一种半导体设备前端模块及半导体设备的制作方法

本技术涉及半导体设备，特别是涉及一种半导体设备前端模块及半导体设备。

背景技术：

1、半导体设备前端模块是半导体设备中的通用前导模组，可用于承载运输晶圆的晶圆传送盒。晶圆进行输送时，无人载具会将晶圆传送盒放置在设备前端模块的晶圆装载端口上，设备前端模块内的机器手臂继续将晶圆导入预真空锁腔室中。目前，在装载端口至预真空锁腔室的输送区域内，晶圆的金属膜容易被大气氧化，导致晶圆的良率降低。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体设备前端模块及半导体设备，本实用新型能够有效提高晶圆的生产线良率。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体设备前端模块，包括：

3、晶圆装载端口；

4、预真空锁腔室；

5、晶圆输送区域，位于所述晶圆装载端口与所述预真空锁腔室之间；

6、氮气输入组件，其输出端设于所述晶圆输送区域内；

7、氧气检测组件，其输入端设于所述晶圆输送区域内；以及

8、控制组件，所述氧气检测组件电性连接于所述控制组件，且所述氮气输入组件电性连接于所述控制组件；

9、其中，所述控制组件根据所述氧气检测组件的氧气检测浓度控制所述氮气输入组件的氮气输入量。

10、在本实用新型一实施例中，半导体设备前端模块还包括：

11、氧气输入组件，其输出端设于所述晶圆输送区域内；以及

12、互锁装置，所述氮气输入组件运行时，所述互锁装置锁定所述氧气输入组件，所述氧气输入组件运行时，所述互锁装置锁定所述氮气输入组件。

13、在本实用新型一实施例中，所述控制组件根据所述氧气检测组件的氧气检测浓度控制所述氧气输入组件的氧气输入量。

14、在本实用新型一实施例中，所述半导体设备前端模块还包括：

15、抽气组件，所述抽气组件的抽气端设于所述晶圆输送区域内；以及

16、前端进气口，与所述晶圆输送区域连通。

17、在本实用新型一实施例中，半导体设备前端模块还包括人体感应器，所述人体感应器电性连接于所述控制组件。

18、在本实用新型一实施例中，半导体设备前端模块还包括：

19、侧门，设于所述晶圆输送区域的外围；以及

20、侧门感应器，设于所述侧门上，且所述侧门感应器电性连接于所述控制组件。

21、在本实用新型一实施例中，所述氮气输入组件包括：

22、主氮气输入组件，与所述晶圆输送区域连接；以及

23、副氮气输入组件，与所述晶圆输送区域连接；

24、其中，所述主氮气输入组件的输入流量大于所述副氮气输入组件的输入流量。

25、在本实用新型一实施例中，半导体设备前端模块还包括气体压力检测器，设于所述晶圆输送区域内，且所述气体压力检测器电性连接于所述控制组件。

26、在本实用新型一实施例中，半导体设备前端模块还包括扩散组件，设于所述晶圆输送区域内，且所述扩散组件与所述氮气输入组件的输出端相连。

27、本实用新型还提供一种半导体设备，包括上述的半导体设备前端模块。

28、如上所述，本实用新型提供一种半导体设备前端模块及半导体设备，此半导体设备前端模块在输送晶圆时可通入足量氮气，意想不到的效果是可以大大减少晶圆在设备前端模块内的氧化问题，从而有效提高晶圆的生产线良率，降低成产成本。

技术特征：

1.一种半导体设备前端模块，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体设备前端模块，其特征在于，所述控制组件根据所述氧气检测组件的氧气检测浓度控制所述氧气输入组件的氧气输入量。

4.根据权利要求2所述的半导体设备前端模块，其特征在于，所述半导体设备前端模块还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于，还包括人体感应器，所述人体感应器电性连接于所述控制组件。

6.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于，所述氮气输入组件包括：

8.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于，还包括气体压力检测器，设于所述晶圆输送区域内，且所述气体压力检测器电性连接于所述控制组件。

9.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于，还包括扩散组件，设于所述晶圆输送区域内，且所述扩散组件与所述氮气输入组件的输出端相连。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的半导体设备前端模块。

技术总结本技术提供一种半导体设备前端模块及半导体设备，包括晶圆装载端口；预真空锁腔室；晶圆输送区域，位于所述晶圆装载端口与所述预真空锁腔室之间；氮气输入组件，其输出端设于所述晶圆输送区域内；氧气检测组件，其输入端设于所述晶圆输送区域内；以及控制组件，所述氧气检测组件电性连接于所述控制组件，且所述氮气输入组件电性连接于所述控制组件；其中，所述控制组件根据所述氧气检测组件的氧气检测浓度控制所述氮气输入组件的氮气输入量。通过本技术公开的一种半导体设备前端模块及半导体设备，能够大大减少晶圆在设备前端模块内的氧化问题，从而有效提高晶圆的生产线良率。技术研发人员：谢光训,黄望望受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司技术研发日：20231124技术公布日：2024/7/25