硅片的吸杂方法以及硅片、太阳能电池与流程

本公开涉及光伏电池，特别涉及一种硅片的吸杂方法以及由此制备的硅片、太阳能电池。

背景技术：

1、目前异质结电池的制备工艺主要包括预清洗、吸杂、制绒、pecvd和丝网印刷等步骤。预清洗步骤通常是先进行碱洗去除硅片杂质，然后进行酸洗去除表面金属杂质。吸杂步骤通常是通过管式扩磷或链式涂覆磷源之后高温扩散从而降低硅片的杂质含量、减少硅片加工过程中的污染并改善硅片性能。然而，硅片表面在经过预清洗的酸洗后呈疏水性，磷浆不能均匀地分布在硅片表面，导致硅片中仍有未去除的金属杂质。这些金属杂质会在后续的加工过程中形成深能级缺陷，极大的影响了硅片的少子寿命和效率，降低电池性能。

技术实现思路

1、本公开提供一种硅片的吸杂方法，其包括：

2、对经过预清洗的硅片进行表面氧化处理；以及

3、在经表面氧化处理后的硅片表面涂覆磷浆。

4、优选地，通过臭氧喷淋方式、链式干氧化方式、臭氧水涂覆方式、管氧化方式中的至少一者实施所述表面氧化处理步骤。

5、优选地，当采用臭氧喷淋方式实施所述表面氧化处理步骤时，臭氧浓度为0.5-100mg/m3。

6、优选地，当采用链式干氧化方式实施所述表面氧化处理步骤时，干氧浓度5-150mg/m3，温度为300-900℃。

7、优选地，当采用臭氧水涂覆方式实施所述表面氧化处理步骤时，其中臭氧的浓度为1-60wt％。

8、优选地，当采用管氧化方式实施所述表面氧化处理步骤时，氧气流量为1000-30000sccm，温度为200-900℃。

9、优选地，硅片表面所形成氧化层的厚度为0.1-30μm。

10、优选地，涂覆磷浆步骤中硅片表面形成的磷浆层的厚度为0.1-20μm。

11、本公开还提供一种硅片，其通过上述吸杂方法制备得到。

12、本公开还提供一种太阳能电池，其中包括上述硅片。

13、采用本公开所述吸杂方法能使磷浆充分且均匀地涂覆在硅片表面上，更有效地去除含杂硅片中的杂质，提高后续硅片的钝化质量，从而提升硅片开压和效率。

技术特征：

1.一种硅片的吸杂方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，通过臭氧喷淋方式、链式干氧化方式、臭氧水涂覆方式、管氧化方式中的至少一者实施所述表面氧化处理步骤。

3.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，当采用臭氧喷淋方式实施所述表面氧化处理步骤时，臭氧浓度为0.5-100mg/m3。

4.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，当采用链式干氧化方式实施所述表面氧化处理步骤时，干氧浓度5-150mg/m3，温度为300-900℃。

5.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，当采用臭氧水涂覆方式实施所述表面氧化处理步骤时，臭氧浓度为1-60wt％。

6.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，当采用管氧化方式实施所述表面氧化处理步骤时，氧气流量为1000-30000sccm，温度为200-900℃。

7.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，硅片表面所形成氧化层的厚度为0.1-30μm。

8.根据权利要求1所述的硅片的吸杂方法，其中，涂覆磷浆步骤中硅片表面形成的磷浆层的厚度为0.1-20μm。

9.一种硅片，其通过根据权利要求1-8中任一项所述的硅片的吸杂方法制备得到。

10.一种太阳能电池，其中包括根据权利要求9所述的硅片。

技术总结本公开提供一种硅片的吸杂方法，其包括：对经过预清洗的硅片进行表面氧化处理；以及在经表面氧化处理后的硅片表面涂覆磷浆。本公开的吸杂方法通过在硅片表面覆盖氧化层改善硅片表面的亲水特性，能够更均匀地涂覆磷浆层，从而有效提高吸杂效率并改善硅片钝化质量及效率；而且，相较于传统磷吸杂方式，本公开的吸杂方法所需的磷浆量也相对减少，因此还能够节约磷浆的用量。技术研发人员：蔡贵臻,刘娟,赵杰,陈如龙,杨阳,胡传红,陶龙忠受保护的技术使用者：江苏润阳世纪光伏科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29