半导体封装体的制作方法

本技术涉及一种半导体技术，尤其涉及一种具有重布结构位于封装部件内的半导体封装体。

背景技术：

1、自集成电路(integrated circuit,ic)发展以来，由于各种电子元件(即晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集积密度不断提高，半导体行业经历了持续的快速增长。在大多数情况下，这些集积密度的提高来自于最小特征尺寸部件的不断减少，使得更多的部件可以整合至一给定的区域。

2、这些整合改进本质上是二维(two-dimensional,2d)的，即整合部件所占的面积基本上是在半导体晶片的表面。集成电路的密度增加及相应的面积减少，一般来说已经超出将集成电路芯片直接接合在基底上的能力。中介板已用于将球接触区域从芯片的接触区域重新分配到中介板的更大区域。再者，中介板也可以实现包括多个芯片的三维(three-dimensional,3d)封装。其他封装也已开发出来，以并入三维型态。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提出一种半导体封装体，以解决上述至少一个问题。

2、在一些实施例中，提供一种半导体封装体，上述半导体封装体包括：一第一重布结构；一第一封装部件，接合至第一重布结构，第一封装部件包括：一第二重布结构；一第一裸片，耦接至第二重布结构；以及一模塑材料，位于第二重布结构上，其中模塑材料环绕第一裸片的整个周边并与之物理接触；一第二裸片，与第一封装部件接合至第一重布结构的同一表面上；一底胶，位于第一封装部件与第二裸片之间，其中模塑材料包括一第一材料，而底胶包括不同于第一材料的第二材料；以及一封胶层，将第一封装部件及第二裸片封入，其中封胶层包括一第三基体材料及位于第三基体材料内的多个二氧化硅填充料。

3、根据本实用新型其中的一个实施方式，其中该第二重布结构具有一厚度，其在2μm至50μm的范围。

4、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第一封装部件包括具有一第一宽度的一第一侧壁及具有一第二宽度的一第二侧壁，其中该第一宽度大于该第二宽度，其中该第一侧壁平行于一第一轴，且该第二侧壁平行于一第二轴，其中该第一轴正交于该第二轴，其中与该第一侧壁物理性接触的该模塑材料的一第一部分具有由平行于该第二轴的方向上测量的一第三宽度，而与该第二侧壁物理性接触的该模塑材料的一第二部分具有由平行于该第一轴的方向上测量的一第四宽度，且该第三宽度及该第四宽度相等。

5、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第一封装部件包括具有一第一宽度的一第一侧壁及具有一第二宽度的一第二侧壁，其中该第一宽度大于该第二宽度，其中该第一侧壁平行于一第一轴，且该第二侧壁平行于一第二轴，其中该第一轴正交于该第二轴，其中与该第一侧壁物理性接触的该模塑材料的一第一部分具有由平行于该第二轴的方向上测量的一第三宽度，而与该第二侧壁物理性接触的该模塑材料的一第二部分具有由平行于该第一轴的方向上测量的一第四宽度，且该第三宽度及该第四宽度不同。

6、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第二裸片为裸裸片。

7、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第一重布结构包括：多个第一有机高分子层；以及多个第一导线于多个所述第一有机高分子层内。

8、根据本实用新型其中的一个实施方式，多个所述第一导线包括位于多个所述第一有机高分子层内的至少四个重布层。

9、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第二重布结构包括：一第二有机高分子层，位于该第一裸片及该模塑材料的下表面上；以及一第二导线，位于该第二有机高分子层内。

10、根据本实用新型其中的一个实施方式，环绕该第一裸片的整个周边的该模塑材料的一宽度在10μm至500μm的范围。

11、根据本实用新型其中的一个实施方式，还包括：一基底，接合至该第一重布结构上，其中该基底接合至该第一重布结构中背对于该第一封装部件的一侧；以及一加固环，位于该基底上，其中该加固环在俯视角度来看，环绕该第一重布结构。

技术特征：

1.一种半导体封装体，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，其中该第二重布结构具有一厚度，其在2μm至50μm的范围。

3.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，其中该第一封装部件包括具有一第一宽度的一第一侧壁及具有一第二宽度的一第二侧壁，其中该第一宽度大于该第二宽度，其中该第一侧壁平行于一第一轴，且该第二侧壁平行于一第二轴，其中该第一轴正交于该第二轴，其中与该第一侧壁物理性接触的该模塑材料的一第一部分具有由平行于该第二轴的方向上测量的一第三宽度，而与该第二侧壁物理性接触的该模塑材料的一第二部分具有由平行于该第一轴的方向上测量的一第四宽度，且该第三宽度及该第四宽度相等。

4.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，其中该第一封装部件包括具有一第一宽度的一第一侧壁及具有一第二宽度的一第二侧壁，其中该第一宽度大于该第二宽度，其中该第一侧壁平行于一第一轴，且该第二侧壁平行于一第二轴，其中该第一轴正交于该第二轴，其中与该第一侧壁物理性接触的该模塑材料的一第一部分具有由平行于该第二轴的方向上测量的一第三宽度，而与该第二侧壁物理性接触的该模塑材料的一第二部分具有由平行于该第一轴的方向上测量的一第四宽度，且该第三宽度及该第四宽度不同。

5.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，其中该第二裸片为裸裸片。

6.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，其中该第一重布结构包括：

7.如权利要求6所述的半导体封装体，其特征在于，其中多个所述第一导线包括位于多个所述第一有机高分子层内的至少四个重布层。

8.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，其中该第二重布结构包括：

9.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，其中环绕该第一裸片的整个周边的该模塑材料的一宽度在10μm至500μm的范围。

10.如权利要求1或2所述的半导体封装体，其特征在于，还包括：

技术总结一种半导体封装体，包括一第一重布结构、一第一封装部件、一底胶以及一封胶层。第一封装部件接合至第一重布结构，且包括：一第一裸片耦接至一第二重布结构以及位于第二重布结构上的一模塑材料。半导体封装体还包括：一第二裸片，与第一封装部件接合至第一重布结构的同一表面上。底胶位于第一封装部件与第二裸片之间。模塑材料包括一第一材料，而底胶包括不同于第一材料的第二材料。封胶层将第一封装部件及第二裸片封入，且包括一第三基体材料及位于第三基体材料内的多个二氧化硅填充料。技术研发人员：李宗彦,许佳桂,游明志,郑心圃受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230821技术公布日：2024/7/29