一种键合引线连接结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，特别是涉及一种键合引线连接结构。

背景技术：

1、微纳薄膜传感器封装的分类方式有两种，一种是按封装材料分类，可分为金属封装，陶瓷封装和塑料封装三类。封装的根本目的在于以最小的尺寸和重量、最低的价格和尽可能简单的结构服务于具有特定功能的一组元器件。

2、为了适应微纳传感器技术的发展，人们开发了许多新的mems封装技术和工艺，如阳极键合，硅熔融键合、共晶键合等，已基本建立起自己的封装体系。现在人们通常将mems封装分为四个层次：即裸片级封装、器件级封装、硅圆片级封装、单芯片封装和系统级封装。但随着mems技术研究的深入和迅猛发展，以及mems器件本身所具有的多样性和复杂性，成本相对较低的裸片级封装，在使用过程中常常会由于引线键合处的引线与引脚之间的机械连接失效，而无法保障有效连接和通信，申请人有鉴于此，提出了一种键合引线连接结构。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种键合引线连接结构，用于解决现有技术中键合引线与引脚连接失效的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种键合引线连接结构，包括：

3、支撑板，所述支撑板上设有多个焊盘，所述焊盘上均设有第一引脚；

4、芯片，所述芯片固定连接在所述支撑板上，所述芯片上设有多个与第一引脚对应的第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚引线连接，所述引线与所述第一引脚和第二引脚的连接区域为连接区；

5、复合层，所述复合层设置在所述连接区，所述复合层从下至上为连接层、耐温层和绝缘层。

6、可选地，所述芯片键合连接有护壳，所述护壳上开有多个与所述第二引脚对应的连接孔，所述音效穿过所述连接孔与所述第二引脚焊接。

7、可选地，所述芯片与所述支撑板可拆卸连接。

8、可选地，所述芯片与所述支撑板卡接。

9、可选地，所述芯片与所述支撑板粘接。

10、可选地，所述引线为丝状引线或带状引线，所述引线的直径或带径为0.02mm-0.8mm。

11、可选地，所述连接层为烧结浆料，所述烧结浆料在焊盘引脚处的填充直径为1mm。

12、可选地，所述第二引脚阵列设置，所述第二引脚单边的数量为五。

13、可选地，所述支撑板上长度方向上第一引脚的数量为十，宽度方向上第一引脚的数量为六。

14、可选地，所述连接孔的数量与位置与所述第二引脚一一对应。

15、如上所述，本实用新型提出的一种键合引线连接结构，具有以下有益效果：

16、本实用新型中，通过设置在连接区的复合层，使得引线与引脚之间形成复合的金属化合物，极大的提高了焊点的剪切强度；通过耐温层的涂覆在提高键合引线整体抗氧化和耐温性的同时，尤其能够确保焊接最薄弱位置的机械强度，即连接区的连接层；通过连接层和耐温层的协同作用，能够有效的提升引线键合的环境适应性能，同时增加绝缘层，有效提升了引线与引脚连接后的性能，确保器件的工作寿命。

技术特征：

1.一种键合引线连接结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述芯片键合连接有护壳，所述护壳上开有多个与所述第二引脚对应的连接孔，所述引线穿过所述连接孔与所述第二引脚焊接。

3.根据权利要求2所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述芯片与所述支撑板可拆卸连接。

4.根据权利要求3所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述芯片与所述支撑板卡接。

5.根据权利要求3所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述芯片与所述支撑板粘接。

6.根据权利要求1所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述引线为丝状引线或带状引线，所述引线的直径或带径为0.02mm-0.8mm。

7.根据权利要求1所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述连接层为烧结浆料，所述烧结浆料在焊盘引脚处的填充直径为1mm。

8.根据权利要求2所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述第二引脚阵列设置，所述第二引脚单边的数量为五。

9.根据权利要求8所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述支撑板上长度方向上第一引脚的数量为十，宽度方向上第一引脚的数量为六。

10.根据权利要求8所述的键合引线连接结构，其特征在于：所述连接孔的数量与位置与所述第二引脚一一对应。

技术总结本技术属于半导体封装技术领域，具体公开了一种键合引线连接结构，包括：支撑板，支撑板上设有多个焊盘，焊盘上均设有第一引脚；芯片，芯片固定连接在支撑板上，芯片上设有多个与第一引脚对应的第二引脚，第一引脚与第二引脚引线连接，引线与第一引脚和第二引脚的连接区域为连接区；复合层，复合层设置在连接区，复合层从下至上为连接层、耐温层和绝缘层，本技术通过设置的复合层能够实现引脚与引线的稳定连接，提升芯片的使用寿命，而设置的护壳便于复合层的设置，同时对芯片进行保护，能够进一步增加芯片的使用寿命。技术研发人员：杨玉,陈南菲,张建波,段青松受保护的技术使用者：中冶赛迪技术研究中心有限公司技术研发日：20231007技术公布日：2024/5/29