一种陶瓷覆铜载板的制作方法及陶瓷覆铜载板与流程

本发明涉及集成电路制作领域，特别涉及一种陶瓷覆铜载板的制作方法及陶瓷覆铜载板。

背景技术：

1、陶瓷覆铜载板是高压大功率igbt模块的重要组成部件，既具有陶瓷的高导热、高电气绝缘、较高机械强度等特性，又具有无氧铜的高导电性和优良焊接性能，还能制作出各种图形，是适用于sic芯片、大功率igbt模块、半导体制冷制热器件的封装材料。

2、陶瓷覆铜载板是在陶瓷覆铜载板基板上制作图形电路，陶瓷覆铜载板基板比pcb基板板略小，厚度约0.2 mm，其中，铜厚250~600um（pcb板基板的铜厚 25~105um）。

3、现有的陶瓷覆铜载板的制作工艺路线为：①陶瓷覆铜载板基板前处理；②贴膜、曝光、显影、蚀刻、退膜，形成图形电路；③后处理；④激光二维码雕刻；⑤切割、检验、包装，形成陶瓷覆铜载板。

4、陶瓷覆铜载板客户端封装时通过银烧结工艺（约200℃持续5~10分钟）封装，使用时二维码出现读取障碍（二维码只占陶瓷覆铜载板的极小区域），为了解决该问题，现有技术采用增加二维码尺寸，但此举会导致客户端排版受限，产品不利于小型化。

5、上述背景技术是为了便于理解本发明，并非是申请本发明之前已向普通公众公开的公知技术。

技术实现思路

1、针对上述缺陷，本发明提供一种陶瓷覆铜载板的制作方法，在不增加二维码尺寸下，克服了读取障碍，提高了读取能力，有利于小型化。

2、技术方案是：一种陶瓷覆铜载板的制作方法，包括以下步骤：

3、步骤s1，陶瓷覆铜载板基板前处理；

4、步骤s2，贴膜、曝光、显影、蚀刻、退膜，形成图形电路；

5、步骤s3，后处理；

6、步骤s4，激光扫底；

7、步骤s5，激光二维码雕刻，形成二维码；

8、步骤s6，切割、检验、包装。

9、进一步地，所述激光扫底包括：激光扫底与二维码位置关系为居中，扫底边距＞二维码单矩阵宽度*2，激光扫底方向与激光二维码雕刻的方向垂直。

10、进一步地，所述激光扫底还包括：

11、扫底雕刻形式：点雕刻；扫底公式：扫底点间距=扫底激光光斑直径*2；扫底雕刻深度≥粗糙度ra*2。

12、进一步地，所述激光扫底还包括：

13、扫底雕刻速度x=z*y*激光器最大功率，其中，y 范围为1/3~2，z范围为10~60；扫底线间距=扫底激光光斑直径*m，其中，m范围为1/3~2。

14、进一步地，所述点雕刻为0度线点雕刻、45度线点雕刻、135度线点雕刻或回形雕刻。

15、进一步地，所述激光二维码雕刻包括：二维码雕刻形式：线阵雕刻；二维码线雕刻公式：二维码点间距=二维码激光光斑直径/5；二维码雕刻深度≥粗糙度ra*3；二维码雕刻速度a=n*p*激光器最大功率，其中，n范围为1/3~2，p范围为10~60；二维码雕刻线间距=二维码激光光斑直径*q，其中，q范围为1/3~2。

16、进一步地，所述激光扫底的波长为355~1064 nm。

17、本发明还提供一种陶瓷覆铜载板。

18、一种陶瓷覆铜载板，该陶瓷覆铜载板为高温抗氧化陶瓷覆铜载板，所述高温抗氧化陶瓷覆铜载板由上述的陶瓷覆铜载板的制作方法制备而成。

19、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

20、现有陶瓷覆铜载板使用时二维码出现读取障碍，经分析原因在于：

21、一方面，陶瓷覆铜载板基板制程中，铜与陶瓷经高温键合在一起，其最高温度可到1080℃，在此键合过程中铜面晶粒会发生色差以及粗糙度变化，而晶粒色差会对二维码产生干涉，影响其读取能力，虽然二维码具备30%左右的纠错能力，但其评级会有所降低，如图1。

22、另一方面，银烧结工艺后（约200℃持续5~10分钟）铜表面氧化严重，铜表面氧化同样影响其可读性，如图2。

23、现有陶瓷覆铜载板通过增加二维码尺寸克服读取障碍，实际上是二维码尺寸增加后，其单矩阵宽度大于晶粒，从而解决了读取障碍，实际上陶瓷覆铜载板整体尺寸变大。

24、本发明通过增加激光扫底，在不增加二维码尺寸下，克服了读取障碍，提高了读取能力，有利于小型化。

技术特征：

1.一种陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述激光扫底包括：激光扫底与二维码位置关系为居中，扫底边距＞二维码单矩阵宽度*2，激光扫底方向与激光二维码雕刻的方向垂直。

3.根据权利要求2所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述激光扫底还包括：

4.根据权利要求3所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述激光扫底还包括：

5.根据权利要求3所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述点雕刻为0度线点雕刻、45度线点雕刻、135度线点雕刻或回形雕刻。

6.根据权利要求2-5任一项所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述激光二维码雕刻包括：二维码雕刻形式为线阵雕刻；二维码线雕刻公式为二维码点间距=二维码激光光斑直径/5；二维码雕刻深度≥粗糙度ra*3；二维码雕刻速度a=n*p*激光器最大功率，其中，n范围为1/3~2，p范围为10~60；二维码雕刻线间距=二维码激光光斑直径*q，其中，q范围为1/3~2。

7.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述激光扫底的波长为355~1064 nm。

8.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述陶瓷覆铜载板基板为铜与陶瓷经高温键合形成的陶瓷覆铜载板基板。

9.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜载板的制作方法，其特征在于，所述激光扫底的区域与激光二维码雕刻的区域重合。

10.一种陶瓷覆铜载板，该陶瓷覆铜载板为高温抗氧化陶瓷覆铜载板，其特征在于，所述高温抗氧化陶瓷覆铜载板由权利要求1-9任一项所述的陶瓷覆铜载板的制作方法制备而成。

技术总结本发明公开了一种陶瓷覆铜载板的制作方法及陶瓷覆铜载板，属于集成电路制作领域，包括以下步骤：步骤S1，陶瓷覆铜载板基板前处理；步骤S2，贴膜、曝光、显影、蚀刻、退膜，形成图形电路；步骤S3，后处理；步骤S4，激光扫底；步骤S5，激光二维码雕刻，形成二维码；步骤S6，切割、检验、包装。本发明在不增加二维码尺寸下，克服了读取障碍，提高了读取能力，有利于小型化。技术研发人员：朱锐,杨世兵,胡琳,马敬伟,王小伟,田春,陆玉龙,刘珊,王斑田受保护的技术使用者：四川富乐华半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25