一种具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘的制作方法

本技术属于半导体工艺器件，具体地涉及一种具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘。

背景技术：

1、现有的静电卡盘结构及原理例如授权公告号为cn105374727b的中国发明专利所述，静电卡盘为目前半导体设备中常用的装置，需要采用高压电源，形成如1-2毫安的小电流，进而与其上放置的晶圆形成静电吸附作用。但由于晶圆与静电卡盘之间间隙较小，工作过程中有概率会出现高压放电现象，现有的静电卡盘中只具有一个电源，当其因打火放电而损坏，静电卡盘就会完全失去吸附能力，进而可能造成晶圆掉落等严重后果。尤其对于目前一些先进半导体制程，晶圆的成本很高，晶圆掉落会造成极大的经济损失，因此需要一种在放电故障情况仍能保证晶圆吸附的静电卡盘。

技术实现思路

1、基于现有技术存在的技术问题，本实用新型提供一种具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，解决现有静电卡盘可能因高压放电现象而导致吸附失败的问题，实现即使出现放电故障，也能保证吸附作用不会完全消失，避免晶圆掉落等情况，并且结构简单、合理、易于实施。

2、依据本实用新型的技术方案，本实用新型提供了一种具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，静电卡盘上具有六个薄板电极，相邻的薄板电极之间具有间隙或绝缘填充部；六个薄板电极分为三组独立加高压电源区域，每一组独立加高压电源区域均包括一个正极电极和一个负极电极；每一组独立加高压电源区域均连接有一个高压电源，高压电源的正极输出端与正极电极的背侧相连接，高压电源的负极输出端与负极电极的背侧相连接。

3、进一步地，静电卡盘设置于离子注入机的扫描机器人上。

4、进一步地，静电卡盘呈圆形。

5、进一步地，六个薄板电极之间的分界线为从静电卡盘的中部向外侧延伸的形状。

6、进一步地，每一个薄板电极的形状均包括有扇形基础，在扇形基础的一侧具有凹形部，在扇形基础的另一侧具有凸形部，凹形部和凸形部的形状及位置均相匹配，扇形基础的圆心角位置处具有接线部。

7、进一步地，在静电卡盘上，正极电极和负极电极相间隔地分布。

8、进一步地，在一组独立加高压电源区域中，正极电极和负极电极相邻设置。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益技术效果如下：

10、本实用新型的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘划分出了三个独立加高压电源区域并配有相互独立的三个高压电源，从而当一个区域或其高压电源出现如高压放电等故障、失去吸附能量时，其他的吸附区域仍能够起到吸附作用，保证吸附晶圆的稳定性，避免了目前生产企业对晶圆位移甚至掉落情况的担忧。

技术特征：

1.一种具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘(1)上具有六个薄板电极(2)，相邻的所述薄板电极(2)之间具有间隙或绝缘填充部；六个所述薄板电极(2)分为三组独立加高压电源区域，每一组独立加高压电源区域均包括一个正极电极(3)和一个负极电极(4)；每一组独立加高压电源区域均连接有一个高压电源，所述高压电源的正极输出端与所述正极电极(3)的背侧相连接，所述高压电源的负极输出端与所述负极电极(4)的背侧相连接。

2.根据权利要求1所述的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘(1)设置于离子注入机的扫描机器人(5)上。

3.根据权利要求1所述的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘(1)呈圆形。

4.根据权利要求3所述的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，六个所述薄板电极(2)之间的分界线为从静电卡盘的中部向外侧延伸的形状。

5.根据权利要求4所述的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，每一个所述薄板电极(2)的形状均包括有扇形基础(6)，在所述扇形基础(6)的一侧具有凹形部(7)，在所述扇形基础(6)的另一侧具有凸形部(8)，所述凹形部(7)和所述凸形部(8)的形状及位置均相匹配，所述扇形基础(6)的圆心角位置处具有接线部(9)。

6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，在所述静电卡盘(1)上，所述正极电极(3)和所述负极电极(4)相间隔地分布。

7.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，其特征在于，在一组所述独立加高压电源区域中，所述正极电极(3)和所述负极电极(4)相邻设置。

技术总结本技术涉及一种具有三个独立加高压电源区域的静电卡盘，属于半导体工艺器件技术领域，静电卡盘上具有六个薄板电极，相邻的薄板电极之间具有间隙或绝缘填充部；六个薄板电极分为三组独立加高压电源区域，每一组独立加高压电源区域均包括一个正极电极和一个负极电极；每一组独立加高压电源区域均连接有一个高压电源，高压电源的正极输出端与正极电极的背侧相连接，高压电源的负极输出端与负极电极的背侧相连接。本方案划分出了三个独立加高压电源区域并配有相互独立的三个高压电源，从而当一个区域或其高压电源出现如高压放电等故障、失去吸附能量时，其他的吸附区域仍能够起到吸附作用，保证吸附晶圆的稳定性，避免了生产企业对晶圆位移甚至掉落情况的担忧。技术研发人员：张劲,陈炯受保护的技术使用者：芯嵛半导体（上海）有限公司技术研发日：20231222技术公布日：2024/7/25