基板处理装置和基板处理方法与流程

本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种在光刻法中实施向晶圆涂敷抗蚀剂而形成抗蚀剂膜、供给显影液而使曝光完毕的抗蚀剂膜显影等的基板处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2010-219434号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本发明提供一种可在形成有mor(金属氧化物抗蚀剂：metal oxide resist)膜的基板获得良好的图案的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本发明的一技术方案的基板处理装置具备：第1输送路径，其是mor膜形成后且曝光处理实施前的基板的输送路径；第2输送路径，其是曝光处理实施后的基板的输送路径；以及一个或多个氮气氛载置部，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置基板。

5、发明的效果

6、根据本发明，能够在形成有mor膜的基板获得良好的图案。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

9.一种基板处理方法，其特征在于，

技术总结本发明提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。技术研发人员：酒田洋司,香月信吾,藤瀬辽平,松山健一郎,高木慎介,岩城浩之,只友浩贵,鬼塚智也受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/25