一种低功耗亚阈值基准电压源结构的制作方法

本技术涉及基准电压源结构，尤其涉及一种低功耗亚阈值基准电压源结构。

背景技术：

1、基准电压源是一种电路或电路元件，只要电路需要，它就能提供已知电位，这可能是几分钟、几小时或几年，如果产品需要采集真实世界的相关信息，例如电池电压或电流、功耗、信号大小或特性、故障识别，那么必须将相关信号与一个标准进行比较，每个比较器、adc、dac或检测电路必须有一个基准电压源才能完成上述工作，基准电压源的主要作用是提供一个已知输出电压，相对于该已知值的变化是误差，基准电压源规格通常使用下述定义来预测其在某些条件下的不确定性，基准电压源广泛应用于数据转换器、智能传感器、电源转换器的电路，例如，在数据转换器中，基准源提供了一个绝对电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出，在电压调节器中，基准源提供了一个已知的电压值，用它与输出作比较，得到一个用于调节输出电压的反馈，在电压检测器中，基准源被当作一个设置触发点的门限。

2、目前，常见的基准电压源，通过晶体管产生正负相消的温度系数，从而达到恒定电压，但是晶体管面积较大并且电路消耗电流很难降低。

3、因此，本领域技术人员提供了一种低功耗亚阈值基准电压源结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，本电路采用全cmos集成结构，启动电路，基准电压产生电路，运放和反相器，通过工作在亚阈值cmos管产生基准电压，降低了工作电流消耗。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：一种低功耗亚阈值基准电压源结构，包括一号元件，所述一号元件下端通过电路连接有二号元件，所述二号元件一侧通过电路连接有四号元件；

3、所述一号元件上端通过电路连接有七号元件，所述七号元件一侧通过电路连接有十一号元件；

4、通过上述技术方案，本电路采用全cmos集成结构，启动电路，基准电压产生电路，运放和反相器，通过工作在亚阈值cmos管产生基准电压，降低了工作电流消耗，本电路采用全cmos集成结构，cmos的主要优势是功耗要小得多，与nmos或bipolar电路不同，互补mos电路几乎没有静态功耗，只有在电路实际切换的情况下才会消耗功率，这允许在ic上集成比nmos或双极技术更多的cmos门，从而获得更好的性能，更加的节能和便于使用。

5、进一步地，所述十一号元件一侧通过电路连接有十号元件，所述十号元件下端通过电路连接有十二号元件；

6、通过上述技术方案，十号元件为二极管与蓄电池一起使用，二极管可以防止电源接反，当电源接反时，二极管导通相当于电源短路，电流很大，如果电源有保护就保护了，没保护就可能烧电源，十二号元件为启动电路。

7、进一步地，所述十一号元件下端通过电路连接有十三号元件，所述十三号元件下端通过电路连接有十四号元件；

8、通过上述技术方案，十三号元件的设置有利于电源与十一号元件电路的连通，十四号元件的设置有利于提供一个与负载、功率供给、温度漂移、时间的无关，能保持始终恒定的电压。

9、进一步地，所述四号元件上端通过电路连接有三号元件；

10、通过上述技术方案，三号元件的设置有利于与四号元件、六号元件和八号元件电路连接贯通，便于电流通过。

11、进一步地，所述三号元件上端通过电路连接有八号元件，所述八号元件一侧通过电路连接有九号元件；

12、通过上述技术方案，通过电流镜复制到八号元件、九号元件和七号元件电流路线的三条支路中，一号元件、二号元件、四号元件、三号元件、六号元件调控温度系数，达到零温度的基准电压。

13、进一步地，所述三号元件一侧通过电路连有六号元件；

14、通过上述技术方案，六号元件的设置有利于电源的流通。

15、进一步地，所述十四号元件一侧通过电路连接有五号元件；

16、通过上述技术方案，五号元件的设置有利于提供一个与负载、功率供给、温度漂移、时间的无关，能保持始终恒定的电压。

17、进一步地，所述十二号元件和五号元件中部通过电路连接有两个反相器；

18、通过上述技术方案，反相器是可以将输入信号的相位反转度，在电子线路设计中，经常要用到反相器，cmos反相器电路由两个增强型mos场效应管组成，典型ttl与非门电路由输入级、中间级、输出级组成，有利于控制使能端来控制电路的开关，启动电路保证电路正常开启。

19、本实用新型具有如下有益效果：

20、1、本实用新型提出的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，目前，常见的基准电压源，通过晶体管产生正负相消的温度系数，从而达到恒定电压，但是晶体管面积较大并且电路消耗电流很难降低，与传统方案相比，本电路采用全cmos集成结构，启动电路，基准电压产生电路，运放和反相器，通过工作在亚阈值cmos管产生基准电压，降低了工作电流消耗。

21、2、本实用新型提出的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，本电路采用全cmos集成结构，cmos的主要优势是功耗要小得多，与nmos或bipolar电路不同，互补mos电路几乎没有静态功耗，只有在电路实际切换的情况下才会消耗功率，这允许在ic上集成比nmos或双极技术更多的cmos门，从而获得更好的性能，更加的节能和便于使用。

技术特征：

1.一种低功耗亚阈值基准电压源结构，包括一号元件(6)，其特征在于：所述一号元件(6)下端通过电路连接有二号元件(7)，所述二号元件(7)一侧通过电路连接有四号元件(8)；

2.根据权利要求1所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述十一号元件(2)一侧通过电路连接有十号元件(1)，所述十号元件(1)下端通过电路连接有十二号元件(3)。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述十一号元件(2)下端通过电路连接有十三号元件(4)，所述十三号元件(4)下端通过电路连接有十四号元件(5)。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述四号元件(8)上端通过电路连接有三号元件(9)。

5.根据权利要求4所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述三号元件(9)上端通过电路连接有八号元件(12)，所述八号元件(12)一侧通过电路连接有九号元件(11)。

6.根据权利要求4所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述三号元件(9)一侧通过电路连有六号元件(10)。

7.根据权利要求3所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述十四号元件(5)一侧通过电路连接有五号元件(14)。

8.根据权利要求2所述的一种低功耗亚阈值基准电压源结构，其特征在于：所述十二号元件(3)和五号元件(14)中部通过电路连接有两个反相器(15)。

技术总结本技术涉及基准电压源结构技术领域，公开了一种低功耗亚阈值基准电压源结构，包括一号元件，所述一号元件下端通过电路连接有二号元件，所述二号元件一侧通过电路连接有四号元件，所述一号元件上端通过电路连接有七号元件，所述七号元件一侧通过电路连接有十一号元件。本技术中，本电路采用全CMOS集成结构，启动电路，基准电压产生电路，运放和反相器，通过工作在亚阈值CMOS管产生基准电压，降低了工作电流消耗，本电路采用全CMOS集成结构，CMOS的主要优势是功耗要小得多，与NMOS或BIPOLAR电路不同，互补MOS电路几乎没有静态功耗，只有在电路实际切换的情况下才会消耗功率，这允许在IC上集成比NMOS或双极技术更多的CMOS门，从而获得更好的性能。技术研发人员：王昌志受保护的技术使用者：苏州锐迪联电子科技有限公司技术研发日：20231219技术公布日：2024/7/18