mems器件的可靠性、电学性能和良率，底切增大到一定程度，mems器件将直接报废。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的mems器件及其制备方法。

2、第一方面，提供一种mems器件的制备方法，包括：

3、提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；

4、刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；

5、形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；

6、以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。

7、可选的，所述引线金属层为au层，所述粘附金属层为cr层；或者，所述引线金属层为cu层，所述粘附金属层为ti层。

8、可选的，所述刻蚀所述引线金属层，包括：采用目标掩膜板刻蚀所述引线金属层；所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：采用所述目标掩膜板，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶。

9、可选的，所述刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层，包括：在所述引线金属层上形成覆盖所述引线金属层的第二光刻胶层；采用目标掩膜板曝光和显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二光刻胶层；以所述图形化的第二光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层。

10、可选的，所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：形成覆盖所述引线金属层以及裸露的所述粘附金属层的第一光刻胶层；采用目标掩膜板曝光和显影所述第一光刻胶层，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层。

11、可选的，所述以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，包括：以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述粘附金属层。

12、可选的，所述湿法刻蚀工艺为浸泡式湿法刻蚀工艺。

13、可选的，在所述刻蚀所述粘附金属层之后，还包括：去除所述第一光刻胶层。

14、第二方面，提供一种mems器件，包括：

15、衬底和位于所述衬底之上的图形化的双层金属走线，所述双层金属走线包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；

16、其中，所述双层金属走线采用第一方面任一所述的制备方法所制备。

17、可选的，所述粘附金属层的走线宽度大于所述引线金属层的走线宽度。

18、本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

19、本发明实施例提供的mems器件及其制备方法，在刻蚀引线金属层，形成图形化的引线金属层之后，没有继续直接进行粘附金属层的刻蚀，而是形成包覆引线金属层的图形化的第一光刻胶层，再以图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀粘附金属层，形成图形化的双层金属走线，这样通过第一光刻胶层的阻挡，一方面使粘附金属层在湿法刻蚀时，能隔绝于引线金属层3，避免两种不同类型的金属在腐蚀液中接触，另一方面，增加粘附金属层的阻挡层宽度，能有效避免对粘附金属层的过刻蚀，避免出现底切现象，保证金属引线的可靠性，进一步保证mems器件的可靠性、电学性能和良率。

20、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

技术特征：

1.一种mems器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层，包括：

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，包括：

7.如权利要求4或6所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺为浸泡式湿法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀所述粘附金属层之后，还包括：去除所述第一光刻胶层。

9.一种mems器件，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的mems器件，其特征在于：

技术总结本发明公开了一种MEMS器件及其制备方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。这样能有效避免对粘附金属层的过刻蚀，避免出现底切现象，保证金属引线的可靠性，进一步保证MEMS器件的可靠性、电学性能和良率。技术研发人员：卜德冲,范坤,罗大杰受保护的技术使用者：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/13