滤波器耦合加强结构的制作方法

本发明涉及通信，尤其涉及一种滤波器耦合加强结构。

背景技术：

1、在通信领域，滤波器成为不可或缺的频率选择器件；当前电磁混合耦合结构被广泛应用于各种滤波器当中，然而低频段强磁耦合实现比较困难。而现有的滤波器结构未能够很好的实现低频段强磁耦合的技术效果。

2、图1示出了传统的同轴滤波器的耦合形式，滤波器第一个谐振杆和第二个谐振杆之间使用窗口耦合，能够实现100mhz耦合带宽，仿真滤波器响应带宽如图3；但其无法在低频段实现强磁耦合。

3、综上，现有的滤波器结构无法实现低频段强磁耦合，因此有必要加以改进。

技术实现思路

1、针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种滤波器耦合加强结构，具有低频段强磁耦合的技术效果。

2、为了实现上述目的，本发明提供一种滤波器耦合加强结构，包括有第一谐振杆、第二谐振杆、带状线结构以及导体，所述带状线结构的两端分别设于所述第一谐振杆和所述第二谐振杆的顶面以用于实现同轴滤波器耦合，所述导体两端分别与所述第一谐振杆和所述第二谐振杆连接；其中，通过调整所述导体在所述第一谐振杆和所述第二谐振杆之间的连接位置和/或所述导体的大小，以调节所述第一谐振杆和所述第二谐振杆之间的感性耦合强度。

3、可选的，所述带状线结构为金属片和介质片的组合结构。

4、可选的，所述金属片和所述介质片之间上下堆叠分布，所述介质片的两端分别设于所述第一谐振杆和所述第二谐振杆的顶面，所述金属片组接在所述介质片之上。

5、可选的，所述带状线结构为条形板状结构。

6、可选的，所述导体两端分别连接在所述第一谐振杆和所述第二谐振杆的侧面，且所述导体呈圆柱体结构。

7、可选的，所述导体由金属材料制成。

8、本发明所述的滤波器耦合加强结构包括有第一谐振杆、第二谐振杆、带状线结构以及导体，所述带状线结构的两端分别设于所述第一谐振杆和第二谐振杆的顶面以用于实现同轴滤波器耦合，导体两端分别与所述第一谐振杆和第二谐振杆连接；其中，通过调整所述导体在所述第一谐振杆和第二谐振杆之间的连接位置和/或导体的大小，以调节所述第一谐振杆和第二谐振杆之间的感性耦合强度。如此，本发明在谐振杆顶面用带状线实现了耦合谐振器的强电耦合，采用导体将两个同轴腔内的谐振杆连接起来，形成两个谐振腔间的强磁耦合。

技术特征：

1.一种滤波器耦合加强结构，其特征在于，包括有第一谐振杆、第二谐振杆、带状线结构以及导体，所述带状线结构的两端分别设于所述第一谐振杆和所述第二谐振杆的顶面以用于实现同轴滤波器耦合，所述导体两端分别与所述第一谐振杆和所述第二谐振杆连接；其中，通过调整所述导体在所述第一谐振杆和所述第二谐振杆之间的连接位置和/或所述导体的大小，以调节所述第一谐振杆和所述第二谐振杆之间的感性耦合强度。

2.根据权利要求1所述的滤波器耦合加强结构，其特征在于，所述带状线结构为金属片和介质片的组合结构。

3.根据权利要求2所述的滤波器耦合加强结构，其特征在于，所述金属片和所述介质片之间上下堆叠分布，所述介质片的两端分别设于所述第一谐振杆和所述第二谐振杆的顶面，所述金属片组接在所述介质片之上。

4.根据权利要求2所述的滤波器耦合加强结构，其特征在于，所述带状线结构为条形板状结构。

5.根据权利要求1所述的滤波器耦合加强结构，其特征在于，所述导体两端分别连接在所述第一谐振杆和所述第二谐振杆的侧面，且所述导体呈圆柱体结构。

6.根据权利要求1所述的滤波器耦合加强结构，其特征在于，所述导体由金属材料制成。

技术总结本发明提供了一种滤波器耦合加强结构，包括有第一谐振杆、第二谐振杆、带状线结构以及导体，所述带状线结构的两端分别设于所述第一谐振杆和第二谐振杆的顶面以用于实现同轴滤波器耦合，导体两端分别与所述第一谐振杆和第二谐振杆连接；其中，通过调整所述导体在所述第一谐振杆和第二谐振杆之间的连接位置和/或导体的大小，以调节所述第一谐振杆和第二谐振杆之间的感性耦合强度。如此，本发明能够实现低频段强磁耦合。技术研发人员：张永锋,冯煜,王斌华,胡孟夏受保护的技术使用者：摩比天线技术（深圳）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25