基板处理装置的制作方法

本发明涉及一种基板处理装置，更详细地，涉及一种在进行针对基板的处理工艺的情况下，将从基板支承部发出的热量朝向基板支承部辐射及/或反射，从而可以更效率地进行针对基板的处理工艺的基板处理装置。

背景技术：

1、根据现有技术的基板处理装置在腔室内部收容基板，并根据工艺将基板加热到需要的温度来进行工艺。在这种情况下，在腔室内部设置内置加热器等的基板支承部，并通过基板支承部加热基板。

2、在具有这样的结构的基板处理装置的情况下，通过基板支承部的上面发出的热可以将基板加热到适当的温度，但是，通过基板支承部的下部或者侧面发出的热可以向腔室内部的空间发出，而不直接加热基板。因此，从基板支承部发出的热的多的量不能用于直接加热基板而发出。

3、另外，在进行针对基板的蒸镀工艺等的处理工艺的情况下，保持基板上面的薄膜的诱电率(k)均匀非常重要。这样的薄膜的诱电率(k)对温度产生非常敏感的反应而变化。

4、但是，在根据现有技术的基板处理装置的情况下，仅是测定基板支承部的加热器等的温度来确认需要的工艺温度，在工艺中没有设有可以保持基板的薄膜的诱电率均匀的装置。

5、因此，在根据现有技术的基板处理装置的情况下，在进行针对基板的处理工艺的情况下，工艺的效率下降，基板上面的薄膜质量可能下降。

技术实现思路

1、本发明为了解决如上所述的问题，其目的在于提供一种在进行针对基板的处理工艺的情况下，将从基板支承部发出的热朝向基板支承部辐射及/或反射而节约能量并可以保持基板薄膜的诱电率恒定的基板处理装置。

2、如上所述的本发明的目的通过一种基板处理装置来达成，其特征在于，所述基板处理装置具备：腔室，提供针对基板的处理空间；基板支承部，设置在所述腔室内部而支承所述基板并加热所述基板；以及反射单元，配置在所述基板支承部的下方而将从所述基板支承部发出的热朝向所述基板支承部辐射或者反射。

3、在此，可以是，所述基板处理装置还具备：升降驱动单元，与从所述基板支承部朝向下方延伸的支承杆连接而升降所述基板支承部。

4、另外，可以是，所述反射单元具备：反射板，围绕所述基板支承部的下面；以及延伸部，以从所述反射板围绕所述支承杆的方式向下方延伸而连接于所述升降驱动单元。

5、进一步，可以是，所述反射板具备中央部和边缘部，所述中央部和所述边缘部的厚度彼此不同。

6、另外，可以是，在所述支承杆设置向所述反射单元和所述支承杆以及基板支承部之间的空间供应吹扫气体的吹扫气体供应流路。

7、另一方面，可以是，所述升降驱动单元具备：升降主体部，连接于所述腔室的下部；以及升降板，以升降的方式设置在所述升降主体部而连接所述支承杆的下端部。

8、另外，可以是，所述基板处理装置还具备：折曲部，以从所述反射单元的边缘以围绕所述基板支承部的侧面的方式折曲而朝向上方延伸。

9、在这种情况下，可以是，在所述基板支承部中，在半径方向上所述折曲部的宽度不同，或者所述基板支承部和所述折曲部的中心彼此隔开配置。

10、另一方面，可以是，所述基板处理装置还具备：旋转驱动单元，旋转所述反射单元。

11、在这种情况下，可以是，所述旋转驱动单元具备：旋转部，与所述反射单元的下端部连接；以及旋转驱动部，旋转所述旋转部。

12、另一方面，可以是，所述基板处理装置还具备：角度调节单元，将所述反射单元倾斜成预先确定的角度。

13、在这种情况下，所述角度调节单元可以具备：中间板，与所述反射单元的下端部连接；至少一个升降杆，升降所述中间板；以及调节驱动部，升降所述升降杆。

14、另一方面，如上所述的本发明的目的通过一种基板处理装置来达成，其特征在于，所述基板处理装置具备：腔室，提供针对基板的处理空间；基板支承部，设置在所述腔室内部而支承所述基板并加热所述基板；以及反射单元，将从所述基板支承部发出的热量朝向所述基板支承部辐射或者反射并设置为能够升降，并且能够将升降工作与旋转以及倾斜中的至少一个工作一起驱动。

15、在此，可以是，所述基板处理装置还具备：升降驱动单元，升降所述基板支承部和所述反射单元，旋转所述反射单元的旋转驱动单元以及将所述反射单元倾斜成预先确定的角度的角度调节单元中的至少一个一起设置在所述升降驱动单元中。

16、另外，可以是，在所述基板支承部设置向所述反射单元和所述基板支承部之间的空间供应吹扫气体的吹扫气体供应流路。

17、根据具有前述的结构的本发明，在进行针对基板的处理工艺的情况下，将从基板支承部发出的热朝向基板支承部辐射及/或反射而节约能量并可以保持基板薄膜的诱电率恒定。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

13.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

技术总结本发明涉及一种基板处理装置，更详细地，涉及一种在进行针对基板的处理工艺的情况下，将从基板支承部发出的热量朝向基板支承部辐射及/或反射，从而可以更效率地进行针对基板的处理工艺的基板处理装置。所述基板处理装置具备：腔室，提供针对基板的处理空间；基板支承部，设置在所述腔室内部而支承所述基板并加热所述基板；以及反射单元，配置在所述基板支承部的下方而将从所述基板支承部发出的热量朝向所述基板支承部辐射或者反射。技术研发人员：元钟必,张琼镐受保护的技术使用者：TES股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25