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显示装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:00:53

实施例涉及一种显示装置。

背景技术:

1、显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。显示装置可以包括像素,并且像素中的每个可以包括产生光的发光元件和向发光元件提供驱动电流的像素电路。像素电路可以包括堆叠的导电层。

2、在形成导电层以形成像素电路的工艺中,导电层可能由于掩模的未对准而未对准。在这种情况下,像素行的导电层之间的电容可能不一致,因此,像素行的回扫电压可能不一致。因此,可能在显示装置中识别到污点,并且可能降低显示装置的显示质量。

3、将理解的是,技术部分的该背景技术部分地意图为理解技术提供有用的背景技术。然而,技术部分的该背景技术还可以包括不是在这里公开的主题的相应有效提交日之前由相关领域的技术人员已知或理解的内容的部分的思想、构思或认识。

技术实现思路

1、实施例提供了一种具有改善的显示质量的显示装置。

2、根据实施例的显示装置可以包括:第一晶体管,包括设置在基底上的栅电极;第二晶体管,包括设置在基底上的下栅电极、设置在下栅电极上的上栅电极以及电连接到第一晶体管的端部的第一端部;下栅极信号线,在第一方向上延伸,下栅极信号线的一部分形成下栅电极;上栅极信号线,设置在下栅极信号线上并且在第一方向上延伸,上栅极信号线的一部分形成上栅电极;以及第一连接图案,设置在上栅极信号线上,将第一晶体管的栅电极和第二晶体管的第二端部电连接,并且与下栅极信号线和上栅极信号线交叉。在下栅极信号线或上栅极信号线可以与第一连接图案叠置的叠置区域中,上栅极信号线的整体可以与下栅极信号线的一部分重叠。

3、在实施例中,在叠置区域中,上栅极信号线在第二方向上的宽度可以比下栅极信号线在第二方向上的宽度小。

4、在实施例中,下栅极信号线在第二方向上的宽度与上栅极信号线在第二方向上的宽度之间的差可以大于约1μm。

5、在实施例中,第一连接图案可以在叠置区域中沿第二方向延伸。

6、在实施例中,第一下栅极信号线在叠置区域的内部和外部两者沿第二方向的宽度可以基本上相等,并且第一上栅极信号线在叠置区域的内部和外部两者沿第二方向的宽度可以基本上相等。

7、在实施例中,在平面图中,下栅极信号线可以在叠置区域中沿第二方向突出。

8、在实施例中,在平面图中,上栅极信号线可以在叠置区域中沿第二方向凹陷。

9、在实施例中,第一晶体管可以包括设置在基底与栅电极之间的第一有源层,并且第二晶体管可以包括设置在下栅电极与上栅电极之间的第二有源层。第二有源层的第一端部可以电连接到第一有源层的端部。

10、在实施例中,第一晶体管的第一有源层可以包括多晶硅,并且第二晶体管的第二有源层可以包括氧化物半导体。

11、在实施例中,第一连接图案可以将第一晶体管的栅电极和第二晶体管的第二有源层的第二端部电连接。

12、在实施例中,显示装置还可以包括:第二连接图案,将第一有源层的端部和第二有源层的第一端部电连接,其中,第一连接图案和第二连接图案可以设置在同一层上。

13、根据实施例的显示装置可以包括:第一晶体管,包括设置在基底上的栅电极;第二晶体管,包括设置在基底上的下栅电极、设置在下栅电极上的上栅电极以及电连接到第一晶体管的端部的第一端部;下栅极信号线,在第一方向上延伸,下栅极信号线的一部分形成下栅电极;上栅极信号线,设置在下栅极信号线上并且在第一方向上延伸,上栅极信号线的一部分形成上栅电极;以及第一连接图案,设置在上栅极信号线上,将第一晶体管的栅电极和第二晶体管的第二端部电连接,并且与下栅极信号线和上栅极信号线交叉。在下栅极信号线或上栅极信号线可以与第一连接图案叠置的叠置区域中,下栅极信号线的整体可以与上栅极信号线的一部分重叠。

