一种NMOS管栅源快速放电电路的制作方法

本发明涉及一种nmos管栅源快速放电电路。

背景技术：

1、场效应管属于压控器件，栅源极输入阻抗大，每个电极间均存在结电容，功率越大的场效应管其结电容越大，导致场效应管关闭时间较长，pwm占空比控制精度受到限制，当频率高到一定程度时，无法实现调速功能。

2、一般解决此问题的方法是在栅极的输入限流电阻上反向并联一只二极管，能起到快速放电的效果，但是传统的mcu放电是通过mcu内部端口低边管放电，端口低边管的灌电流能力是有限的，一般在10ma左右，因此会损坏mcu。

技术实现思路

1、本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，而提供一种nmos管栅源快速放电电路。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：一种nmos管栅源快速放电电路，包括依次连接的mcu、快速放电电路、nmos管q2以及电机，nmos管q2的漏极与电机连接，所述nmos管q2的源极接地，所述nmos管q2的栅极与快速放电电路连接，所述快速放电电路包括二极管d1、三极管q1以及电阻r2，所述二极管d1的两端并联三极管q1，三极管q1的基极接二极管d1的正极，三极管q1的集电极串联电阻r2且与二极管d1的负极连接，三极管q1的发射极接地。

3、作为本发明的一种优选技术方案，所述nmos管q2的栅极通过电阻r3、电容c1与电阻r2连接，所述电阻r3和电容c1并联且一端接地，另一端与电阻r2连接。

4、作为本发明的一种优选技术方案，所述二极管d1与mcu之间串联有电阻r1，所述电阻r1一端与二极管d1的正极连接，另一端与mcu连接。

5、作为本发明的一种优选技术方案，所述mcu具有端口低边管以及端口高边管，所述端口低边管接地设置，所述端口高边管与vdd连接。

6、与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用旁路泄流法将栅源结电容的电荷快速释放掉，实现场效应管快速放电的效果，能够支持更高的pwm驱动频率及占空比控制精度问题，而且能够避免mcu损坏，工作原理：当pwm高电平时，二极管d1导通，三极管q1截止，场效应管开启；当pwm为低电平时，二极管d1截止，三极管q1导通，将场效应管的栅源结电容的电荷快速释放掉，避免损坏mcu。

技术特征：

1.一种nmos管栅源快速放电电路，包括依次连接的mcu、快速放电电路、nmos管q2以及电机，其特征在于：所述nmos管q2的漏极与电机连接，所述nmos管q2的源极接地，所述nmos管q2的栅极与快速放电电路连接，所述快速放电电路包括二极管d1、三极管q1以及电阻r2，所述二极管d1的两端并联三极管q1，三极管q1的基极接二极管d1的正极，三极管q1的集电极串联电阻r2且与二极管d1的负极连接，三极管q1的发射极接地。

2.根据权利要求1所述的nmos管栅源快速放电电路，其特征在于：所述nmos管q2的栅极通过电阻r3、电容c1与电阻r2连接，所述电阻r3和电容c1并联且一端接地，另一端与电阻r2连接。

3.根据权利要求1所述的nmos管栅源快速放电电路，其特征在于：所述二极管d1与mcu之间串联有电阻r1，所述电阻r1一端与二极管d1的正极连接，另一端与mcu连接。

4.根据权利要求1所述的nmos管栅源快速放电电路，其特征在于：所述mcu具有端口低边管以及端口高边管，所述端口低边管接地设置，所述端口高边管与vdd连接。

技术总结本发明公开了一种NMOS管栅源快速放电电路，包括依次连接的MCU、快速放电电路、NMOS管Q2以及电机，NMOS管Q2的漏极与电机连接，NMOS管Q2的源极接地，NMOS管Q2的栅极与快速放电电路连接，快速放电电路包括二极管D1、三极管Q1以及电阻R2，二极管D1的两端并联三极管Q1，三极管Q1的基极接二极管D1的正极，三极管Q1的集电极串联电阻R2且与二极管D1的负极连接，三极管Q1的发射极接地，本发明采用旁路泄流法将栅源结电容的电荷快速释放掉，实现场效应管快速放电的效果，能够支持更高的PWM驱动频率及占空比控制精度问题，而且能够避免MCU损坏。技术研发人员：陈辉明,伍伟,王高生,朱烊烊受保护的技术使用者：浙江长江汽车电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29