微型发光二极管面板及其制造方法与流程

本发明涉及一种微型元件的转移技术，尤其涉及一种微型发光二极管面板及其制造方法。

背景技术：

1、近年来，在有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下，微型发光二极管显示器(micro led display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。微型发光二极管显示器具有与有机发光二极管显示技术相当的光学表现，例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比度，且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。

2、随着显示尺寸与分辨率的逐渐增加，显示面板所采用的晶体管元件的操作电性，例如：电子迁移率(electron mobility)，势必要有所提升。其中，低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature poly-silicon thin film transistor，ltps tft)因具有较高的电子迁移率而广泛地应用于小尺寸且分辨率高的显示面板。然而，ltps tft在关闭时的漏电流较大。为了提高显示面板的功耗效率，一种采用非晶系氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(igzo)半导体，作为主动层(active layer)的薄膜晶体管被提出。然而，这类的金属氧化物半导体晶体管的电子迁移率并无法满足高分辨率显示面板的应用需求。

技术实现思路

1、本发明是针对一种微型发光二极管面板，其具有较佳的操作电性和可靠度。

2、本发明是针对一种微型发光二极管面板的制造方法，其制程弹性较佳且产品的设计裕度较大。

3、根据本发明的实施例，微型发光二极管面板包括：电路基板、多个晶体管元件和多个微型发光二极管。电路基板包括多条信号线、多个接合垫与多个薄膜晶体管。这些信号线由层叠的多个金属导电层构成并定义出多个像素区。这些接合垫延伸自这些信号线的至少一部分。这些薄膜晶体管形成于电路基板上，且各自具有第一半导体图案以及由这些金属导电层构成的多个电极。这些电极电性连接这些接合垫的至少一部分。这些晶体管元件电性接合至这些接合垫的一部分，并且与这些薄膜晶体管电性连接。这些微型发光二极管电性接合至这些接合垫的另一部分，并且与这些薄膜晶体管电性连接。每一个像素区设有至少一薄膜晶体管、至少一晶体管元件及至少一微型发光二极管。每一个晶体管元件具有第二半导体图案，且第一半导体图案与第二半导体图案的电子迁移率差值大于30cm2/v·s。

4、根据本发明的实施例，微型发光二极管面板的制造方法包括：于第一基板上制作多条信号线、多个薄膜晶体管与多个接合垫，以形成具有多个像素电路的电路基板、于第二基板上形成多个微型发光二极管、于第三基板或第二基板上形成多个晶体管元件、将第二基板上的这些微型发光二极管转移并接合至这些接合垫的一部分以电性连接电路基板的这些薄膜晶体管以及将第三基板或第二基板上的这些晶体管元件转移并接合至这些接合垫的另一部分以电性连接电路基板的这些薄膜晶体管。每一个薄膜晶体管具有第一半导体图案。每一个晶体管元件具有第二半导体图案，且第一半导体图案与第二半导体图案的电子迁移率差值大于30cm2/v·s。

5、基于上述，在本发明一实施例的微型发光二极管面板及其制造方法中，用于驱动多个微型发光二极管的电路基板设有两种晶体管。这两种晶体管具有明显不同的电子迁移率，分别为薄膜晶体管和晶体管元件。其中，薄膜晶体管形成在电路基板的制作过程中，而晶体管元件则是在他处制作完成后才转移接合至电路基板上。因此，能增加微型发光二极管面板的制程弹性和设计裕度。此外，通过特性截然不同的两种晶体管的设置还可提升像素电路的操作电性，进而增加微型发光二极管面板的可靠度(reliability)。

技术特征：

1.一种微型发光二极管面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管的所述多个电极包括源极、漏极和栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第一半导体图案，所述多条信号线包括多条扫描线和多条数据线，所述源极、所述漏极与所述多条数据线为同一膜层，且所述栅极与所述多条扫描线为同一膜层。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管的所述第一半导体图案的电子迁移率小于等于20cm2/v·s。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个转移单元的所述晶体管元件用以在发光阶段控制流经所述微型发光二极管的驱动电流，所述电路基板具有多个像素电路，设置在所述多条信号线之间，每一所述多个像素电路包括：

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管面板，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个像素电路还包括：

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个像素电路还包括：

9.根据权利要求7所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个像素电路的所述第二接合垫耦接所述多个转移单元的所述一者的所述晶体管元件的所述栅极、所述重置单元与所述存储电容器，且在数据写入阶段中，图像数据写入存储电容器。

10.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个转移单元还包括半导体基板，且所述微型发光二极管与所述晶体管元件形成在所述半导体基板上。

11.一种微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述多个晶体管元件先形成于所述第三基板上，所述第三基板为晶圆基板，所述微型发光二极管面板的制造方法还包括：

13.根据权利要求12所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述载板为所述第二基板与所述第三基板的其中之一。

14.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个转移单元的所述晶体管元件用以在发光阶段控制流经所述微型发光二极管的驱动电流，每一所述多个像素电路包括：

15.根据权利要求14所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个像素电路还包括：所述多个接合垫的所述部分的第二接合垫以及重置单元，所述重置单元用以在重置阶段初始化存储电容器的电压，

16.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，还包括：

17.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管还具有源极、漏极和栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第一半导体图案，所述多条信号线包括多条扫描线和多条数据线，所述源极、所述漏极与所述多条数据线为同一膜层，且所述栅极与所述多条扫描线为同一膜层。

18.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管的所述第一半导体图案的电子迁移率小于等于20cm2/v·s。

19.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个晶体管元件还具有源极、漏极和栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第二半导体图案，其中所述源极、所述漏极与所述栅极位于所述第二半导体图案与所述电路基板之间，且所述第二半导体图案的电子迁移率大于50cm2/v·s。

技术总结本发明提供一种微型发光二极管面板，其包括电路基板、多个晶体管元件和多个微型发光二极管。电路基板包括多条信号线、多个接合垫与多个薄膜晶体管。这些接合垫延伸自这些信号线的至少一部分。这些晶体管元件电性接合至这些接合垫的一部分，并且与这些薄膜晶体管电性连接。这些微型发光二极管电性接合至这些接合垫的另一部分，并且与这些薄膜晶体管电性连接。每一个薄膜晶体管具有第一半导体图案。每一个晶体管元件具有第二半导体图案，且第一半导体图案与第二半导体图案的电子迁移率差值大于30cm<supgt;2</supgt;/V·s。一种微型发光二极管的制造方法也被提出。技术研发人员：廖冠咏,李允立,吴志凌受保护的技术使用者：錼创显示科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29