生成样品图的方法、计算机程序产品与流程

本文公开的实施例涉及生成用于评估过程的样品图，例如以标识图案中的缺陷。

背景技术：

1、制造半导体集成电路(ic)芯片时，由于光学效应和偶然粒子等原因，在制造过程期间不可避免地会在衬底(即，晶片)或掩模上出现不希望的图案缺陷，从而降低产率。因此，监控不希望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地说，在衬底或其他物体/材料制造期间和/或制造之后，检查和/或测量衬底或其他物体/材料的表面是一项重要的过程。

2、带有带电粒子束的图案检查装置已用于检查物体(可称为样品)，例如检测图案缺陷。这些装置通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上。电子束聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致从表面发射信号电子，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。信号电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上将初级电子束作为探测点进行扫描，信号电子可以横跨样品的表面发射到。通过从样品表面收集这些发射的信号电子，图案检查装置可以获得表示样品表面材料结构特征的图像。

3、图案可以被布置在多个场区域中。每个场区域又可以包含多个管芯区域。通常，至少一部分场区域名义上是矩形的，并被布置成行和列的规则阵列。图案化过程中的缺陷导致场区域的形状和位置出现偏差。可以测量对准标记并将其用于预测场区域(以及其中的管芯区域)的形状和位置。此类图中的不准确性会降低样品评估方法的吞吐量，因为这使得更难以在要评估的样品中定位感兴趣的特征。

4、普遍需要提高样品评估方法的吞吐量。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供支持提高样品评估方法的吞吐量的实施例。

2、根据所公开的实施例的一个方面，提供了一种生成样品图的方法，该方法包括：获得具有场区域的样品；测量第一标记在多个场区域的每个场区域中的位置；将第一模型拟合至所测量的第一标记的位置，经拟合的第一模型表示场区域的位置；测量多个第二标记在一个场区域中或者多个场区域的每个场区域中的位置；将第二模型拟合至所测量的第二标记的位置，经拟合的第二模型表示每个场区域的形状；以及使用经拟合的第一模型和第二模型输出样品图。

3、根据所公开的实施例的一个方面，提供了一种生成样品图的方法，其中样品图包括关于样品上场区域的位置和形状的信息，该方法包括：提供具有场区域的样品；从用于曝光每个场区域的光刻设备接收曝光校正数据；以及使用曝光校正数据来生成样品图。

4、根据所公开的实施例的一个方面，提供了一种计算机程序产品，包括指令，当该程序由计算机执行时，使得计算机执行以下步骤：接收表示第一标记在样品上的多个场区域的每个场区域中的测量位置的数据；将第一模型拟合到第一标记的测量位置，经拟合的第一模型表示场区域的位置；接收表示多个第二标记在一个场区域中或多个场区域的每个场区域中的的测量位置的数据；将第二模型拟合到第二标记的测量位置，经拟合的第二模型表示每个场区域的形状；以及使用经拟合的第一模型和第二模型输出样品图。

5、根据所公开的实施例的一个方面，提供了一种计算机程序产品，包括指令，当该程序由计算机执行时，使得计算机执行以下步骤：从用于曝光样品上的场区域的光刻设备接收曝光校正数据；并且使用曝光校正数据来生成样品图，该样品图包括关于样品上场区域的位置和形状的信息。

6、根据所公开的实施例的一个方面，提供了一种带电粒子束检查系统，包括：样品保持器，被配置为保持具有场区域的样品；电子束系统，被配置为将一个或多个电子束投射到样品上并检测从样品发射的信号电子；以及控制器，被配置为：使电子束系统测量第一标记在多个场区域的每个场区域中的位置；将第一模型拟合到第一标记的测量位置，拟合的第一模型表示场区域的位置；使电子束系统测量多个第二标记在一个场区域或多个场区域的每个场区域中的位置；将第二模型拟合到第二标记的测量位置，拟合的第二模型表示每个场区域的形状；并使用拟合的第一模型和第二模型输出样品图。

7、根据所公开的实施例的一个方面，提供了一种带电粒子束检查系统，包括：样品保持器，被配置为保持具有场区域的样品；电子束系统，被配置为将一个或多个电子束投射到样品上并检测从样品发射的信号电子；以及控制器，被配置为：从用于曝光样品上的场区域的光刻设备接收曝光校正数据；并且使用曝光校正数据来生成样品图，该样品图包括关于样品上的场区域的位置和形状的信息。

技术特征：

1.一种生成样品图的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模型和所述第二模型中的任一者或两者被配置为表示非线性几何形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使用由经拟合的所述第一模型表示的所述场区域的所述位置来执行所述第二标记的所述位置的所述测量。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模型被配置为表示所述场区域在具有场区域的行和场区域的列的阵列中的位置，其中所述行中的至少一个行为非线性的和/或所述列中的至少一个列为非线性的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二模型被配置为表示每个场区域的形状，使得所述形状的边界的至少一部分是非线性的。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一模型用相应的非线性等式表示每个非线性行和/或非线性列。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二模型用相应的非线性方程表示边界的每个非线性部分。

8.根据权利要求6所述的方法，其中每个非线性方程包括多项式方程。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述多项式方程的次数在3至5的范围内，包括3和5。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一标记的所述位置是相对于所述样品上的公共参考位置来测量的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二标记在每个场区域中的所述位置是相对于特定于所述场区域的参考点来测量的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中每个场区域对应于在光刻工艺期间由所述样品的相应曝光处理的区域。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在3至10个场区域的每个区域中测量所述第二标记。

14.根据权利要求1所述的方法，其中5至20个第二标记的所述位置是在所述一个场区域中或在所述多个场区域的每个场区域中测量的。

15.一种包括指令的计算机程序产品，当所述程序由计算机执行时，所述指令使所述计算机执行以下步骤：

技术总结公开了用于生成样品图和处理样品的方法。在一种布置中，方法包括测量样品上多个场区域中每个场区域中的第一标记的位置。将第一模型拟合到第一标记的测量位置。拟合的第一模型表示场区域的位置。该方法包括测量一个场区域或多个场区域中的每个场区域中的多个第二标记的位置。将第二模型拟合到第二标记的测量位置。拟合的第二模型表示每个场区域的形状。使用拟合的第一和第二模型输出样品图。技术研发人员：陈子超,王德胜受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29