半导体封装的制作方法

本技术实施例涉及一种半导体封装。

背景技术：

1、由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改善，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种改善来自于最小特征大小(feature size)的重复减小，此使得更多更小的组件能够整合至给定面积中。该些更小的电子组件亦需要相较于以前的封装利用更少面积的更小的封装。尽管现有的半导体封装一般已足以满足其预期目的，然而其尚未在所有方面皆完全令人满意。

技术实现思路

1、根据一些实施例，本实用新型实施例提供一种半导体封装，其包括第一晶粒、第二晶粒及重布线层结构。第一晶粒及第二晶粒在侧向上设置。重布线层结构设置于第一晶粒及第二晶粒之上且电性连接至第一晶粒及第二晶粒，其中重布线层结构包括多个通孔及多条线，所述多个通孔与所述多条线交替地堆叠且电性连接至彼此并且嵌入于多个聚合物层，且其中自俯视图来看，所述多个通孔中的与第一晶粒或第二晶粒交叠的第一通孔具有类似椭圆形的形状。

2、根据一些实施例，本实用新型实施例提供一种半导体封装，其包括第一晶粒、第二晶粒、介电包封层、多个第一通孔及第一聚合物层。第一晶粒包括多个第一晶粒连接件及围绕第一晶粒连接件的第一保护层。第二晶粒设置于第一晶粒旁边且包括多个第二晶粒连接件及围绕第二晶粒连接件的第二保护层。介电包封层对第一晶粒及第二晶粒进行包封。第一通孔设置于第一晶粒的第一晶粒连接件及第二晶粒的第二晶粒连接件之上且与第一晶粒连接件及第二晶粒连接件实体接触。第一聚合物层环绕第一通孔。第一通孔是细长通孔且彼此平行地布置。

技术特征：

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔在半长轴处具有第一长度且在半短轴处具有第二长度，所述第一长度大于所述第二长度，且所述第一通孔的所述半长轴沿着自所述第一晶粒朝向所述第二晶粒的方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第一晶粒具有电性连接至所述重布线层结构的多个第一晶粒连接件，且其中自俯视图来看，所述第一晶粒连接件具有类似圆形的形状且具有第一直径。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔的所述第一长度大于所述第一晶粒连接件的所述第一直径，且所述第一通孔的所述第二长度小于所述第一晶粒连接件的所述第一直径。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔的所述第一长度及所述第二长度二者不大于所述第一晶粒连接件的所述第一直径。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔朝向所述多条线中的相邻线的延伸方向伸长。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，自俯视图来看，所述多个通孔中不与所述第一晶粒或所述第二晶粒交叠的第二通孔具有类似圆形的形状。

8.一种半导体封装，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔与所述第一晶粒的所述第一保护层实体接触。

10.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔的上部侧壁与所述第一聚合物层隔开，且所述第一通孔的下部侧壁与所述第一聚合物层接触。

技术总结本技术实施例的各种实施例涉及一种半导体封装，其包括第一晶粒、第二晶粒及重布线层结构。第一晶粒及第二晶粒在侧向上设置。重布线层结构设置于第一晶粒及第二晶粒之上且电性连接至第一晶粒及第二晶粒，其中重布线层结构包括多个通孔及多条线，所述多个通孔与所述多条线交替地堆叠且电性连接至彼此并且嵌入于多个聚合物层，且其中自俯视图来看，所述多个通孔中的与第一晶粒或第二晶粒交叠的第一通孔具有类似椭圆形的形状。技术研发人员：刘子正,游珽崵,李明潭,郭宏瑞受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230821技术公布日：2024/7/25