具有可拆卸轴的静电夹盘的制作方法

本公开的实施例关于反应器或等离子体处理腔室的领域，且具体而言，关于具有可拆卸轴的静电夹盘。

背景技术：

1、处理系统(诸如反应器或等离子体反应器)用于在基板上形成器件，基板诸如半导体晶片或透明基板。通常将基板保持在支撑件上以进行处理。可通过真空、重力、静电力、或通过其他合适的技术将基板保持到支撑件。在处理期间，通过从耦合到电极的一个或多个功率源向腔室中的电极施加功率(诸如射频(rf)功率)，将腔室中的前驱物气体或气体混合物赋能(例如，激发)成等离子体。激发的气体或气体混合物反应以在基板表面上形成材料层。所述层可例如为钝化层、闸极绝缘体、缓冲层、和/或蚀刻停止层。

2、在半导体和其他工业中，静电夹盘(esc)用于在处理基板期间将工件(诸如基板)保持在支撑件上。典型的esc可包括基底、设置在基底上的电绝缘层、和嵌入电绝缘层中的一个或多个电极。esc可提供有嵌入式电加热器，以及流体耦合至热传送气体源以用于在处理期间控制基板温度。在使用期间，esc固定至处理腔室中的支撑件。esc中的电极通过电压源相对于设置在esc上的基板电偏置。相反的静电电荷累积在esc的电极中和基板表面上，绝缘层阻止电荷在其间流动。在基板处理期间，由静电电荷累积产生的静电力将基板保持至esc。

技术实现思路

1、本公开的实施例包括用于等离子体处理腔室的静电夹盘(esc)和制造esc的方法。

2、在实施例中，基板支撑组件包括：冷却底部板；陶瓷顶部板；以及接合层，所述接合层在所述陶瓷顶部板和所述冷却底部板之间，所述陶瓷顶部板与所述接合层直接接触，且所述接合层与所述冷却底部板直接接触。可拆卸轴通过多个螺栓在所述冷却底部板与所述接合层相对的一侧处耦合至所述冷却底部板。

3、在实施例中，系统包括：腔室；等离子体源，所述等离子体源在所述腔室内或耦合至所述腔室；以及静电夹盘，所述静电夹盘在所述腔室内。所述静电夹盘包括：冷却底部板；陶瓷顶部板；以及接合层，所述接合层在所述陶瓷顶部板和所述冷却底部板之间，所述陶瓷顶部板与所述接合层直接接触，且所述接合层与所述冷却底部板直接接触。可拆卸轴通过多个螺栓在所述冷却底部板与所述接合层相对的一侧处耦合至所述冷却底部板。

技术特征：

1.一种基板支撑组件，包括：

2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述可拆卸轴为金属轴。

3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述陶瓷顶部板具有所述陶瓷顶部板中的加热器元件和电极。

4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述冷却底部板包括所述冷却底部板中的冷却通道。

5.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述陶瓷顶部板包括所述陶瓷顶部板的底部表面中的气体沟槽。

6.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括：

7.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括：

8.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述接合层为硅接合层、有机接合层、或铝箔。

9.如权利要求8所述的基板支撑组件，其中所述铝箔具有范围在50至500微米中的厚度。

10.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述冷却底部板为金属冷却底部板。

11.一种系统，包括：

12.如权利要求11所述的系统，其中所述可拆卸轴为金属轴。

13.如权利要求11所述的系统，其中所述静电夹盘的所述陶瓷顶部板具有所述陶瓷顶部板中的加热器元件和电极。

14.如权利要求11所述的系统，其中所述静电夹盘的所述冷却底部板包括所述冷却底部板中的冷却通道。

15.如权利要求11所述的系统，其中所述静电夹盘的所述陶瓷顶部板包括所述陶瓷顶部板的底部表面中的气体沟槽。

16.如权利要求11所述的系统，所述静电夹盘进一步包括：

17.如权利要求11所述的系统，所述静电夹盘进一步包括：

18.如权利要求11所述的系统，其中所述接合层为硅接合层、有机接合层、或铝箔。

19.如权利要求18所述的系统，其中所述铝箔具有范围在50至500微米中的厚度。

20.如权利要求11所述的系统，其中所述冷却底部板为金属冷却底部板。

技术总结描述用于等离子体处理腔室的静电夹盘(ESC)和制造ESC的方法。在示例中，基板支撑组件包括：冷却底部板；陶瓷顶部板；以及接合层，所述接合层在所述陶瓷顶部板和所述冷却底部板之间，所述陶瓷顶部板与所述接合层直接接触，且所述接合层与所述冷却底部板直接接触。可拆卸轴通过多个螺栓在所述冷却底部板与所述接合层相对的一侧处耦合至所述冷却底部板。技术研发人员：V·D·帕科受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25