阵列基板、显示面板和阵列基板的制备方法与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制备方法。

背景技术：

1、氧化物半导体阵列基板由于其迁移率高，成本低，适合大中小尺寸的特点受到各个面板厂的追捧，由氧化物半导体阵列基板形成的阵列基板显示器(thin filmtransistor-liquid crystal display，tft-lcd)具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。

2、在阵列基板制程中，像素电极层一般最后形成，像素电极层ito与源极连接时需要进行pfa和绝缘层双层套孔来连接，因为pfa层的厚度较大，导致pfa和绝缘层形成的双层套孔的宽度较大，因为孔的位置的电场分布不一样，为避免该处漏光，彩膜基板上的遮光层(bm)的宽度增加，bm增加从而导致像素开口率降低，与现有的a-si产品相比，相同ppi的产品开口率较a-si偏低，进一步导致产品透过率变低。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制备方法，不需要对pfa进行打孔，减少孔的宽度，从而避免遮光层的宽度增大，开口率降低。

2、本申请公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一衬底、薄膜晶体管、像素电极层和pfa层，所述薄膜晶体管形成在所述第一衬底上，所述像素电极层设置在所述薄膜晶体管的远离所述第一衬底的一面的上方，并连接于所述薄膜晶体管的源极，所述pfa层设置在所述像素电极层远离所述第一衬底的一面的上方。

3、可选的，所述阵列基板包括第一绝缘层和公共电极层，所述pfa层设置在所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管和所述像素电极层上，所述像素电极层搭接在所述薄膜晶体管的源极上，所述公共电极层设置在所述第一绝缘层的上方，所述公共电极层朝所述第一衬底的方向上，所述像素电极层的投影覆盖所述公共电极层的投影；所述pfa层对应所述像素电极层的区域内设置第一镂空区，所述公共电极层位于所述第一镂空区内，形成在所述第一绝缘层上。

4、可选的，所述阵列基板包括第一绝缘层和公共电极层，所述第一绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管和所述公共电极层上，所述公共电极层与所述薄膜晶体管间隔设置，所述第一绝缘层对应所述薄膜晶体管的源极形成第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的源极连接，所述公共电极层朝所述第一衬底的方向上，所述像素电极层的投影覆盖所述公共电极层的投影；其中，所述第一绝缘层的厚度小于所述pfa层的厚度。

5、可选的，所述阵列基板包括第一绝缘层、公共电极层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层对应所述薄膜晶体管的源极形成第一过孔，所述像素电极层设置在所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的源极连接，所述pfa层覆盖设置在所述第一绝缘层和像素电极层上，所述公共电极层设置在所述pfa层上，所述公共电极层朝所述第一衬底的方向上，所述像素电极层的投影覆盖所述公共电极层的投影。

6、可选的，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层和漏极金属层，所述半导体层设置在所述第一衬底上，所述栅极绝缘层覆盖设置在所述缓冲层和所述有源层上，并形成有第二过孔和第三过孔；所述栅极金属层、源极金属层和漏极金属层间隔设置在所述栅极绝缘层上；所述源极金属层通过所述第二过孔与所述半导体层连接；所述漏极金属层通过所述第三过孔与所述半导体层连接。

7、可选的，所述半导体层包括两个导体部和至少一个半导体部，两个所述导体部分别设置在所述半导体部的两端，并与所述半导体部电连接；所述栅极金属层的投影覆盖所述半导体部，所述源极金属层和漏极金属层分别通过所述第二过孔和所述第三过孔与对应的两个所述导体部连接。

8、本申请还公开了一种显示面板，所述显示面板包括如上任一所述的阵列基板以及与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板。

9、可选的，所述彩膜基板包括第二衬底和色阻层，所述色阻层形成在所述第二衬底上，所述色阻层包括间隔设置的色阻和遮光层，所述遮光层对应所述薄膜晶体管设置，每个薄膜晶体管对应的所述遮光层的宽度为d，其中，26um＜d≤30um。

