半导体装置、电磁波装置的制作方法

本发明涉及半导体装置、电磁波装置。

背景技术：

1、例如在超过毫米波的高频信号的传播中，通常使用低损耗的中空波导管。生成高频的电信号的半导体芯片收纳于在波导管外设置的腔室中，前端与插入到波导管内的传输线路连接。高频的电信号从半导体芯片经由传输线路传递到其前端的天线，从天线作为电磁波送出(例如，参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-143347号公报。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，在上述那样的结构中，有时产生传输线路中的信号的衰减，相对于波导管的耦合变低。

3、用于解决问题的技术手段

4、作为本发明的一个方式的半导体装置，其包括：半导体元件，其振荡并辐射电磁波；基底，其具有收纳所述半导体元件的收纳空间；和第一波导管，其具有与所述收纳空间连通的第一波导，所述第一波导构成为以基模传输所述电磁波，所述收纳空间是所述电磁波以高阶模共振的共振空间。

5、发明效果

6、本发明的一个方式的半导体装置、电磁波装置能够相对于波导管得到电磁波的高耦合。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于：

6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

7.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于：

9.根据权利要求3～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：

14.根据权利要求3～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

15.根据权利要求3～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：

18.一种电磁波装置，其特征在于，包括：

19.根据权利要求18所述的电磁波装置，其特征在于：

技术总结本发明提供一种半导体装置，其具有：振荡并辐射电磁波的半导体元件；具有收纳半导体元件的收纳空间的基底；和具有与收纳空间连通的第一波导的第一波导管。第一波导构成为以基模传输所述电磁波。收纳空间是电磁波以高阶模共振的共振空间。技术研发人员：西田阳亮,鹤田一魁受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25