检测器检查设备、检测器组件、检测器阵列、装置和方法与流程

本文提供的实施例一般涉及检测器检查设备、检测器组件、检测器阵列、装置和方法。

背景技术：

1、在制造半导体集成电路(ic)芯片时，由于光学效应和偶然粒子等原因，在制造过程期间不可避免地会在衬底(即，晶片)或掩模上出现不期望的图案缺陷，从而降低产率。因此，监控不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地说，在衬底或其他物体/材料制造期间和/或制造之后，检查和/或测量衬底或其他物体/材料的表面是一项重要的过程。

2、具有带电粒子束的图案检查工具已用于检查物体，例如检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的电子束以最终减速步骤作为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号粒子(例如，电子)从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。产生的信号粒子可以从样品的材料结构发射。通过将初级电子束作为探测点在样品表面上进行扫描，信号粒子可以横跨样品的表面发射。通过从样品表面收集这些发射的信号粒子，图案检查工具可以获得表示样品表面的材料结构特性的数据。数据可以称为图像并且可以被绘制成图像。

3、发射的信号粒子通常可以由作为图案检查工具一部分的检测器检测。这种检测器需要能够以高准确度检测电流非常小的带电粒子。检查检测器以确保其按预期运行是有益的。然而，在不影响检测器特性和/或没有复杂设置的情况下检查检测器可能很困难

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供询查检测器的至少一部分的方法。

2、根据本发明的一个方面，提供了一种检测器检查设备，用于询查带电粒子光学评估装置中所包括的检测器的至少一部分，该检测器检查设备包括：耦合器，被配置为定位在检测器的检测器元件附近；以及设备控制器，被配置为向耦合器施加刺激信号以刺激检测器中的响应信号，用于询查检测器的至少一部分。

3、根据本发明的一个方面，提供了一种用于评估装置的检测器组件，该评估装置用于将带电粒子束投射朝向样品，该组件包括：检测器，包括被配置为检测来自样品的信号的检测器元件和定位在检测器元件附近的屏蔽电极；以及检测器控制器，被配置为将刺激信号施加到屏蔽电极的至少一部分以刺激检测器中的响应信号，以用于询查检测器的至少一部分。

4、根据本发明的一个方面，提供了一种用于多射束评估装置的检测器组件，该多射束评估装置用于将带电粒子束投射朝向样品，该组件包括：检测器，包括：检测器元件，该检测器元件包括半导体型元件和/或转换器型元件；以及与检测器元件相关联的验证元件；以及检测器控制器，被配置为将刺激信号施加到屏蔽电极的至少一部分以刺激检测器中的响应信号，以用于询查检测器的至少一部分。

5、根据本发明的一个方面，提供了一种检测器阵列，包括至少一个如本文所述的检测器组件。

6、根据本发明的一个方面，提供了一种用于评估样品的评估装置，期望地用于将带电粒子以射束阵列朝向样品投射，该评估装置包括：用于支撑样品的样品支撑件；检测器组件，包括检测器，该检测器被配置为检测来自由样品支撑件支撑的样品的信号；检测器控制器，被配置为控制检测器并与检测器通信；以及本文所述的检测器检查设备，其中检测器检查设备的设备控制器被配置为与检测器控制器进行信号通信。

7、根据本发明的一个方面，提供了一种询查带电粒子光学评估装置的检测器的至少一部分的方法，该方法包括：在耦合器中生成刺激信号；响应于刺激信号在检测器元件中刺激响应信号；以及检测检测器元件中的响应信号。

技术特征：

1.一种检测器检查设备，用于询查在带电粒子光学评估装置中使用的检测器的至少一部分，所述检测器检查设备包括：

2.根据权利要求1所述的检测器检查设备，其中所述耦合器包括被配置为面向所述检测器元件的面对表面。

3.根据权利要求2所述的检测器检查设备，其中所述耦合器或所述耦合器的至少所述面对表面被成形为与所述检测器元件的至少一部分相匹配，期望地与整个所述检测器元件相匹配。

4.根据权利要求2所述的检测器检查设备，其中所述检测器包括检测器元件阵列，期望地其中所述耦合器或所述耦合器的至少所述面对表面被成形为与所述检测器元件中的一个检测器元件的至少一部分或所述探测器检测器元件阵列的所述多个探测器检测器元件相匹配。

5.根据权利要求4所述的检测器检查设备，其中所述检测器检查设备被配置为一次刺激一个检测器元件。

6.根据权利要求4所述的检测器检查设备，其中所述检测器元件被选择性地同时刺激。

7.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述耦合器围绕所述检测器元件或相对于所述检测器元件横向定位。

8.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述耦合器可以是带电粒子光学评估装置的透镜电极。

9.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述检测器检查设备被配置为可移除地插入到带电粒子光学评估装置中。

10.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述设备控制器被配置为控制施加到所述检测器元件的电位。

11.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述检测器还包括被配置为验证所述检测器的电路系统，其中所述电路系统被配置为基于所述响应信号验证所述检测器，期望地所述电路系统包括与每个检测器元件相关联的检测器电路系统，期望地所述检测器的验证包括验证所述检测器电路系统，期望地所述电路系统包括被配置为验证所述检测器元件的验证电路系统。

12.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述设备控制器被配置为基于所述响应信号来验证所述检测器，其中所述设备控制器被配置为通过将所述响应信号的一个或多个参数与所述一个或多个参数的规格进行比较来验证所述检测器，使得所述一个或多个参数至少等于所述规格。

13.根据前述权利要求中任一项所述的检测器检查设备，其中所述刺激信号具有变化的电流，期望地交流电流和/或所述刺激信号具有变化的电压，期望地交流电压。

14.一种用于评估样品的评估装置，期望地用于将带电粒子以射束阵列向样品投射，所述评估装置包括：

15.一种询查用于带电粒子光学评估装置的检测器的至少一部分的方法，所述方法包括：

技术总结本发明提供了一种检测器检查设备，用于询查带电粒子光学评估装置中所包括的检测器的至少一部分，该检测器检查设备包括：耦合器，被配置为定位在检测器的检测器元件附近；以及设备控制器，被配置为向耦合器施加刺激信号以刺激检测器中的响应信号，用于询查检测器的至少一部分。技术研发人员：H·T·斯蒂恩斯特拉,M·J-J·维兰德,A·O·洛伊耶,R·M·范莱文,E·R·A·维瑟,A·L·罗德里格斯·曼萨诺,G·R·范特·维恩,D·西克勒斯,R·A·玛丽森受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29