发光器件和包括该发光器件的显示装置的制作方法

本公开内容涉及发光器件和包括该发光器件的显示装置。具体而言，本公开内容涉及一种能够以低电流操作的发光器件、以及一种能够以低灰度显示图像的显示装置。

背景技术：

1、平板显示装置包括液晶显示装置和有机发光显示装置。

2、与液晶显示装置相比，有机发光显示装置具有诸如提高的发光效率、快速响应速度和宽视角的优点。然而，由于有机发光显示装置包括有机材料，因此有机发光显示装置易受湿气和氧的影响，并因此可能出现有缺陷的像素。

3、最近，已经提出了使用耐湿气和氧的无机发光层的无机发光显示装置。其中在每个像素中设置有尺寸为100微米或更小的无机发光二极管的无机发光显示装置被称为微发光二极管(micro-led)显示装置。

技术实现思路

1、由于半导体层和电极之间的高势垒，当前批量生产的无机发光二极管不能在低电流电平下操作。因此，显示装置不能以低灰度级显示图像。

2、因此，为了提供一种能够以低灰度级来显示图像的无机发光显示装置，需要一种能够在低电流电平下操作的无机发光器件。

3、因此，本公开内容的发明人已经发明了可以以低电流电平操作的无机发光器件。

4、根据本公开内容的实施例的技术目的是提供一种能够以低电流电平操作的发光器件和一种能够以低灰度级显示图像的显示装置。

5、根据本公开内容的目的不限于上述目的。未提及的根据本公开内容的其他目的和优点可基于以下描述来理解，并且可基于根据本公开内容的实施例来更清楚地理解。此外，将容易理解，可以使用权利要求中所示的装置或其组合来实现根据本公开内容的目的和优点。

6、本公开内容的一方面提供了一种发光器件，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，连接到所述第一半导体层；以及第二电极，连接到所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层的能带隙随着所述第一半导体层远离所述有源层延伸而减小。

7、本公开内容的另一方面提供了一种显示装置，该显示装置包括：阵列基板，该阵列基板包括薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的第一连接电极；导电粘合层，所述导电粘合层设置在所述第一连接电极上；以及发光器件，所述发光器件设置在所述导电粘合层上，其中，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，连接到所述第一半导体层；以及第二电极，连接到所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层的能带隙随着所述第一半导体层远离所述有源层延伸而减小。

8、其他实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。

9、根据本公开内容的实施例，可以降低发光器件中的第一电极和第一半导体层(n型半导体层)之间的势垒。结果，可以降低电子克服第一电极和第一半导体层之间的势垒并注入到第一半导体层中所需的驱动电压和驱动电流。因此，根据本公开内容的实施例的发光器件可以在低电流电平下操作。

10、根据本公开内容的实施例的发光器件能够在低电流电平下操作。因此，其中每个子像素中设置有根据本公开内容实施例的发光器件的显示装置可以以低电流电平显示具有灰度的图像。

11、本公开内容的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解未提及的其他效果。

技术特征：

1.一种发光器件，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的所述能带隙逐步减小。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的所述能带隙线性减小。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层包括含有铟的n型氮化物半导体层，其中，所述第一半导体层中的铟的含量随着所述第一半导体层远离所述有源层延伸而增加。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一半导体层中的所述铟的含量逐步增加。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一半导体层中的所述铟的含量线性增加。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层包括n型氮化铟镓(ingan)层，其中，所述第一半导体层中的铟的含量随着所述第一半导体层远离所述有源层延伸而增加。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一半导体层中的所述铟的含量逐步增加。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一半导体层中的所述铟的含量线性增加。

10.一种显示装置，包括：

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一半导体层的所述能带隙逐步减小。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一半导体层的所述能带隙线性减小。

13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括含有铟的n型氮化物半导体层，其中，所述第一半导体层中的铟的含量随着所述第一半导体层远离所述有源层延伸而增加。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一半导体层中的所述铟的含量逐步增加。

15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一半导体层中的所述铟的含量线性增加。

技术总结公开了一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，连接到所述第一半导体层；以及第二电极，连接到所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层的能带隙随着所述第一半导体层远离所述有源层延伸而减小。技术研发人员：金一洙,韩明树,崔正焄,权效院,梁桐源受保护的技术使用者：乐金显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25