10、本申请还公开了一种阵列基板的制备方法，用于制备如上任一所述的阵列基板，所述制备方法包括步骤：

11、在第一衬底上形成薄膜晶体管；

12、在薄膜晶体管的上方形成像素电极层和pfa层；

13、其中，所述像素电极层连接于所述薄膜晶体管的源极，所述pfa层设置在所述像素电极层远离所述第一衬底的一面的上方。

14、可选的，所述在薄膜晶体管的上方形成像素电极层和pfa层的步骤包括：

15、在薄膜晶体管上形成像素电极层，对像素电极层进行刻蚀，使得每个像素对应的像素电极搭接在薄膜晶体管的源极上；

16、对像素电极层和薄膜晶体管进行除尘清洗，铺设覆盖像素电极层和薄膜晶体管的第一绝缘层，并在第一绝缘层上形成pfa层；

17、对应每个像素的显示区将所述pfa层进行镂空以形成第一镂空区，并在第一镂空区形成公共电极层。

18、相对于pfa层设置在像素电极层的下方的方案来说，本申请将pfa层设置在像素电极层的上方，不需要对pfa层进行打孔以实现像素电极层与薄膜晶体管的连接，从而避免因为对pfa打孔时，孔的宽度较大，从而导致遮光层宽度增加，开口率减少。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一衬底、薄膜晶体管、像素电极层和pfa层，所述薄膜晶体管形成在所述第一衬底上，所述像素电极层设置在所述薄膜晶体管的远离所述第一衬底的一面的上方，并连接于所述薄膜晶体管的源极，所述pfa层设置在所述像素电极层远离所述第一衬底的一面的上方。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一绝缘层和公共电极层，所述pfa层设置在所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管和所述像素电极层上，所述像素电极层搭接在所述薄膜晶体管的源极上，所述公共电极层设置在所述第一绝缘层的上方，所述公共电极层朝所述第一衬底的方向上，所述像素电极层的投影覆盖所述公共电极层的投影；

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一绝缘层和公共电极层，所述第一绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管和所述公共电极层上，所述公共电极层与所述薄膜晶体管间隔设置，所述第一绝缘层对应所述薄膜晶体管的源极形成第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的源极连接，所述公共电极层朝所述第一衬底的方向上，所述像素电极层的投影覆盖所述公共电极层的投影；

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一绝缘层、公共电极层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层对应所述薄膜晶体管的源极形成第一过孔，所述像素电极层设置在所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的源极连接，所述pfa层覆盖设置在所述第一绝缘层和像素电极层上，所述公共电极层设置在所述pfa层上，所述公共电极层朝所述第一衬底的方向上，所述像素电极层的投影覆盖所述公共电极层的投影。

5.如权利要求1-4任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层和漏极金属层，所述半导体层设置在所述第一衬底上，所述栅极绝缘层覆盖设置在所述缓冲层和所述有源层上，并形成有第二过孔和第三过孔；所述栅极金属层、源极金属层和漏极金属层间隔设置在所述栅极绝缘层上；所述源极金属层通过所述第二过孔与所述半导体层连接；所述漏极金属层通过所述第三过孔与所述半导体层连接。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括两个导体部和至少一个半导体部，两个所述导体部分别设置在所述半导体部的两端，并与所述半导体部电连接；

7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任意一项所述的阵列基板以及与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括第二衬底和色阻层，所述色阻层形成在所述第二衬底上，所述色阻层包括间隔设置的色阻和遮光层，所述遮光层对应所述薄膜晶体管设置，每个薄膜晶体管对应的所述遮光层的宽度为d，其中，26um＜d≤30um。

9.一种阵列基板的制备方法，用于制备如权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，包括步骤：

10.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在薄膜晶体管的上方形成像素电极层和pfa层的步骤包括：

技术总结本申请公开了一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括第一衬底、薄膜晶体管、像素电极层和PFA层，所述薄膜晶体管形成在所述第一衬底上，所述像素电极层设置在所述薄膜晶体管的远离所述第一衬底的一面的上方，并连接于所述薄膜晶体管的源极，所述PFA层设置在所述像素电极层远离所述第一衬底的一面的上方。本申请将PFA层设置在像素电极层的上方，不需要对PFA层进行打孔以实现像素电极层与薄膜晶体管的连接，从而避免因为对PFA打孔时，孔的宽度较大，从而导致遮光层宽度增加，开口率减少。技术研发人员：韦东梅,吴川,曹中林,易文玉,冯亚娟,李瑶,陈杰,叶利丹受保护的技术使用者：惠科股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29