封装结构、封装结构的制备方法和电子设备与流程

本发明涉及半导体封装，更具体地，本发明涉及一种封装结构、封装结构的制备方法和电子设备。

背景技术：

1、电子产品的迅猛发展是当今对封装技术进行改进的主要驱动力，电子产品的小型化、高密度、高性能、高可靠性和低成本是先进封装的主流发展方向。sip封装(systeminpackage，系统级封装)是最重要也是最有潜力满足这种高密度系统集成的技术之一。

2、在现有的sip封装技术中，通常需要设置转接板以实现与外部信号的传递。然而，转接板的布置在一定程度上占用了封装结构高度方向的空间，从而导致了封装结构的尺寸较大。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种封装结构、封装结构的制备方法和电子设备的新技术方案。

2、根据本发明的一个方面，提供了一种封装结构。所述封装结构包括：

3、基板和芯片，所述芯片设于所述基板上，所述芯片与所述基板通过第一引线电连接；

4、塑封体，所述塑封体设于所述基板上，且所述塑封体至少包覆所述芯片，所述塑封体远离所述基板的一侧具有第一凹陷部，部分所述第一引线通过所述第一凹陷部露出；

5、第一连接锡球，所述第一凹陷部处设有所述第一连接锡球，所述第一连接锡球用于与外部形成电连接。

6、可选地，所述第一凹陷部的底部低于所述第一引线的最高点。

7、可选地，所述第一凹陷部的底部与所述第一引线的最高点之间的高度差范围为0.02毫米至0.06毫米。

8、可选地，沿所述芯片的长度方向上，所述第一凹陷部的尺寸范围为0.1毫米至0.3毫米。

9、可选地，所述第一凹陷部的形状为矩形、圆形或者椭圆形。

10、可选地，所述塑封体上具多个所述第一凹陷部，每个所述第一凹陷部与一个所述第一引线位置相对。

11、可选地，沿平行于所述芯片的贴装面上，多个所述第一凹陷部对称分布。

12、可选地，还包括器件，所述器件设于所述基板上，所述塑封体包覆所述器件。

13、可选地，所述基板的不同区域通过第二引线电连接，所述塑封体远离所述基板的一侧还具有第二凹陷部，部分所述第二引线通过所述第二凹陷部露出，且所述第二凹陷部处设有所述第一连接锡球。

14、可选地，所述第二凹陷部的形状与所述第一凹陷部的形状相同。

15、可选地，还包括第二连接锡球，所述第二连接锡球设于所述基板远离所述芯片的一侧。

16、可选地，所述第一连接锡球的底部与所述第一凹陷部贴合，所述第一连接锡球的顶部高出所述塑封体。

17、根据本发明的另一个方面，提供了一种封装结构的制备方法，包括：

18、在基板上设置芯片，并通过第一引线将所述芯片与所述基板电连接；

19、设置塑封体，且所述塑封体至少包覆所述芯片；

20、在所述塑封体远离所述基板的一侧开设第一凹陷部，使得部分所述第一引线能够通过所述第一凹陷部露出；

21、在所述第一凹陷部处设置第一连接锡球，所述第一连接锡球用于与外部形成电连接。

22、根据本发明的再一个方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述的封装结构。

23、本发明的一个技术效果在于，封装结构包括基板、芯片、塑封体和第一连接锡球，所述芯片设于所述基板上，所述芯片与所述基板通过第一引线电连接；所述塑封体设于所述基板上，且所述塑封体至少包覆所述芯片，所述塑封体远离所述基板的一侧具有第一凹陷部，部分所述第一引线通过所述第一凹陷部露出；所述第一凹陷部处设有所述第一连接锡球，所述第一连接锡球用于与外部形成电连接，从而能够利用设置于第一凹陷部处的第一连接锡球实现封装结构与外部信号的传递，无需另设转接板，从而能够控制封装结构的尺寸，便于其小型化发展。

24、通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述第一凹陷部(41)的底部低于所述第一引线(3)的最高点。

3.根据权利要求2所述的一种封装结构，其特征在于，所述第一凹陷部(41)的底部与所述第一引线(3)的最高点之间的高度差范围为0.02毫米至0.06毫米。

4.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，沿所述芯片(2)的长度方向上，所述第一凹陷部(41)的尺寸范围为0.1毫米至0.3毫米。

5.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述第一凹陷部(41)的形状为矩形、圆形或者椭圆形。

6.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述塑封体(4)上具多个所述第一凹陷部(41)，每个所述第一凹陷部(41)与一个所述第一引线(3)位置相对。

7.根据权利要求6所述的一种封装结构，其特征在于，沿平行于所述芯片(2)的贴装面上，多个所述第一凹陷部(41)对称分布。

8.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，还包括器件(6)，所述器件(6)设于所述基板(1)上，所述塑封体(4)包覆所述器件(6)。

9.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述基板(1)的不同区域通过第二引线(7)电连接，所述塑封体(4)远离所述基板(1)的一侧还具有第二凹陷部(42)，部分所述第二引线(7)通过所述第二凹陷部(42)露出，且所述第二凹陷部(42)处设有所述第一连接锡球(5)。

10.根据权利要求9所述的一种封装结构，其特征在于，所述第二凹陷部(42)的形状与所述第一凹陷部(41)的形状相同。

11.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，还包括第二连接锡球(8)，所述第二连接锡球(8)设于所述基板(1)远离所述芯片(2)的一侧。

12.根据权利要求1所述的一种封装结构，其特征在于，所述第一连接锡球(5)的底部与所述第一凹陷部(41)贴合，所述第一连接锡球(5)的顶部高出所述塑封体(4)。

13.一种如权利要求1至12中任意一项所述的封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至12中任意一项所述的封装结构。

技术总结本发明公开了一种封装结构、封装结构的制备方法和电子设备，所述封装结构包括基板、芯片、塑封体和第一连接锡球，所述芯片设于所述基板上，所述芯片与所述基板通过第一引线电连接；所述塑封体设于所述基板上，且所述塑封体至少包覆所述芯片，所述塑封体远离所述基板的一侧具有第一凹陷部，部分所述第一引线通过所述第一凹陷部露出；所述第一凹陷部处设有所述第一连接锡球，所述第一连接锡球用于与外部形成电连接，从而能够利用设置于第一凹陷部处的第一连接锡球实现封装结构与外部信号的传递，无需另设转接板，从而能够控制封装结构的尺寸，便于其小型化发展。技术研发人员：王伟,王德信,陶源受保护的技术使用者：青岛歌尔智能传感器有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29