14、在实施例中,在叠置区域中,上栅极信号线在第二方向上的宽度可以比下栅极信号线在第二方向上的宽度大。

15、在实施例中,上栅极信号线在第二方向上的宽度与下栅极信号线在第二方向上的宽度之间的差可以大于约1μm。

16、在实施例中,第一连接图案可以在叠置区域中沿第二方向延伸。

17、在实施例中,第一下栅极信号线在叠置区域的内部和外部两者沿第二方向的宽度可以基本上相等,并且第一上栅极信号线在叠置区域的内部和外部两者沿第二方向的宽度可以基本上相等。

18、在实施例中,在平面图中,下栅极信号线可以在叠置区域中沿第二方向凹陷。

19、在实施例中,在平面图中,上栅极信号线可以在叠置区域中沿第二方向突出。

20、在实施例中,第一晶体管可以包括设置在基底与栅电极之间的第一有源层,并且第二晶体管可以包括设置在下栅电极与上栅电极之间的第二有源层,第二有源层的第一端部电连接到第一有源层的端部。

21、在实施例中,第一晶体管的第一有源层可以包括多晶硅,并且第二晶体管的第二有源层可以包括氧化物半导体。

22、在实施例中,第一连接图案可以将第一晶体管的栅电极和第二晶体管的第二有源层的第二端部电连接。

23、在实施例中,显示装置还可以包括:第二连接图案,将第一有源层的端部和第二有源层的第一端部电连接,其中,第一连接图案和第二连接图案可以设置在同一层上。

24、在根据实施例的显示装置中,在下栅极信号线或上栅极信号线可以与第一连接图案叠置的叠置区域中,上栅极信号线的整体可以与下栅极信号线的一部分重叠,或者下栅极信号线的整体可以与上栅极信号线的一部分重叠,从而可以恒定地保持下栅极信号线与第一连接图案之间的电容以及上栅极信号线与第一连接图案之间的电容。因此,由于施加到下栅极信号线和上栅极信号线的栅极信号引起的第一连接图案的回扫电压可以恒定。此外,在显示装置中不会出现污点,因此,可以改善显示装置的显示质量。

技术特征:

1.一种显示装置,所述显示装置包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一连接图案与所述下栅极信号线和所述上栅极信号线交叉。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述叠置区域中,所述上栅极信号线在第二方向上的宽度大于所述下栅极信号线在所述第二方向上的宽度。

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述上栅极信号线在所述第二方向上的所述宽度与所述下栅极信号线在所述第二方向上的所述宽度之间的差大于1μm。

5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一连接图案在所述叠置区域中沿所述第二方向延伸。

6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,

7.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在平面图中,所述下栅极信号线在所述叠置区域中沿所述第二方向凹陷。

8.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在平面图中,所述上栅极信号线在所述叠置区域中沿所述第二方向突出。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:

11.一种显示装置,所述显示装置包括:

12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一连接图案与所述下栅极信号线和所述上栅极信号线交叉。

13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,在所述叠置区域中,所述上栅极信号线在第二方向上的宽度小于所述下栅极信号线在所述第二方向上的宽度。

14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述下栅极信号线在所述第二方向上的所述宽度与所述上栅极信号线在所述第二方向上的所述宽度之间的差大于1μm。

15.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一连接图案在所述叠置区域中沿所述第二方向延伸。

16.根据权利要求13所述的显示装置,其中,

17.根据权利要求13所述的显示装置,其中,在平面图中,所述下栅极信号线在所述叠置区域中沿所述第二方向突出。

18.根据权利要求13所述的显示装置,其中,在平面图中,所述上栅极信号线在所述叠置区域中沿所述第二方向凹陷。

19.根据权利要求11所述的显示装置,其中,

20.根据权利要求11所述的显示装置,所述显示装置还包括:

技术总结提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一晶体管,包括栅电极;第二晶体管,包括下栅电极、上栅电极和电连接到第一晶体管的端部的第一端部;下栅极信号线,在第一方向上延伸;上栅极信号线,设置在下栅极信号线上并且在第一方向上延伸;以及第一连接图案,设置在上栅极信号线上,将第一晶体管的栅电极和第二晶体管的第二端部电连接,并且与下栅极信号线和上栅极信号线交叉。在下栅极信号线或上栅极信号线与第一连接图案叠置的叠置区域中,上栅极信号线的整体与下栅极信号线的一部分重叠。技术研发人员:朱允植,成硕济,白敬铉,申玹宇受保护的技术使用者:三星显示有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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