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半导体装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 18:19:34

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术:

1、已知将具有供连接销插入的圆筒状的轴和设置于其端部的法兰的连接元件焊接于电路载体的导电区域上的技术、以及在该法兰的端面将从其平坦面以预定的高度突出的多个腹板沿着法兰的外缘部设置的技术(专利文献1)。

2、另外,已知在具有与外部端子嵌合的中空孔且在下端部设置有被焊接在绝缘基板上的金属区域的法兰的接触部件的、该法兰的端面设置平坦的底面和从筒的内周端朝向法兰外周端的凹部,并在筒内部下端设置倒角部、台阶部或凹面加工部这样的切口部的技术(专利文献2)。

3、另外,已知在被焊接在层叠基板的电路层的筒状部件的、与其圆筒部的端部连接的法兰部以相邻的突部间距离大于圆筒部内径的方式设置多个突部的技术,以及将多个突部不设置在与圆筒部连接的内周侧的曲面部,而是以与法兰部的外周接触的方式设置在与曲面部连接的外周侧的圆盘状平坦部的技术(专利文献3)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:美国专利申请公开第2009/0194884号说明书

7、专利文献2:国际公开第2014/148319号手册

8、专利文献3:日本特开2017-11221号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在具有绝缘基板和配置在绝缘基板的主面的导电层的绝缘电路基板的、该导电层连接有用于插入外部端子的被称为套筒的筒状部件的半导体装置中,例如使用自动插入机将外部端子的一端部插入到该套筒的孔中。在使用自动插入机插入外部端子时,首先,在该插入之前,基于通过从绝缘电路基板的套筒侧的拍摄而获取的图像,进行该套筒的二值化处理,并检测套筒的孔的中心位置。然后,通过自动插入机将外部端子的一端部插入到这样检测出的套筒的孔的中心位置。

3、套筒通常被构成为包括具有孔的圆筒部、以及在其两开口端分别设置的法兰部。考虑到法兰部与绝缘电路基板的导电层之间的焊接,以往在这样的套筒的、进行图像获取以及基于此的二值化处理的法兰部的端面有时设置上述这样的凹凸。但是,在该情况下,在从套筒的法兰部侧获取图像时,根据设置于其端面的凹凸的配置以及基于此的影子的形成方式,可能发生在由二值化处理检测出的套筒的孔的中心位置产生从本来的中心位置的偏离的情况。如果在由二值化处理检测出的孔的中心位置产生偏离,则用自动插入机将外部端子的一端部插入到该偏离的中心位置的结果是,可能发生外部端子以倾斜的状态插入到套筒的情况。

4、这样的外部端子的倾斜在想要将该外部端子的与套筒插入侧相反的另一端部侧插入到电路基板等部件时,存在导致由位置偏离的另一端部的碰撞引起的破损和/或未插入到预定的插入位置的插入不良等的风险。

5、在一个方面,本发明的目的是实现一种能够抑制套筒的通过基于其法兰部的图像的二值化处理而检测出的孔的中心位置的偏离,且能够抑制一端部插入到套筒的外部端子的倾斜的半导体装置。

6、技术方案

7、在一个方式中,提供一种半导体装置,其包括具有绝缘基板和配置在所述绝缘基板的主面的导电层的绝缘电路基板、以及与所述导电层连接的套筒,所述套筒具备具有沿与所述导电层垂直的方向延伸的孔的圆筒部、以及设置在所述圆筒部的开口端的法兰部,所述法兰部包括在从所述开口端侧观察的俯视时,从所述孔的内表面的第一外缘部延伸到所述法兰部的外周为止的多个凸部、以及在从所述开口端侧观察的俯视时,分别设置在所述多个凸部之间,并从所述内表面的第二外缘部延伸到所述外周为止的多个凹部,所述多个凸部分别具有在所述第一外缘部处与所述内表面连续的顶面,所述多个凹部分别具有在所述第二外缘部处与所述内表面连续的底面。

8、另外,在一个方式中,提供一种半导体装置,其包括具有绝缘基板和配置在所述绝缘基板的主面的导电层的绝缘电路基板、以及与所述导电层连接的套筒,所述套筒具备具有沿与所述导电层垂直的方向延伸的孔的圆筒部、以及设置在所述圆筒部的开口端的法兰部,所述法兰部包括在从所述开口端侧观察的俯视时,从所述孔的内表面的第一外缘部延伸到所述法兰部的外周为止的多个凸部、以及在从所述开口端侧观察的俯视时,分别设置在所述多个凸部之间,并从所述内表面的第二外缘部延伸到所述外周为止的多个凹部;在从所述开口端侧观察的俯视时,所述第一外缘部的长度的合计为所述第二外缘部的长度的合计以上。

9、技术效果

10、在一个方面,能够实现一种能够抑制套筒的通过基于其法兰部的图像的二值化处理而检测出的孔的中心位置的偏离,且能够抑制一端部插入到套筒的外部端子的倾斜的半导体装置。

11、本发明的上述及其他目的、特征和优点,通过与表示作为本发明的例子而优选的实施方式的附图相关联的以下的说明而变得清楚。

技术特征:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

9.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

10.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

11.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

12.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

13.根据权利要求2至12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

14.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,

15.根据权利要求14所述的半导体装置,其特征在于,

16.根据权利要求15所述的半导体装置,其特征在于,

17.一种半导体装置,其特征在于,包括:

18.根据权利要求17所述的半导体装置,其特征在于,

19.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

20.根据权利要求17所述的半导体装置,其特征在于,

21.根据权利要求17所述的半导体装置,其特征在于,

22.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

23.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

24.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

25.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

26.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

27.根据权利要求17所述的半导体装置,其特征在于,

28.根据权利要求18所述的半导体装置,其特征在于,

29.根据权利要求28所述的半导体装置,其特征在于,

30.根据权利要求29所述的半导体装置,其特征在于,

31.根据权利要求30所述的半导体装置,其特征在于,

技术总结抑制套筒的通过基于法兰部的图像的二值化处理而检测出的孔的中心位置的偏离。套筒(30A)搭载于半导体装置的绝缘电路基板的导电层,并具备具有孔(31)的圆筒部(32)和设置在其开口端的法兰部(33)。法兰部(33)在从圆筒部(32)的开口端侧观察的俯视时,具有从孔(31)的内表面(36)的第一外缘部(36a)延伸到外周(33a)为止的多个凸部(34)、以及分别设置在多个凸部(34)之间并从内表面(36)的第二外缘部(36b)延伸到外周(33a)为止的多个凹部(35)。各凸部(34)具有在第一外缘部(36a)处与内表面(36)连续的顶面(34a),各凹部(35)具有在第二外缘部(36b)处与内表面(36)连续的底面(35a)。技术研发人员:宫越仁隆,丸山力宏受保护的技术使用者:富士电机株式会社技术研发日:技术公布日:2024/7/25

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