半导体装置结构的制作方法

本技术实施例涉及半导体装置结构，尤其涉及不同轮廓的浅沟槽隔离与个别的源极/漏极外延结构。

背景技术：

1、半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(如单位面积的集成装置数目)通常随着几何尺寸(如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦增加处理与制造集成电路的复杂度。

2、随着几何尺寸缩小，短通道效应与源极/漏极电子穿隧增加可能负面地影响半导体装置如鳍状场效晶体管。因此亟需改善处理与制造集成电路的方法。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提出一种半导体装置结构，以解决上述至少一个问题。

2、一实施例为半导体装置结构。半导体装置结构包括基板，包含邻接的n型金属氧化物半导体区与p型金属氧化物半导体区；第一浅沟槽隔离，越过p型金属氧化物半导体区与n型金属氧化物半导体区，第一浅沟槽隔离的第一底部自n型金属氧化物半导体区朝p型金属氧化物半导体区倾斜。半导体装置结构亦包括第一鳍状物，位于p型金属氧化物半导体区中；第一源极/漏极外延结构，位于第一鳍状物上；第二鳍状物，位于n型金属氧化物半导体区中；第二源极/漏极外延结构，位于第二鳍状物上；第一介电结构，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间，且第一介电结构的一部分埋置于第一浅沟槽隔离中。半导体装置结构还包括导电结构，位于第一源极/漏极外延结构、第二源极/漏极外延结构、与第一介电结构上。

3、根据本实用新型其中的一个实施方式，还包括：一第三鳍状物，与该第一鳍状物相邻；一第三源极/漏极外延结构，位于该第三鳍状物上，且该第三源极/漏极外延结构的一部分与该第一源极/漏极外延结构的一部分合并；一第四鳍状物，与该第二鳍状物相邻；以及一第四源极/漏极外延结构，位于该第四鳍状物上，且该第四源极/漏极外延结构的一部分与该第二源极/漏极外延结构的一部分合并。

4、根据本实用新型其中的一个实施方式，还包括：一第二浅沟槽隔离，位于该第二鳍状物与该第四鳍状物之间，且该第二浅沟槽隔离的一第二底部的高度高于该第一浅沟槽隔离的该第一底部的高度。

5、根据本实用新型其中的一个实施方式，还包括：一第三浅沟槽隔离，位于该第一鳍状物与该第三鳍状物之间，且该第三浅沟槽隔离的一第三底部的高度高于该第二浅沟槽隔离的该第二底部的高度。

6、根据本实用新型其中的一个实施方式，还包括：一第四浅沟槽隔离，与该第四鳍状物相邻，且该第四浅沟槽隔离的一第四底部的高度低于该第一浅沟槽隔离的该第一底部的高度；以及一第二介电结构，具有一部分埋置于该第四浅沟槽隔离中。

7、另一实施例为半导体装置结构。半导体装置结构包括：基板，包括第一p型井区、第二p型井区及n型井区位于第一p型井区与第二p型井区之间；第一浅沟槽隔离，位于n型井区中，且第一浅沟槽隔离具有非倾斜的下表面；第二浅沟槽隔离，位于n型井区中；第三浅沟槽隔离，越过n型井区与第一p型井区，第三浅沟槽隔离相对于第一浅沟槽隔离的非倾斜下表面具有倾斜下表面；以及第四浅沟槽隔离，越过n型井区与第二p型井区，第四浅沟槽隔离相对于第一浅沟槽隔离的非倾斜下表面具有倾斜下表面。

8、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第三浅沟槽隔离的倾斜下表面自该n型井区朝该第一p型井区向下倾斜。

9、根据本实用新型其中的一个实施方式，该第四浅沟槽隔离的倾斜下表面自该n型井区朝该第二p型井区向下倾斜。

10、根据本实用新型其中的一个实施方式，非倾斜下表面的高度高于该第三浅沟槽隔离与该第四浅沟槽隔离的倾斜下表面的高度。

11、根据本实用新型其中的一个实施方式，还包括：一第一源极/漏极外延结构，位于该第一浅沟槽隔离与该第二浅沟槽隔离之间的该n型井区上；以及一第二源极/漏极外延结构，位于该第二浅沟槽隔离与该第三浅沟槽隔离之间的该n型井区上，其中该第一源极/漏极外延结构与该第二源极/漏极外延结构部分地合并。

技术特征：

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括：

4.如权利要求3所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括：

5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括：

6.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其特征在于，该第三浅沟槽隔离的倾斜下表面自该n型井区朝该第一p型井区向下倾斜。

8.如权利要求7所述的半导体装置结构，其特征在于，该第四浅沟槽隔离的倾斜下表面自该n型井区朝该第二p型井区向下倾斜。

9.如权利要求8所述的半导体装置结构，其特征在于，非倾斜下表面的高度高于该第三浅沟槽隔离与该第四浅沟槽隔离的倾斜下表面的高度。

10.如权利要求6或7所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括：

技术总结一种半导体装置结构，包括的基板含有邻接的n型金属氧化物半导体区与p型金属氧化物半导体区、浅沟槽隔离越过p型金属氧化物半导体区与n型金属氧化物半导体区，第一浅沟槽隔离的第一底部自n型金属氧化物半导体区朝p型金属氧化物半导体区倾斜。半导体装置结构亦包括第一鳍状物位于p型金属氧化物半导体区中，第一源极/漏极外延结构位于第一鳍状物上、第二鳍状物位于n型金属氧化物半导体区中、第二源极/漏极外延结构位于第二鳍状物上、第一介电结构位于第一及第二源极/漏极外延结构之间，第一介电结构的一部分埋置于第一浅沟槽隔离中。半导体装置结构还包括导电结构位于第一及第二源极/漏极外延结构与第一介电结构上。技术研发人员：沙哈吉·B·摩尔,张正伟受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230825技术公布日：2024/7/29