发光二极管的制作方法

本技术属于半导体，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术：

1、发光二极管(light-emitting diode，led)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。随着led技术不断发展，在其受到越来越广泛的应用的同时，也面临着越来越高的要求，尤其是led的发光效率和抗静电性能。

2、目前，发光二极管的p电极4下方常通过设置电流阻挡层2和包覆电流阻挡层2的透明导电层3，以提升电流的横向扩展能力，避免电流过于集中流入p型层1，从而提升led的发光效率，参看图1。但是，在现有led工艺中，电流阻挡层与透明导电层的交界区域易发生电流聚集现象，致使该交界区域易发生静电击穿异常，产生esd爆点，进而影响发光二极管的抗静电性能。并且，由于电流阻挡层的存在，其虽然能有效促进电流的横向扩展，但是也会吸收发光二极管发射出的光线，从而影响发光二极管的发光效率。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种发光二极管，能有效避免电流阻挡层与透明导电层交界区域存在的电流聚集，提高发光二极管的抗静电性能的同时，还能降低电流阻挡层对光线的吸收，提高发光二极管的发光效率。

2、本实用新型提供了一种发光二极管，包括：

3、半导体发光叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的发光层；

4、第一电极，设置于所述第一半导体层上，并与第一半导体层形成电连接，所述第一电极包括第一焊盘以及自第一焊盘延伸出的第一扩展条；

5、第二电极，设置于所述第二半导体层上，并与第二半导体层形成电连接；

6、其特征在于，还包括电流阻挡层和透明导电层，其中，

7、电流阻挡层，设置于第一半导体层的部分表面上，所述电流阻挡层包括第一阻挡层和与所述第一阻挡层连接的第二阻挡层，第一阻挡层位于第一焊盘之下，第二阻挡层位于第一扩展条之下，且第二阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部，以形成凹凸结构；

8、透明导电层，设置于电流阻挡层及部分第一半导体层上，所述透明导电层具有开口部，所述开口部位于凸起部与平坦部交界区域，且开口部暴露部分第一半导体及部分电流阻挡层。

9、在一些实施例中，所述第一扩展条包括直线延伸段，所述直线延伸段所在区域下方对应的第二阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部。

10、在一些实施例中，所述第一扩展条包括直线延伸段和与所述直线延伸段连接的弧线延伸段，至少直线延伸段所在区域下方对应的第二阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部。

11、在一些实施例中，所述第一阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部，以形成凹凸结构。

12、在一些实施例中，所述凸起部呈弧形或者半圆形或者四边形，所述平坦部呈直线形或者曲线形。

13、在一些实施例中，各凸起部的尺寸相同或者不同。

14、在一些实施例中，所述凸起部规则分布或者不规则分布。

15、在一些实施例中，所述第二阻挡层中相对侧壁的凸起部间隔交错设置。

16、在一些实施例中，所述凸起部的宽度d为2μm~5μm。

17、在一些实施例中，所述平坦部的长度l为8~25μm。

18、本实用新型通过对电流阻挡层和透明导电层进行图形优化设计，能有效避免电流阻挡层与透明导电层交界区域存在的电流聚集，实现降低电压，进而提升发光二极管的抗静电能力及发光效率。

技术特征：

1.发光二极管，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一扩展条包括直线延伸段，所述直线延伸段所在区域下方对应的第二阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一扩展条包括直线延伸段和与所述直线延伸段连接的弧线延伸段，至少直线延伸段所在区域下方对应的第二阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层的侧壁具有凸起部和平坦部，以形成凹凸结构。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起部呈弧形或者半圆形或者四边形，所述平坦部呈直线形或者曲线形。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，各凸起部的尺寸相同或者不同。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起部规则分布。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡层中相对侧壁的凸起部间隔交错设置。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起部的宽度d为2μm~5μm。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述平坦部的长度l为8μm~25μm。

技术总结本技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，包括：半导体发光叠层、电流阻挡层、透明导电层和电极，其中，电流阻挡层的侧壁具有平坦部和凸起部，以形成具有凹凸结构的电流阻挡层；透明导电层具有开口部，开口部位于凸起部与平坦部的交界区域，且开口部暴露部分第二半导体层及电流阻挡层。本技术能有效避免电流阻挡层与透明导电层交界区域存在的电流聚集，提升发光二极管的抗静电能力及发光效率。技术研发人员：汪玉,汪琴,桂亮亮,李君杰,周立,林兓兓受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/7/29