用于微LED阵列的窄带反射器的制作方法

本公开总体上涉及微发光二极管(led)和led阵列，并且更具体地涉及修改微led和微led阵列的反射特性。

背景技术：

1、微发光二极管(微led)阵列领域是照明和显示行业中的新兴技术。微led阵列通常包括数千到数百万个微型发光二极管(led)像素，这些像素可以发射光并且可以被单独控制或以像素组(例如5×5)被控制。与其他照明技术和显示技术相比，微led阵列可以提供更高的明度和更好的能量效率，这可以使得微led阵列合期望于多种不同的应用，诸如电视、机动车头灯、和移动电话等等。

技术实现思路

技术特征：

1.一种微发光二极管(led)，包括：

2.根据权利要求1所述的微led，其中所述多层反射器结构设置在半导体结构的与发射表面相反的表面上。

3.根据权利要求2所述的微led，其中所述多层反射器结构还包括设置在窄带滤波器和半导体结构之间的保护层，该保护层对可见光波长的光基本透明。

4.根据权利要求3所述的微led，其中所述保护层包括二氧化硅。

5.根据权利要求3所述的微led，其中所述多层反射器结构还包括被配置成吸收可见光波长的光的吸收层，所述窄带滤波器设置在吸收层和半导体结构之间。

6.根据权利要求5所述的微led，其中所述吸收层包括tiw。

7.根据权利要求3所述的微led，还包括设置在保护层和半导体结构之间的透明导电膜，该透明导电膜设置在半导体结构上。

8.根据权利要求7所述的微led，还包括设置在透明导电膜和保护层之间的界面处的抗反射涂层。

9.根据权利要求1所述的微led，进一步包括：

10.根据权利要求1所述的微led，进一步包括：

11.根据权利要求1所述的微led，其中所述窄带滤波器包括分布式布拉格反射器(dbr)。

12.根据权利要求1所述的微led，还包括e通孔，所述e通孔包括被配置为电接触半导体结构的导电材料，所述多层反射器结构横向围绕所述e通孔。

13.根据权利要求12所述的微led，其中：

14.根据权利要求1所述的微led，其中所述有源区包括多量子阱结构。

15.一种微发光二极管(led)系统，包括：

16.根据权利要求15所述的微led系统，其中：

17.根据权利要求15所述的微led系统，其中：

18.一种制作包括多个微发光二极管(led)的微led阵列的方法，对于每个微led，该方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

20.根据权利要求19所述的方法，其中沉积多层反射器结构进一步包括：

技术总结描述了微LED的结构和方法。微LED具有GaN半导体结构和多层反射器结构，该GaN半导体结构包含被配置为发射可见光波长范围的光的多量子阱有源区，该多层反射器结构包括分布式布拉格反射器(DBR)，该DBR在可见光波长范围具有最大反射率并且将由有源区发射的光反射朝向半导体结构的发射表面。多层反射器结构还具有在DBR和GaN结构之间的保护层，该保护层对于可见光波长的光是透明的。多层反射器结构还具有吸收可见光波长的光的吸收金属层。导电材料提供与半导体结构的电接触。技术研发人员：A·洛佩兹朱莉娅,N·B·菲佛,O·B·谢金受保护的技术使用者：亮锐有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29