一种电感元器件的制作方法

本技术属于电感，涉及一种电感元器件，尤其涉及一种应用于垂直供电的电感元器件。

背景技术：

1、近年来，随着数据中心，人工智能等技术的发展，中央处理器(cpu)，图形处理器(gpu)及各类集成芯片(ic)的工作速度越来越快，集成度越来越高，工作电流越来越大。当电流升高，系统电路板因铺铜厚度受到尺寸、工艺影响，电阻大，功耗过高；各种处理器供电电流等级持续提升，其周边供电电感元件体积大、占板面积大等问题有待解决。

2、其中，现有的电源模块(如cn116471807a)通常在电感本体外拼接金属连接件，以提高模块集成度(如图1所示)。其中，横截面积较大的外贴金属件用于通过电路电流，横截面积相对较小的金属连接件形成上下电路信号通路，也有采用pcb板实现电路信号通路的方式。金属件或pcb是通过胶水粘接到电感本体上，中间存在一些间隙，导致空间利用率较低，占板面积较大。另外，多个部件的机械粘接会存在表面不平整的现象，从而会影响到后续电源模块生产良率、存在可靠性风险。

技术实现思路

1、为解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型提供一种电感元器件，所述电感元器件结构简单、集成度高、平面度高及可靠性高，可有效降低后续焊接工艺的制程难度，减小占板面积，提高电源模块的功率密度。

2、为达到上述技术效果，本实用新型采用以下技术方案：

3、本实用新型目的之一在于提供一种电感元器件，所述电感元器件包括：

4、磁芯；

5、所述磁芯外部包覆绝缘材料层；

6、所述绝缘材料层内部设置有贯通孔；

7、所述贯通孔内部设置有第一金属导体，所述第一金属导体包括绕组、电源通路或信号通路中的任意一种或至少两种的组合。

8、作为本实用新型优选的技术方案，所述第一金属导体与所述贯通孔固定连接。

9、作为本实用新型优选的技术方案，所述贯通孔为垂直贯通孔。

10、作为本实用新型优选的技术方案，通过金属化在所述贯通孔内部设置第一金属导体，或通过浇铸在所述贯通孔内设置第一金属导体。

11、作为本实用新型优选的技术方案，所述电感元器件还包括第二金属导体，所述第二金属导体与所述磁芯接触设置。

12、作为本实用新型优选的技术方案，所述第二金属导体包括绕组和/或电源通路。

13、作为本实用新型优选的技术方案，所述磁芯表面设置有垂直贯通的凹槽结构，所述贯通孔设置于所述凹槽结构内部的绝缘材料层。

14、作为本实用新型优选的技术方案，所述电感元器件表面设置有焊盘，所述焊盘与所述第一金属导体连接。

15、作为本实用新型优选的技术方案，所述焊盘分别独立地与所述第一金属导体和所述第二金属导体连接。

16、作为本实用新型优选的技术方案，所述焊盘设置于所述电感元器件一侧，与所述第一金属导体焊接形成t字型。

17、作为本实用新型优选的技术方案，所述焊盘设置于所述电感元器件两侧，与所述第一金属导体焊接形成工字型。

18、与现有技术相比，本实用新型至少具有以下有益效果：

19、本实用新型提供一种电感元器件，所述感元器件结构简单、集成度高、平面度高及可靠性高，可有效降低后续焊接工艺的制程难度，减小占板面积，提高电源模块的功率密度。

技术特征：

1.一种电感元器件，其特征在于，所述电感元器件包括：

2.根据权利要求1所述的电感元器件，其特征在于，所述第一金属导体与所述贯通孔固定连接。

3.根据权利要求1所述的电感元器件，其特征在于，所述贯通孔为垂直贯通孔。

4.根据权利要求1所述的电感元器件，其特征在于，所述电感元器件还包括第二金属导体，所述第二金属导体与所述磁芯接触设置。

5.根据权利要求4所述的电感元器件，其特征在于，所述第二金属导体包括绕组和/或电源通路。

6.根据权利要求1所述的电感元器件，其特征在于，所述磁芯表面设置有垂直贯通的凹槽结构，所述贯通孔设置于所述凹槽结构内部的绝缘材料层。

7.根据权利要求4所述的电感元器件，其特征在于，所述电感元器件表面设置有焊盘，所述焊盘与所述第一金属导体连接。

8.根据权利要求7所述的电感元器件，其特征在于，所述焊盘分别独立地与所述第一金属导体和所述第二金属导体连接。

9.根据权利要求7所述的电感元器件，其特征在于，所述焊盘设置于所述电感元器件一侧，与所述第一金属导体焊接形成t字型。

10.根据权利要求7所述的电感元器件，其特征在于，所述焊盘设置于所述电感元器件两侧，与所述第一金属导体焊接形成工字型。

技术总结本技术提供一种电感元器件，所述电感元器件包括：磁芯；所述磁芯外部包覆绝缘材料层；所述绝缘材料层内部设置有贯通孔；所述贯通孔内部设置有第一金属导体，所述第一金属导体包括绕组、电源通路或信号通路中的任意一种或至少两种的组合。所述电感元器件结构简单、集成度高、平面度高及可靠性高，可有效降低后续焊接工艺的制程难度，减小占板面积，提高电源模块的功率密度。技术研发人员：张云帆,郭雄志,罗涛,黎亚庆,刘志达受保护的技术使用者：惠州铂科新感技术有限公司技术研发日：20230928技术公布日：2024/7/25