改善氧化积碳的气路连接结构及芯片镀膜设备的制作方法

本申请涉及二极管芯片生产，尤其涉及一种改善氧化积碳的气路连接结构及芯片镀膜设备。

背景技术：

1、在光敏二极管芯片的制造流程中，热氧化技术是非常重要的一道工艺，一层良好的二氧化硅膜层可以确保器件的部分性能不受影响。一方面，氧化层可以作为各道光刻蚀刻的牺牲层；另一方面，在涉及到扩散、离子注入等掺杂工艺时可以作为阻挡层来避免制程期间元素掺杂到不希望的位置。

2、数年以来，人们发现了各种不同的热氧化技术，例如干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化等技术。为了更好的控制膜层的厚度稳定性及均匀性，又开发了氢氧合成氧化工艺。为了避免工艺进行时环境中的微量金属离子对器件造成的影响，又将dce(反式二氯乙烯)应用在氧化工艺中，利用其中的氯离子对金属离子进行吸附，降低其对器件的影响。

3、现有技术中，公开号为cn2663439y的中国实用新型专利，公开了一种改善薄氧化层均一性的炉管装置，包括：反应腔体，为提供氧化反应的空间，以形成薄氧化层于半导体硅晶圆上；第一导管，连接该反应腔体，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；第一氮气导管，连接该第一导管以供应一吹净用氮气进入该反应腔体；旁通导管，连接该第一氮气导管与该排放导管，以提供至该排放导管毋需经过该反应腔体的旁绕路径；第二导管，连接该反应腔体并与该第一导管连接于一共通接点，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；第二氮气导管，连接该第二导管以提供一吹净用氮气，并可配合该旁通导管作用而产生一回拉效应，以去除上述管线内的残留物；以及一排放导管，连接该反应腔体侧底，以排出该反应腔体内的气体。但在使用过程中，残留的dce受高温分解出碳元素附着在石英管内壁，而过多的积碳碳同样会对器件造成影响。

技术实现思路

1、本申请所要解决的一个技术问题是：如何实现dce气体和氧气混合充分，提升物质的反应效率，降低氧化工艺期间积碳的生成。

2、为解决上述技术问题，本申请实施例提供的改善氧化积碳的气路连接结构，包括：混合室；

3、用于输送dce气体的第一管路，第一管路的输出端连接至混合室；

4、用于输送氧气的第二管路，第二管路的输出端连接至混合室；

5、氢氧合成室，与混合室通过第三管路相连接，氢氧合成室还连接有用于输送氢气的第四管路；

6、炉管，与氢氧合成室通过第五管路相连接，炉管还连接有用于输送氮气的第六管路；

7、位于混合室的第一管路设置有第一通气孔，位于混合室的第二管路设置有第二通气孔，第一通气孔和第二通气孔对向设置。

8、在一些实施例中，混合室包括用于连接第一管路的第一进气口、用于连接第二管路的第二进气口和用于连接第七管路的第三进气口；

9、混合室还包括用于连接第三管路的第一出气口和用于连接第七管路的第二出气口。

10、在一些实施例中，第三管路的长度l满足：l≥1m。

11、在一些实施例中，第一通气孔在第一管路位于混合室的部分阵列分布；

12、第二通气孔在第二管路位于混合室的部分阵列分布。

13、在一些实施例中，第一通气孔、第二通气孔均为圆形孔；

14、第一通气孔、第二通气孔的直径为0.1mm～1cm。

15、在一些实施例中，第一通气孔在第一管路上的密度与第二通气孔在第二管路上的密度相同。

16、在一些实施例中，第一管路、第二管路、第四管路和第五管路上均设置有流量调节泵。

17、在一些实施例中，第三管路和第六管路上均设置有阀门。

18、为解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种芯片镀膜设备，包括如上述技术方案中任一项的改善氧化积碳的气路连接结构。

19、通过上述技术方案，本申请提供的改善氧化积碳的气路连接结构，包括：混合室；用于输送dce气体的第一管路，所述第一管路的输出端连接至所述混合室；用于输送氧气的第二管路，所述第二管路的输出端连接至所述混合室；氢氧合成室，与所述混合室通过第三管路相连接，所述氢氧合成室还连接有用于输送氢气的第四管路；炉管，与所述氢氧合成室通过第五管路相连接，所述炉管还连接有用于输送氮气的第六管路；位于所述混合室的所述第一管路设置有第一通气孔，位于所述混合室的所述第二管路设置有第二通气孔，所述第一通气孔和所述第二通气孔对向设置，能够使得dce气体和氧气混合充分，提升了物质的反应效率，大大降低了制程期间积碳的生成。

20、本申请的改善氧化积碳的气路连接结构，能够降低热氧化期间积碳的生成量，减轻了碳元素对器件的负面影响，提升了器件性能及良率，从而降低了产品制造的成本。同时，降低积碳的生成可以显著延长热氧化设备的保养周期，一方面降低了设备人员的工作频率，另一方面机台不需要频繁进行保养，避免了机台各处结构反复安装时微小的变化影响机况。

技术特征：

1.一种改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述混合室(1)包括用于连接所述第一管路(2)的第一进气口、用于连接所述第二管路(3)的第二进气口和用于连接第七管路(10)的第三进气口；

3.根据权利要求1所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述第三管路(5)的长度l满足：l≥1m。

4.根据权利要求1所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述第一通气孔(21)在所述第一管路(2)位于所述混合室(1)的部分阵列分布；

5.根据权利要求1或4所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述第一通气孔(21)、所述第二通气孔(31)均为圆形孔；

6.根据权利要求5所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述第一通气孔(21)在所述第一管路(2)上的密度与所述第二通气孔(31)在所述第二管路(3)上的密度相同。

7.根据权利要求6所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述第一管路(2)、所述第二管路(3)、第三管路(5)、所述第四管路(6)和所述第五管路(8)上均设置有流量调节泵。

8.根据权利要求7所述的改善氧化积碳的气路连接结构，其特征在于，所述第三管路(5)和所述第六管路(9)上均设置有阀门。

9.一种芯片镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的改善氧化积碳的气路连接结构。

技术总结本申请提供一种改善氧化积碳的气路连接结构，该装置包括：混合室；用于输送DCE气体的第一管路，第一管路的输出端连接至混合室；用于输送氧气的第二管路，第二管路的输出端连接至混合室；氢氧合成室，与混合室通过第三管路相连接，氢氧合成室还连接有用于输送氢气的第四管路；炉管，与氢氧合成室通过第五管路相连接，炉管还连接有用于输送氮气的第六管路；位于混合室的第一管路设置有第一通气孔，位于混合室的第二管路设置有第二通气孔，第一通气孔和第二通气孔对向设置。本申请，能够使得DCE气体和氧气混合充分，提升了物质的反应效率，大大降低了制程期间积碳的生成。技术研发人员：朱合意,胡恒广,贾钊,窦志珍受保护的技术使用者：青岛旭芯互联科技研发有限公司技术研发日：20231108技术公布日：2024/7/29